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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘健成日前估計，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著(zhù)5000多萬(wàn)美元現金，大舉吃下某大廠(chǎng)釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機會(huì )多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現金買(mǎi)了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
- 關(guān)鍵字： NAND
2017第一季度NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動(dòng)式存儲價(jià)格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
Gartner：2016年全球半導體收入增長(cháng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠(chǎng)商總收入增加10.5%，表現遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)率?！ artner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長(cháng)的因素包括多項電子設備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚及相對溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專(zhuān)用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜?，成為?lèi)似人類(lèi)的神經(jīng)系統 ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱(chēng)為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷(xiāo)售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過(guò)程冗長(cháng)，如此一來(lái)，韓國廠(chǎng)商反倒會(huì )成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會(huì )讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。 美國硬盤(pán)機制造巨擘 Western Digital(WD
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中國必須建設自主存儲，為什么？
- 在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應用會(huì )非常廣泛，作用也會(huì )愈發(fā)重要，出現的各種裝置和新興應用都會(huì )用到NAND。
- 關(guān)鍵字： NAND 長(cháng)江存儲
東芝是大股東的群聯(lián)董事長(cháng)：東芝芯片會(huì )賣(mài)給日資
- 東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長(cháng)期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長(cháng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買(mǎi)下。 他推斷最后結果，將會(huì )由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會(huì )維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。 潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢(qián)的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 3D NAND
日美“卡脖子” 國產(chǎn)大存儲崛起能否取得成功？
- 小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 上天當然會(huì )有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè ),所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對嗎? 其實(shí)現實(shí)生活也是如此。 前不久,美國
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機密
- 國產(chǎn)手機勢頭越來(lái)越強勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國內市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠(chǎng)商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(cháng)江存儲開(kāi)始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，長(cháng)江存儲將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷
- 國產(chǎn)手機勢頭越來(lái)越強勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國內市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠(chǎng)商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(cháng)江存儲開(kāi)始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，長(cháng)江存儲將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 對于目前行業(yè)的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)
- 市場(chǎng)調查機構DRAMeXchange近日發(fā)布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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