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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
大陸發(fā)展存儲器大計三箭齊發(fā) 明年推首顆自制3D NAND芯片
- 大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(cháng)江存儲負責3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專(zhuān)職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(cháng)江存儲將興建首座12吋廠(chǎng)，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。 盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術(shù)改朝換代之際，大
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西數超車(chē)三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰
- 全球硬盤(pán)機大廠(chǎng)Western Digital(WD)和日廠(chǎng)東芝(Toshiba)合作，打算超車(chē)三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì )擴產(chǎn)淹沒(méi)市場(chǎng)，重創(chuàng )NAND價(jià)格。 巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產(chǎn)還擊。報告稱(chēng)，當前三星在業(yè)界握有主導權，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購了
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第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯 價(jià)格續揚
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤(pán)的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來(lái)自于智能手機需求的成長(cháng)。雖然iPhone 7的銷(xiāo)售
- 關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器
TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續揚
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態(tài)硬盤(pán)的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤將較第三季更為出色。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來(lái)自于智能手機需求的成長(cháng)。雖然iPh
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中國手機出貨強勁 推動(dòng)東芝營(yíng)業(yè)利潤預期上調一倍
- 據外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營(yíng)業(yè)利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預期為300億日元。 受此消息推動(dòng)，東芝股價(jià)在周三快速上漲，創(chuàng )下自去年10月以來(lái)的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調營(yíng)業(yè)利潤預期，該公司在今年5月份最初預計上半財年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。 智能機存儲芯片的強勁需求推動(dòng)東芝上調營(yíng)業(yè)利潤預期。另外，比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。 芯片需求的增長(cháng)源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場(chǎng)表現乏力，但是中國智能機出
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NAND閃存需求提升 東芝調高上半年獲利預測
- 先前，因為受到連續7年作假帳風(fēng)波，因而導致公司商譽(yù)嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠(chǎng)東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。 東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場(chǎng)，在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力，所以需要性能越來(lái)越好的NAND閃存產(chǎn)品，導致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚，如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導體設備產(chǎn)業(yè)增添活力
- 日媒稱(chēng)，日本半導體制造裝置協(xié)會(huì )日前宣布8月份半導體制造設備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(cháng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(cháng)率首次超過(guò)30%。中國半導體制造商興起、半導體的微細化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面，半導體設備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。 據外媒報道，“采購設備的時(shí)間提前了”，東電電子社長(cháng)河合利樹(shù)無(wú)法掩飾他對半導體制造商們強烈設備投資欲的驚訝。
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
日媒：中國半導體制造設備市場(chǎng)大幅增長(cháng)
- 據韓聯(lián)社9月19日報道，韓國市場(chǎng)調研機構IHS和半導體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷(xiāo)售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。 今年第二季度三星電子銷(xiāo)售額達94.52億美元，排名第一的美國英特爾半導體銷(xiāo)售額達122.72億美元，市場(chǎng)份額為14.7%。 三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
第二季NAND Flash品牌營(yíng)收排行
- 第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收較上季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，2016年第二季eMMC、用戶(hù)級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，通路端wafer價(jià)格更從四月起逐月走揚，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢季成長(cháng)3.4%，結束前兩季連續衰退的頹勢。 DRAM
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光3D NAND創(chuàng )新低成本制程分析
- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續讀取/寫(xiě)入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動(dòng)器(HDD)改善了90倍，據稱(chēng)也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現有越來(lái)越多的電腦設備開(kāi)始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰，不過(guò)必須承認的
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
TrendForce：市況逐步回穩，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收季成長(cháng)3.4%
- 受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求，第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。 TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新報告顯示，第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤(pán)與企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)的合約價(jià)跌幅開(kāi)始收斂，渠道端wafer價(jià)格更從4月起逐月上揚，第二季NAND Flash品牌商營(yíng)收逆勢季成長(cháng)3.4%，結束前兩季度連續衰退的頹勢。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第三季
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
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