<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)

arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區

2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數增長(cháng)

  •   據iSuppli公司,作為多種消費電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲媒介,NAND閃存2011年將再度實(shí)現兩位數的增長(cháng)。   2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng )下最高紀錄,增長(cháng)38%。預計今年銷(xiāo)售額將達到220億美元,比2010年的187億美元增長(cháng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(cháng)幅度更大,預計2011年增長(cháng)72%,達到193億GB。  
  • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  

英特爾亞太NAND Flash操盤(pán)手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

  •   英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調整,引發(fā)存儲器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠(chǎng)將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區NAND Flash操盤(pán)手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執行總監陳武宏閃電離職,更引發(fā)存儲器業(yè)者一陣嘩然,目前該職務(wù)由英特爾亞太區技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)事業(yè)群執行總監黃逸松暫代,而相關(guān)模塊廠(chǎng)對此表示,雙方合作關(guān)系不會(huì )受影響。   
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

平板計算機起飛帶動(dòng)NAND Flash需求

  •   集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示,在A(yíng)ndroid可望逐漸成熟,市場(chǎng)接受度提高,預期2011年平板計算機出貨量由今年的1500萬(wàn)臺大增至5000萬(wàn)臺的規模,可說(shuō)是平板計算機起飛年,將帶動(dòng)內建式NAND Flash應用,預估2011年平板計算機占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。   
  • 關(guān)鍵字: 平板計算機  NAND  

NAND芯片漲價(jià)15% 或引iPad漲價(jià)

  •   亞洲最大半導體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示,東芝旗下一家芯片工廠(chǎng)突發(fā)短時(shí)電力故障,以致NAND芯片出現停產(chǎn)。該分析師還表示,到2011年1月中旬之前,包括iPad在內等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價(jià)格或將上漲15%。   
  • 關(guān)鍵字: NAND  iPad  

Gartner下調2011年度半導體設備市場(chǎng)預測

  •   根據Gartner發(fā)布的報告,該公司下調對于明(2011)年度半導體設備市場(chǎng)的預測;原先該公司預期將成長(cháng)4.9%,現在預期將縮減1%。另外,Gartner原先預估今年成長(cháng)113%,現在估計可達131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出,今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng )造了有史以來(lái)最強勁的成長(cháng),不過(guò)2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟,屆時(shí)設備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴充而不是在技術(shù)設備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬,NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
  • 關(guān)鍵字: 半導體設備  NAND  

2011年半導體市場(chǎng)回歸正常軌道

  •   2010年全球半導體市場(chǎng)成長(cháng)幅度超過(guò)30%,這是在歷經(jīng)過(guò)去幾年全球不景氣之后,經(jīng)濟復蘇所展現出的成果。而據Semico預測,2011年全球半導體銷(xiāo)售額年成長(cháng)幅度大約小于10%。乍看之下,這比2010年成長(cháng)率要低得多,它代表壞消息嗎?事實(shí)上,這個(gè)溫和的成長(cháng)數據代表著(zhù)半導體市場(chǎng)正在回歸正常軌道。   
  • 關(guān)鍵字: 東芝  半導體  NAND  

美光新加坡廠(chǎng)明年投產(chǎn)

  •   美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn),已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座,在擴產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會(huì )缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠(chǎng)也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn),對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產(chǎn)計畫(huà),美光表示不擔心供過(guò)于求,在產(chǎn)能增加的同時(shí),平板計算機等應用也大幅崛起,預計2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。   
  • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  

臺灣加入NAND Flash戰局

  •   臺灣長(cháng)久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險,全球大廠(chǎng)紛競逐下世代技術(shù),近期國家納米元件實(shí)驗室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器,計劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲器廠(chǎng)及晶圓代工廠(chǎng)加入,首波會(huì )先洽談臺系存儲器廠(chǎng),目標5~10年內將此技術(shù)導入量產(chǎn),讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰局。
  • 關(guān)鍵字: NAND  9納米  

東芝停電事故或將引領(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

  •   亞洲最大的半導體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示,由于東芝一家芯片工廠(chǎng)因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響,到2011年1月中旬之前,NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì )上漲15%。   
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

東芝日本廠(chǎng)跳電 受影響產(chǎn)能恐達20%

  •   華爾街日報(WSJ)報導,東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì )影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(Smartphone)、平板計算機(TabletPC)及數碼音樂(lè )播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。   東芝表示,這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能,減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn),總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1,出貨量?jì)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。   接下來(lái)幾個(gè)月,全球的快閃存儲器市場(chǎng)的供
  • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

半導體存儲器廠(chǎng)商恢復大型設備投資

  •   2010年在半導體存儲器業(yè)界,各廠(chǎng)商紛紛恢復了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結狀態(tài)的大型設備投資。由此,市場(chǎng)上的份額競爭再次變得激烈起來(lái)。 2008~2009年導致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現了小幅下跌。然而,進(jìn)入2010年下半年后,以DRAM為中心、價(jià)格呈現出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰。技術(shù)方面,微細化競爭愈演愈烈,以突破現有存儲器極限為目標的新存儲器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。   
  • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  

應用材料預估半導體設備市場(chǎng)將保持5%的成長(cháng)率

  •   針對2011年半導體資本支出的趨勢,設備大廠(chǎng)應用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠(chǎng)資本支出將大幅成長(cháng),幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當強勁,預估整體半導體設備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(cháng)幅度。   
  • 關(guān)鍵字: 應用材料  NAND  

預計明年NAND閃存銷(xiāo)售量漲價(jià)跌

  •   集邦科技發(fā)布近日報告稱(chēng),明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達到215億美元,同比上漲16%,但是其平均價(jià)格將同比下降35%。   集邦科技稱(chēng),新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節期間的采購將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節性銷(xiāo)售因素影響。到二季度時(shí),閃存市場(chǎng)的供需就會(huì )更加平衡,價(jià)格下降幅度不會(huì )太大。   
  • 關(guān)鍵字: NAND  20nm  

全球IC市場(chǎng)喜憂(yōu)參半

  •   根據VLSIResearch發(fā)布的報告,該公司預測2010年度全球IC市場(chǎng)將成長(cháng)32%,2011年度將成長(cháng)8%;2010年度設備市場(chǎng)將成長(cháng)103%,2011年度將成長(cháng)10.6%。該公司認為目前的全球IC市場(chǎng)呈現出一些正面與負面的跡象; 
  • 關(guān)鍵字: IC  NAND  
共1200條 53/80 |‹ « 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 » ›|

arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解,并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>