各大廠(chǎng)搶進(jìn)3D NAND致存儲器價(jià)格大漲

　　據海外媒體報道，去年下半年以來(lái)NANDFlash市場(chǎng)供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠(chǎng)全力調撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場(chǎng)出現貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。

　　不過(guò)，隨著(zhù)3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開(kāi)出，將成為NANDFlash市場(chǎng)最大變數。

　　2DNANDFlash制程持續往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進(jìn)14納米，東芝及西部數據(WD)進(jìn)入15納米，美光導入16納米等。但因芯片線(xiàn)寬線(xiàn)距已達物理極限，2DNAND技術(shù)推進(jìn)上已出現發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產(chǎn)的2DNAND并未出現成本效益，因此，NANDFlash廠(chǎng)開(kāi)始將投資主力放在3DNAND，但也因產(chǎn)能出現排擠，NANDFlash產(chǎn)出量明顯減少，導致下半年價(jià)格強勁上漲。

　　去年NANDFlash價(jià)格自第2季開(kāi)始全面回升，漲勢直達年底，主流的SSD價(jià)格漲幅超過(guò)4成，eMMC價(jià)格最高逼近6成，完成出乎市場(chǎng)意料。在此一情況下，原廠(chǎng)為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進(jìn)3DNAND市場(chǎng)，而今年亦成為3DNAND市場(chǎng)成長(cháng)爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競賽可說(shuō)是一觸即發(fā)。

　　以各原廠(chǎng)的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3DNAND，去年底出貨占比已達35%，最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片，3DNAND的出貨比重將在本季達到45%。另外，三星不僅西安廠(chǎng)全面量產(chǎn)3DNAND，韓國Fab17/18也將投入3DNAND量產(chǎn)。

　　包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3DNAND制程轉換不順的一年，良率直到去年底才見(jiàn)穩定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過(guò)，今年開(kāi)始3DNAND量產(chǎn)情況已明顯好轉，東芝及WD已開(kāi)始小量生產(chǎn)64層芯片，今年生產(chǎn)主力將開(kāi)始移轉至64層3DNAND，除了Fab5開(kāi)始提高投片外，Fab2將在本季轉進(jìn)生產(chǎn)64層3DNAND，Fab6新廠(chǎng)將動(dòng)土興建并預估2018年下半年量產(chǎn)。

　　SK海力士去年在36層及48層3DNAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠(chǎng)已量產(chǎn)3DNAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進(jìn)入小量投片，而韓國M14廠(chǎng)也將在今年全面進(jìn)入3DNAND量產(chǎn)階段。

　　美光與英特爾合作的IMFlash已在去年進(jìn)行3DNAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3DNAND已順利送樣，今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)，F10x廠(chǎng)也會(huì )開(kāi)始全面轉向進(jìn)行3DNAND投片。英特爾大陸大連廠(chǎng)則已量產(chǎn)3DNAND，并將在今年開(kāi)始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。