英特爾和Micron稱(chēng)下一代25納米NAND取得突破

　　據國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。

　　首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶(hù)發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個(gè)存儲單元中保存三位信息，而非像傳統芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱(chēng)，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。

　　英特爾副總裁及NAND開(kāi)發(fā)組主管Tom Rampone聲稱(chēng)25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開(kāi)發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續為用戶(hù)探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利用IMFT的設計和制造業(yè)地位來(lái)為用戶(hù)提供更高性?xún)r(jià)比的產(chǎn)品。

　　目前IMFT正與三星以及其他公司爭奪利潤日趨豐厚的NAND市場(chǎng)。隨著(zhù)移動(dòng)存儲市場(chǎng)的增長(cháng)以及公眾對于固態(tài)硬盤(pán)興趣的增多，芯片廠(chǎng)商正在為獲得市場(chǎng)上最好的硬件而競爭。

　　Tom還說(shuō)他們正在致力于使8GB的三層存儲單元NAND閃存設備符合最終產(chǎn)品設計。