中國集成電路擴建之后 降低成本是關(guān)鍵

　　或許是巧合!12月30日，長(cháng)江存儲的國家存儲器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線(xiàn)這兩個(gè)持續受到業(yè)界關(guān)注的重大項目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。

　　長(cháng)江存儲是國內最大的存儲器項目之一，瞄準3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉我國存儲器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線(xiàn)建設項目則是“909工程”的二次升級改造，將建設邏輯芯片的代工生產(chǎn)線(xiàn)，建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節點(diǎn)的生產(chǎn)平臺，追趕國際先進(jìn)水平。

　　隨著(zhù)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國IC業(yè)掀起一輪高速發(fā)展的投資熱潮，其中又以晶圓制造為重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。經(jīng)過(guò)近兩年發(fā)展，一批重大項目陸續進(jìn)入開(kāi)工建設階段，預計2017年將成為中國IC業(yè)的重要建設期。未來(lái)隨著(zhù)這些產(chǎn)線(xiàn)的投產(chǎn)，拼技術(shù)、工藝、良品率以及成本將成為“主旋律”，也是檢驗這些項目最終能否成功的關(guān)鍵。

　　兩大項目同日開(kāi)工

　　12月30日，紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設的國家存儲器基地項目，在武漢東湖高新區正式動(dòng)工建設。據了解，此次正式開(kāi)工建設的國家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來(lái)科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB 廠(chǎng)房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠(chǎng)房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬(wàn)美元。該項目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲器芯片，總占地面積1968畝。項目一期計劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項目，總產(chǎn)能將達到30萬(wàn)片/月，年產(chǎn)值將超過(guò)100億美元。

　　紫光集團董事長(cháng)兼長(cháng)江存儲公司董事長(cháng)趙偉國強調，國家存儲器基地正式動(dòng)工建設不僅僅是一個(gè)項目的開(kāi)工，更具有特別的意義：一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規?；l(fā)展“零”的突破，相當于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航;二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰略推動(dòng)、地方大力支持、企業(yè)市場(chǎng)化運作”的三合一;三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業(yè)單體投資最大的項目，也是湖北省最大的投資項目，還是中國最大的單體投資項目。

　　就在同一天，華力微12英寸先進(jìn)工藝生產(chǎn)線(xiàn)項目也舉行了開(kāi)工儀式。該項目總投資為387億元，將建設一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)，工藝從28納米起步，最終具備14納米三維工藝的高性能芯片生產(chǎn)能力。本次開(kāi)工建設的華力12英寸先進(jìn)工藝集成電路生產(chǎn)線(xiàn)，是“909工程”的二次升級改造項目，被列為國家《“十三五”集成電路產(chǎn)業(yè)重大生產(chǎn)力布局規劃》的重點(diǎn)項目，也是“十三五”期間上海最大的產(chǎn)業(yè)投資項目。項目建成后，華虹集團將擁有從0.5微米到14納米各工藝節點(diǎn)的生產(chǎn)平臺。根據項目規劃，項目將于2017年底完成基建工程，2018年底完成工藝集成、試生產(chǎn)，逐步提高工藝等級和產(chǎn)能并達綱。

　　降低成本是關(guān)鍵

　　由于全球集成電路大廠(chǎng)紛紛看好中國大陸市場(chǎng)，陸續在我國大陸投資設立12英寸廠(chǎng)，包括臺積電南京廠(chǎng)、聯(lián)電廈門(mén)廠(chǎng)、英特爾大連廠(chǎng)、三星電子西安廠(chǎng)、力晶合肥廠(chǎng)等，分別覆蓋了先進(jìn)邏輯工藝、NAND Flash、DRAM及LCD驅動(dòng)IC等產(chǎn)品領(lǐng)域。 而我國集成電路產(chǎn)業(yè)目前則面臨著(zhù)嚴峻的“兩個(gè)在外”挑戰，即集成電路設計企業(yè)的產(chǎn)品主要在海外加工;集成電路制造企業(yè)的主要業(yè)務(wù)也在海外。集成電路制造企業(yè)的產(chǎn)能和工藝技術(shù)能力均不能滿(mǎn)足國內設計企業(yè)的需求。應對國際競爭，立足提高芯片自制能力，近年來(lái)我國集成電路制造企業(yè)也在不斷謀求產(chǎn)能擴展和工藝技術(shù)能力提升，主要廠(chǎng)商接連啟動(dòng)新的擴產(chǎn)計劃。

　　本次開(kāi)工的兩個(gè)項目具有很強的代表性。存儲器是應用最廣泛的芯片產(chǎn)品之一，其重要性不在CPU之下，在數據中心大規模建設的推動(dòng)下，其市場(chǎng)規模還在不斷擴大。而晶圓制造則是IC產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的環(huán)節之一，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中便強調要以制造為基礎，發(fā)展我國的IC產(chǎn)業(yè)。

　　但是，挑戰也十分嚴峻。有業(yè)內人士表示：“長(cháng)江存儲，開(kāi)工易，研發(fā)難;儀式易，做事難;起點(diǎn)易，終點(diǎn)難。”我國在大規模投資建設了這些生產(chǎn)項目之后，如何盡快提高成品率，實(shí)現盈虧平衡，將是未來(lái)企業(yè)需要面對的最重要的考驗。根據SEMI的數據，目前處于規劃或建設階段，預計將于2017年～2020年間投產(chǎn)的62座半導體晶圓廠(chǎng)，其中26座設于中國大陸，占全球總數42%。中國集成電路企業(yè)在這個(gè)市場(chǎng)環(huán)境中想要繼續運營(yíng)發(fā)展，不斷擴大投入是必然之舉。但是，關(guān)建是要解決積累與擴張的平衡之道，以期盡快解決盈虧平衡問(wèn)題。

　　半導體專(zhuān)家莫大康也指出，快速降低成本是最關(guān)鍵的一環(huán)，特別是對于存儲器來(lái)說(shuō)，拼的就是工藝和成本，只有將成品率提上來(lái)，成本降下去，發(fā)展才具有持續性。“在投產(chǎn)初期，成本至少要控制在國際企業(yè)的1～2倍才有希望。否則任何企業(yè)也做不到持續投入，經(jīng)不起長(cháng)期的虧損。”他說(shuō)。