2017年中國興建晶圓廠(chǎng)支出金額將超40億美元

　　根據 SEMI (國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )) 的最新研究數據表示，當前中國正掀起興建晶圓廠(chǎng)的熱潮，預估 2017 年時(shí)，中國興建晶圓廠(chǎng)的支出金額將超過(guò) 40 億美元，占全球晶圓廠(chǎng)支出總金額的 70%。而來(lái)到2018年，中國建造晶圓廠(chǎng)相關(guān)支出更將成長(cháng)至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。

　　SEMI 中國臺灣地區產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導體產(chǎn)產(chǎn)值可望達到 7.2% 的年成長(cháng)率。其中，存儲為其中成長(cháng)的關(guān)鍵。而未來(lái) 5 年之內，全球半導體產(chǎn)業(yè)仍將持續成長(cháng)，到了 2020 年將逼近 4,000 億美元市場(chǎng)規模，每年的復合成長(cháng)率都將維持一定的水準。

　　而以 2017 年來(lái)說(shuō)，晶圓廠(chǎng)的相關(guān)支出將會(huì )以晶圓代工與 3D NAND 閃存為大宗。其中，存儲支出達 227 億美元，晶圓代工的支出則是來(lái)到的 145 億美元。至于，在 DRAM 方面，因為近期廠(chǎng)商多轉入 2X 納米制程上，并無(wú)明顯新增產(chǎn)能。預計必須來(lái)到 2018 年之后，技術(shù)轉進(jìn) 1X 納米制程，屆時(shí)才會(huì )有比較多的產(chǎn)能開(kāi)出。

　　另外，近期大家所關(guān)心的中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾瑞榆也指出，中國大陸地區目前是僅次于中國臺灣地區與日本的前 3 大半導體設備市場(chǎng)。2016 年中國大陸的晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)支出金額約 20 億美元，2017 年則將持續興建新晶圓廠(chǎng)的動(dòng)作，統計將有 20 座晶圓廠(chǎng)先后啟動(dòng)建廠(chǎng)，使得 2017 年中國大陸晶圓廠(chǎng)的建廠(chǎng)支出將一舉超過(guò) 40 億美元的紀錄，占全球 70% 的比例。

　　曾瑞榆進(jìn)一步指出，就個(gè)別廠(chǎng)商來(lái)觀(guān)察，2018 年之前，中國大陸企業(yè)的投資金額都將少于來(lái)自中國臺灣地區及韓國等半導體企業(yè)的支出。但是自 2019 年之后，中國本土廠(chǎng)商投資金額將呈現跳躍式成長(cháng)，首度超越外商的支出金額。時(shí)至 2019 年，中國大陸半導體產(chǎn)能在全球占有率將由 2016 年的 12% 提升提高至 17% 的規模，逐漸提升其在全球半導體產(chǎn)業(yè)的地位。