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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
英特爾亞太NAND Flash操盤(pán)手離職引發(fā)業(yè)者嘩然
- 英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠(chǎng)將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區NAND Flash操盤(pán)手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執行總監陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務(wù)由英特爾亞太區技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)事業(yè)群執行總監黃逸松暫代,而相關(guān)模塊廠(chǎng)對此表示,雙方合作關(guān)系不會(huì )受影響。
- 關(guān)鍵字: 英特爾 NAND
Gartner下調2011年度半導體設備市場(chǎng)預測
- 根據Gartner發(fā)布的報告,該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場(chǎng)的預測;原先該公司預期將成長(cháng)4.9%,現在預期將縮減1%。另外,Gartner原先預估今年成長(cháng)113%,現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了有史以來(lái)最強勁的成長(cháng),不過(guò)2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟,屆時(shí)設備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
- 關(guān)鍵字: 半導體設備 NAND
美光新加坡廠(chǎng)明年投產(chǎn)
- 美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn),已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座,在擴產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會(huì )缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠(chǎng)也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn),對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫(huà),美光表示不擔心供過(guò)于求,在產(chǎn)能增加的同時(shí),平板計算機等應用也大幅崛起,預計2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
臺灣加入NAND Flash戰局
- 臺灣長(cháng)久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠(chǎng)紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠(chǎng)及晶圓代工廠(chǎng)加入,首波會(huì )先洽談臺系存儲器廠(chǎng),目標5~10年內將此技術(shù)導入量產(chǎn),讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰局。
- 關(guān)鍵字: NAND 9納米
東芝日本廠(chǎng)跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%
- 華爾街日報(WSJ)報導,東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì )影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂(lè )播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。 東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1,出貨量?jì)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。 接下來(lái)幾個(gè)月,全球的快閃存儲器市場(chǎng)的供
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
半導體存儲器廠(chǎng)商恢復大型設備投資
- 2010年在半導體存儲器業(yè)界,各廠(chǎng)商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此,市場(chǎng)上的份額競爭再次變得激烈起來(lái)。 2008~2009年導致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而,進(jìn)入2010年下半年后,以DRAM為中心、價(jià)格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰。技術(shù)方面,微細化競爭愈演愈烈,以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。
- 關(guān)鍵字: 存儲器 NAND
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