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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
各大廠(chǎng)搶進(jìn)3D NAND致存儲器價(jià)格大漲
- 據海外媒體報道，去年下半年以來(lái)NANDFlash市場(chǎng)供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠(chǎng)全力調撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場(chǎng)出現貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。 不過(guò)，隨著(zhù)3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開(kāi)出，將成為NANDFlash市場(chǎng)最大變數。 2DNANDFlash制程持續往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進(jìn)14納米，東芝及西部數據(WD)進(jìn)入15納米，美光導
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲器
比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)
- 非揮發(fā)性電阻式內存(ReRAM)開(kāi)發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉換機制，開(kāi)發(fā)出號稱(chēng)比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現量產(chǎn)。 根據Crossbar策略營(yíng)銷(xiāo)與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專(zhuān)為嵌入式非揮發(fā)性?xún)却?eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫(xiě)入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現高達
- 關(guān)鍵字： NAND ReRAM
迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠(chǎng)43億美元
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠(chǎng)，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠(chǎng)第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開(kāi)始在西安廠(chǎng)的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設備及人力費用。 三星目前只使用西安廠(chǎng)腹地約34萬(wàn)坪中的2
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
DSP技術(shù)在EMIF接口中的BOOT方法簡(jiǎn)析
- DSP技術(shù)在目前的芯片研發(fā)過(guò)程中得到了廣泛應用，在之前的文章中，我們曾經(jīng)就DSP在EMIF接口中的應用進(jìn)行過(guò)簡(jiǎn)要分析和探討。今天我們將會(huì )接著(zhù)上一次的討論結果，來(lái)看一下DSP技術(shù)在EMIF接口中的系統BOOT是如何實(shí)現的，下面就讓我們一起來(lái)看看吧?！ ≡谶@里我們依舊以TMS320C6722型DSP芯片為例子，來(lái)進(jìn)行討論。這種的TMS320C6722型DSP內部沒(méi)有可寫(xiě)的ROM，DSP的程序必須存放在外部器件中。當TMS320C6722型DSP芯片上電后，必須首先從外部芯片下載程序。本款DSP可以通過(guò)SP
- 關(guān)鍵字： DSP BOOT
東芝分拆半導體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數陣營(yíng)的NAND Flash競爭力
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，東芝公司為提升半導體業(yè)務(wù)競爭力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內存業(yè)務(wù)。預期分拆出來(lái)的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(cháng)期而言對東芝/西數(Western Digital)電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均有所幫助。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，東芝公司這一做法，一方面為的是應付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營(yíng)壓力，并滿(mǎn)足籌措營(yíng)運資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結構來(lái)看，DRAMeX
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
傳SK海力士有意投資東芝新存儲器公司
- 據報道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢(qián)的半導體部門(mén)，成立新公司，賣(mài)股籌錢(qián)。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據傳韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強化NAND Flash布局。 韓媒BusinessKorea 24日報導，業(yè)界專(zhuān)家表示，SK海力士可能會(huì )投資東芝獨立出來(lái)的存儲器公司，取得決定NAND Flash表現的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場(chǎng)表現出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
- 關(guān)鍵字： SK海力士 NAND
新興市場(chǎng)智能手機需求增 2017年NAND供貨仍吃緊
- 隨著(zhù)全球對于手機、電腦、汽車(chē)等消費性產(chǎn)品需求持續增強，NAND FLASH始終處于供不應求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機市場(chǎng)，當地消費者智慧手機持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預計2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續吃緊，特別是在第2、3季最為嚴重。 群聯(lián)董事長(cháng)潘建成表示，預計NAND FLASH今年將持續缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機、電腦、汽車(chē)等終端消費性產(chǎn)品需求仍舊強勁。因應此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉去做3D
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
2017年中國興建晶圓廠(chǎng)支出金額將超40億美元
- 根據 SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠(chǎng)的熱潮，預估 2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠(chǎng)的支出金額將超過(guò) 40 億美元，占全球晶圓廠(chǎng)支出總金額的 70%。而來(lái)到2018年，中國建造晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出更將成長(cháng)至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。 SEMI 中國臺灣地區產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長(cháng)率。其中，存儲為其中成長(cháng)的關(guān)鍵。而未來(lái) 5 年之內，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續成長(cháng)，到了 2
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？
- 在上海一場(chǎng)以“匠心獨運，卓越創(chuàng )芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì )上，長(cháng)江存儲CEO楊士寧先生參會(huì )并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問(wèn)題，作了深刻的分析。 為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè) 在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據他的說(shuō)法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
中國集成電路擴建之后 降低成本是關(guān)鍵
- 或許是巧合!12月30日，長(cháng)江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線(xiàn)這兩個(gè)持續受到業(yè)界關(guān)注的重大項目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。 長(cháng)江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉我國存儲器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線(xiàn)建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產(chǎn)線(xiàn)，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節點(diǎn)的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。 隨著(zhù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)
- 關(guān)鍵字： 集成電路 NAND
紫光3D儲存型快閃記憶體廠(chǎng)武漢動(dòng)工 總投資超240億美元
- 中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰場(chǎng)，在武漢興建全球規模最大廠(chǎng)房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。 紫光集團董事長(cháng)趙偉國：“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠(chǎng)，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì )在那里投資一個(gè)，也是一個(gè)超過(guò)兩百億美金芯片的工廠(chǎng)” 2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計算中心。 12月30日，紫光宣布動(dòng)工，興建三座全球最大3
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
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