爾必達赴臺設NAND Flash研發(fā)中心

　　據了解，日商爾必達已決定來(lái)臺設立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來(lái)臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來(lái)將與力晶等日系半導體業(yè)者進(jìn)一步合作。

　　據悉，爾必達與臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動(dòng)密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設立研發(fā)中心的初步計劃書(shū)，經(jīng)濟部正進(jìn)行審查中。

　　官員透露，爾必達來(lái)臺設立研發(fā)中心的計劃相當成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲器(DRAM)，而是切入高階的NAND Flash產(chǎn)品的研發(fā)。

　　NAND Flash技術(shù)領(lǐng)先DRAM一個(gè)世代，目前全球前五大制造廠(chǎng)被三星、東芝、美光、海力士、英特爾囊括全球96.8%市占率，臺灣廠(chǎng)商在這一塊缺席，原本在NAND Flash技術(shù)上相對薄弱的爾必達，在買(mǎi)下飛索(Spansion)NAND技術(shù)資產(chǎn)后，規劃在明年投入NAND Flash量產(chǎn)。