爾必達已與Spansion開(kāi)發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達內存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開(kāi)發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結構，該公司計劃于2011年開(kāi)始在其日本西部的工廠(chǎng)批量生產(chǎn)該芯片。

　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動(dòng)柵(floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)上產(chǎn)品體積更小、功能更強大NAND閃存芯片。

　　爾必達的目標是成為全球第一個(gè)大規模生產(chǎn)基于電荷擷取技術(shù)NAND閃存芯片的芯片制造商。

　　諸如爾必達等僅生產(chǎn)DRAM(dynamic random access memory)芯片的半導體制造商正在試圖增加生產(chǎn)閃存芯片的能力，以滿(mǎn)足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動(dòng)電話(huà)的強烈需求。這類(lèi)產(chǎn)品的市場(chǎng)正日益增長(cháng)，部分原因是智能手機的全球普及。