力晶聚焦NAND Flash　挑戰20納米

　　近期臺灣創(chuàng )新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟部補助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長(cháng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠(chǎng)仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。

　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renesas)，瑞薩原由日立(Hitachi)分割出來(lái)，最早日立和東芝(Toshiba)在競爭NAND Flash技術(shù)時(shí)，日立選擇AG-AND Flash架構開(kāi)發(fā)，但到90納米制程后，瑞薩決定放棄NAND Flash產(chǎn)品線(xiàn)，當時(shí)力晶選擇接手技術(shù)和專(zhuān)利，從75納米切入一路開(kāi)發(fā)至今。

　　力晶投入NAND Flash產(chǎn)品研發(fā)已達6年，投入研發(fā)資金高達70億元，過(guò)去都將資源放在標準型DRAM，2010年起因應多元化產(chǎn)品策略，開(kāi)始將重心放在NAND Flash產(chǎn)品上。黃崇仁表示，力晶承襲瑞薩NAND Flash技術(shù)，是最正統NAND Flash技術(shù)架構，與國際大廠(chǎng)三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等技術(shù)層次最為接近，目前NAND Flash產(chǎn)品已在出貨中，2010年下半將轉進(jìn)40納米制程，高容量16Gb產(chǎn)品將問(wèn)世。

　　黃崇仁指出，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠(chǎng)仍是晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash技術(shù)研發(fā)是很大突破，因為現在很多大廠(chǎng)20納米都還未確定可行，未來(lái)力晶NAND Flash會(huì )朝利基型市場(chǎng)發(fā)展，不會(huì )與國際大廠(chǎng)既有市場(chǎng)硬碰硬。

　　另外，TIMC日前亦藉由NAND Flash產(chǎn)品重起爐灶，獲得經(jīng)濟部補助，將與茂德、晶豪合攻NAND Flash市場(chǎng)，技術(shù)是引進(jìn)美商IC設計公司NanoStar技術(shù)，號稱(chēng)可避開(kāi)現有NAND Flash大廠(chǎng)專(zhuān)利，為臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)建立自有技術(shù)，目前已在茂德中科12寸晶圓廠(chǎng)進(jìn)行試產(chǎn)。

　　至于旺宏對于從NOR Flash跨入NAND Flash產(chǎn)業(yè)亦相當積極，采用自行研發(fā)技術(shù)，預計2010年便可從75納米制程切入試水溫，第2階段將導入57納米制程，預估2010年下半NAND Flash產(chǎn)品線(xiàn)開(kāi)始貢獻營(yíng)收。