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晶圓代工開(kāi)始關(guān)注新型存儲

新型存儲器能夠滿(mǎn)足未來(lái)更加多樣化的存儲需求。
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迷人的新型存儲

多年來(lái)，各大廠(chǎng)商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進(jìn)制程?，F代社會(huì )已經(jīng)進(jìn)入大數據、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數據呈爆炸式增長(cháng)，芯片就必須需要具備巨大的計算能力；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術(shù)所面臨的挑戰越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現的性能提高也趨于放緩。應用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō)：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統的存儲器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來(lái)越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越強?！沟且呀?jīng)開(kāi)始出現無(wú)法超越的
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫(xiě)速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來(lái)預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20
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ReRAM即將跨入3D時(shí)代？

　　莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(MIPT)宣稱(chēng)成功為ReRAM開(kāi)發(fā)出新的制程，可望為其實(shí)現適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…　　可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類(lèi)型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前，flash由于搶先進(jìn)入3D時(shí)代而較ReRAM更勝一籌?！　∪缃?，莫斯科物理技術(shù)學(xué)院(Moscow Institute of Physics and Technolo
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中芯國際為何鎖定瞄準ReRAM？

　　比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內存生產(chǎn)的中芯國際，為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM應用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長(cháng)的電池續航力，一來(lái)可節省維護成本、二來(lái)有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎設施可持續性。　　現階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網(wǎng)裝置能源消耗的辦法，為此業(yè)界發(fā)現物聯(lián)網(wǎng)芯片中內嵌“可變電阻式內存”(ReRAM)，有助達成此一節能目標。　　據報導，若要達到物聯(lián)網(wǎng)應用的能源采用要求，需要導入各式節能策略，即使多數
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

　　非揮發(fā)性電阻式內存(ReRAM)開(kāi)發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉換機制，開(kāi)發(fā)出號稱(chēng)比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現量產(chǎn)。　　根據Crossbar策略營(yíng)銷(xiāo)與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專(zhuān)為嵌入式非揮發(fā)性?xún)却?eNVM)應用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫(xiě)入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現高達
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40nm ReRAM芯片正式出樣中芯國際向上走勢頭勁

中芯未來(lái)幾年的擴產(chǎn)布局，可謂遍地開(kāi)花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠(chǎng)投資計劃，雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。
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中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

　　目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發(fā)力中國市場(chǎng)。其中，中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日，兩者合作的結晶終于誕生，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。　　據介紹，這種芯片比NAND芯片性能更強，密度比DRAM內存高40倍，讀取速度快100倍，寫(xiě)入速度快1000倍，耐久度高1000倍，單芯片(200mm2左右)即可實(shí)現TB級存儲，還具
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富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

　　富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。　　ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結合于一身，同時(shí)具備更低的功耗及更快的讀寫(xiě)速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù)，未來(lái)預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃
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ReRAM公布最新成果,性能接近理論數據

　　可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術(shù)，從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長(cháng)的艱難坎坷?，F在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見(jiàn)成效，日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果，稱(chēng)他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數據。　　 ? 　　索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片，據稱(chēng)這款芯片基于27nm CMOS工藝打造，可以用于替換現有的DDR SDRAM芯片，可用于移動(dòng)設備或者是PC上。　　按照公布的信息稱(chēng)，索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實(shí)
關(guān)鍵字：索尼 Micron ReRAM

ReRAM將能代替內存和硬盤(pán)

　　固態(tài)硬盤(pán)供應商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統存儲器，未來(lái)也許能一舉替代內存和硬盤(pán)。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話(huà)說(shuō)，關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。　　基礎電子學(xué)教科書(shū)列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮

　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內存ReRAM技術(shù)和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮。內存業(yè)者預期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內存)和MRAM(磁性隨機存取內存)等次世代內存，將會(huì )有一番激烈競爭。　　值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開(kāi)發(fā)ReRAM技術(shù)，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù)，采用十字結構，相
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異業(yè)結盟潮起次世代內存再掀熱戰

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開(kāi)發(fā)新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結盟熱潮，內存業(yè)者預期，未來(lái)ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會(huì )有一番激烈競爭。　
關(guān)鍵字：爾必達 ReRAM 次世代內存

夏普聯(lián)袂爾必達開(kāi)發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

　　日經(jīng)新聞報道，夏普正與爾必達聯(lián)手開(kāi)發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實(shí)現量產(chǎn)。　　
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惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內存

　　據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內存技術(shù)電阻式內存并將其推向市場(chǎng)。　　據一份聲明顯示，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現電阻式內存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì )采用由惠普實(shí)驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲數據?；萜战衲甏杭痉Q(chēng)表示，憶阻器也能夠執行邏輯。　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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reram介紹

　　日本富士通的川崎實(shí)驗室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗. 　　包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫(xiě)時(shí)只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低了90%的波動(dòng)電阻值,這一技術(shù)指標在反復高速寫(xiě)入和擦除時(shí)會(huì )影響產(chǎn)品質(zhì)量和壽命. 　　新的技術(shù)可以更快地完成存取,5毫秒內存取10000次. 　　這種ReRAM未來(lái)可以替代目前的 [ 查看詳細 ]

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