發(fā)展3D NAND閃存的意義

作者/ 迎九 《電子產(chǎn)品世界》編輯

摘要：“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì )”于2017年1月14日在上海召開(kāi)，長(cháng)江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰略思考。

存儲器產(chǎn)業(yè)應用及競爭格局

　　存儲器是具備可以?xún)Υ鎴D像數據或文字數據、程序等信息，在必要時(shí)取出的功能的器件。從半導體存儲器技術(shù)的分類(lèi)來(lái)看，目前DRAM和NAND閃存的總產(chǎn)值占全球存儲器產(chǎn)業(yè)的95%(圖1)。IBS數據預計，未來(lái)十年NAND閃存的需求量還將持續增長(cháng)10倍(圖2)，主要應用在云計算、物聯(lián)網(wǎng)及數據中心等領(lǐng)域。

　　2016年三星電子在DRAM和NAND閃存的市場(chǎng)份額同時(shí)占據第一位(圖3)，可見(jiàn)產(chǎn)品集中度越來(lái)越高。因此，存儲器市場(chǎng)亟需打破現狀。對于長(cháng)江存儲來(lái)說(shuō)，現在是一個(gè)“最好”的時(shí)間點(diǎn)，有一些海外企業(yè)找到長(cháng)江存儲，希望與長(cháng)江存儲合作，以便為市場(chǎng)帶來(lái)更多選擇。

為什么選擇3D NAND?

　　據統計，在全球存儲器市場(chǎng)中，55%的市場(chǎng)需求在中國。國家大基金的成立，使中國在資金和政策方面對技術(shù)和產(chǎn)能積累給予最大支持，同時(shí)在人才匯聚、國際合作的機遇和產(chǎn)業(yè)生態(tài)支持方面，中國正面臨最好的時(shí)期。國內在主流IC領(lǐng)域已經(jīng)沒(méi)有什么更好的切入點(diǎn)，存儲器是機會(huì )。中國IC設計和制造快速崛起，但是在先進(jìn)IC的制造領(lǐng)域，中國市占率僅為5%～10%。因為IC制造在中國是很困難的行業(yè)，研發(fā)投入巨大(如圖4)、快速發(fā)展的技術(shù)及市場(chǎng)變化、芯片無(wú)關(guān)稅/沒(méi)有成本優(yōu)勢是最大原因。

　　要想創(chuàng )業(yè)成功，找對人、砸對錢(qián)和做對事是三個(gè)必要條件。首先，要有實(shí)干精神，有胸懷和勇氣，更要有創(chuàng )業(yè)成功的經(jīng)驗。其次，應把更多投資放在先進(jìn)技術(shù)和有經(jīng)濟效益的領(lǐng)域，在中國大力發(fā)展集成電路時(shí)期，如何做好自主可控、持續發(fā)展非常重要。最后，在國際化的體制下，如何通過(guò)市場(chǎng)化的競爭，集結全國資源，聚集全球人才，通過(guò)自主研發(fā)與國際合作相結合，抓住每一個(gè)并購投資的機遇極為關(guān)鍵。長(cháng)江存儲大規模投資建廠(chǎng)仿佛“陣地戰”，每個(gè)極為可能的并購機會(huì )將成為“運動(dòng)戰”，做好“陣地戰”與“運動(dòng)戰”相結合，才更有機會(huì )成功。

　　因而，從企業(yè)需求、外部機遇和市場(chǎng)動(dòng)力來(lái)看，3D NAND是長(cháng)江存儲有機會(huì )成功突破的技術(shù)領(lǐng)域。3D NAND閃存在性能、容量、可靠性、成本等方面有全面性的優(yōu)勢，而堆棧層數也是3D NAND閃存一個(gè)重要指標(圖5)。

怎樣去做3D NAND?

　　從NAND閃存市場(chǎng)和技術(shù)動(dòng)態(tài)來(lái)看，全球存儲器公司的3D NAND產(chǎn)品都在積極準備中，2018年將會(huì )有更多64層3D NAND的產(chǎn)品量產(chǎn)上市。大家都有設備折舊的壓力，長(cháng)江存儲并不擔心，只要全力解決技術(shù)問(wèn)題即可。長(cháng)江存儲的目標是在折舊期內實(shí)現盈利。在產(chǎn)品方面，目前3D NAND面臨的技術(shù)挑戰還有很多，在工藝上會(huì )有很大改變，工藝和器件上也會(huì )遇到挑戰。長(cháng)江存儲不會(huì )簡(jiǎn)單地跟隨行業(yè)的腳步，將通過(guò)跳躍式發(fā)展，目標在2019年實(shí)現與世界前沿差半代技術(shù)，2020年追趕上領(lǐng)先技術(shù)，與世界并行。

未來(lái)是否發(fā)展DRAM?

　　DRAM和NAND都應該做，因為以后的模組有些是NAND+DRAM。但作為一門(mén)生意，DRAM有兩個(gè)增加的難度：一方面是競爭對手手里仍有大量折舊完的產(chǎn)能存在，2D NAND也是如此;另一方面，現階段DRAM市場(chǎng)的增長(cháng)需求變得相對緩慢，很難實(shí)現經(jīng)濟效益。所以現階段，長(cháng)江存儲不會(huì )做沒(méi)有經(jīng)濟效益的產(chǎn)能擴充，更會(huì )選擇機遇尋找并購，以進(jìn)一步實(shí)現DRAM產(chǎn)能的擴充。目前，長(cháng)江存儲的32層3D NAND產(chǎn)品進(jìn)展順利，電氣特性等各項指標非常好。2019年工廠(chǎng)將實(shí)現產(chǎn)能滿(mǎn)載，對公司來(lái)說(shuō)壓力巨大。

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本文來(lái)源于《電子產(chǎn)品世界》2017年第2期第6頁(yè)，歡迎您寫(xiě)論文時(shí)引用，并注明出處。