EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
2017年NAND產(chǎn)能成長(cháng)有限、價(jià)格走揚
- 2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年。 TrendForce記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新研究報告顯示，2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著(zhù)業(yè)者加速轉進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續一整年，而3D-NAND在64層堆疊順利導入OEM系統產(chǎn)品前，也將持續缺貨，價(jià)格有望穩健走揚，使NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)運表現持續往上。 DRAMeXch
- 關(guān)鍵字： NAND TrendForce
為滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠(chǎng)
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲器晶圓廠(chǎng)，滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠(chǎng)將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設計外部的建設，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠(chǎng)，主要是為了確保能夠滿(mǎn)足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(cháng)，以及引導向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導體工廠(chǎng)需要超過(guò)2年，所以提前做好準備。 SK海力士曾在20
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SK海力士
美光：3D NAND產(chǎn)能總容量已高于2D 二代3D NAND將進(jìn)入大批量產(chǎn)
- 美國記憶體晶片大廠(chǎng)美光科技(Micron)財務(wù)長(cháng)Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference時(shí)表示，該公司在3D NAND記憶體生產(chǎn)上已取得重要歷程碑。 科技網(wǎng)站AnandTech報導，Maddock表示，雖然目前2D NAND晶片生產(chǎn)數量仍高于3D，但就記憶體總容量而言，3D NAND產(chǎn)能的總容量已高于2D產(chǎn)品。 據悉，美光2D和3D NAND生產(chǎn)采用完全不同的技術(shù)。 2D NAND生產(chǎn)依賴(lài)于光刻(lithography)技術(shù)，3D NA
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
美光第二代3D NAND年底大規模量產(chǎn)
- 今年DRAM內存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存，第一代3D NAND閃存的成本也符合預期，堆棧層數達到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了，今年底就要大規模量產(chǎn)了。 對于3D NAND閃存，我們并不陌生，現在市場(chǎng)上很多SSD都轉向了3D NAND閃存，不論是性能還是容量或者是寫(xiě)入壽命，3D NAND閃存都要比傳統2
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
?NAND缺口達顛峰 推升SSD價(jià)漲逾10%
- DRAMeXchange最新研究顯示，受惠于強勁的智慧型手機出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩健成長(cháng)，第四季NAND Flash缺貨情況達今年最高峰，各產(chǎn)品別價(jià)格續創(chuàng )年度新高，預估缺貨態(tài)勢將持續至2017年第1季，屆時(shí)企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)漲幅將超過(guò)10%，行動(dòng)式相關(guān)產(chǎn)品的eMMC/UFS價(jià)格漲幅將更高。 今年第四季NAND Flash通路端顆粒與wafer價(jià)格創(chuàng )下年度新高、eMMC/UFS合約價(jià)季漲幅9～13%，企業(yè)級與用戶(hù)級SSD合約價(jià)也上漲5～10%。 DRAM
- 關(guān)鍵字： ?NAND SSD
不甘心三星拿下NAND市場(chǎng)最大份額 Intel推出市場(chǎng)最低價(jià)產(chǎn)品
- 三星在手機市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過(guò)由于全球手機的出貨量成長(cháng)以及對更大容量的內存和存儲的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏(yíng)家，據TrendForce的數據顯示營(yíng)收同比增長(cháng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng )下新高。 目前3D NAND技術(shù)正日益受到各方的歡迎，由于它相較2D NAND技術(shù)可以提供提高存儲器的容量及寬度，在采用更低工藝的情況下卻可以提供遠比工藝更高2D NAND技術(shù)數倍容量，例如采用16nm工藝的2D NAND存儲器容量為64GB，而采用21nm工藝的三星 48層3D NAN
- 關(guān)鍵字： Intel NAND
三星Q3穩居全球NAND市占王，東芝開(kāi)倒車(chē)、被遠遠甩開(kāi)
- 三星憑藉著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢，NAND快閃存儲器市占率逐季甩開(kāi)東芝等競爭者的糾纏，龍頭位置越座越穩。 市調機構DRAMeXchange最新數據顯示，三星第三季NAND存儲器營(yíng)收來(lái)到37.44億美元，市占率較前季進(jìn)步0.3個(gè)百分點(diǎn)至36.6%。(韓國經(jīng)濟日報) 同期間，東芝NAND存儲器營(yíng)收為20.26億美元，市占率較前季下滑0.3個(gè)百分點(diǎn)成為19.6%，落后三星幅度從前季的16.2%擴大至16.8%，此為歷史新高水平。 剛完成并購S(chǎng)anDisk的Western Digital市占率達17.1%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
[ARM筆記](méi)驅動(dòng)對設備的識別過(guò)程及實(shí)例——NAND Flash
- 驅動(dòng)程序識別設備時(shí)，有以下兩種方法： (1)驅動(dòng)程序本身帶有設備信息，比如開(kāi)始地址、中斷號等;加載驅動(dòng)程序時(shí)，就可以根據這些信息來(lái)識別設備?！ ?2)驅動(dòng)程序本身沒(méi)有設備信息，但是內核中已經(jīng)(或以后)根據其他方式確定了很多設備的信息;加載驅動(dòng)程序時(shí)，將驅動(dòng)程序與這些設備逐個(gè)比較，確定兩者是否匹配(math)。如果驅動(dòng)程序與某個(gè)設備匹配，就可以通過(guò)該驅動(dòng)程序來(lái)操作這個(gè)設備了?！ 群顺Ｊ褂玫诙N方法來(lái)識別設備，這可以將各種設備集中在一個(gè)文件中管理，當開(kāi)發(fā)板的配置改變時(shí)，便于修改代碼。在內核文件incl
- 關(guān)鍵字： NAND 驅動(dòng)
NAND Flash供不應求，第三季品牌商營(yíng)收大幅季成長(cháng)19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉進(jìn)3D-NAND 所導致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠(chǎng)營(yíng)收季成長(cháng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設備出貨進(jìn)入今年最高峰，預估整體NAND Flash供不應求的市況將更為顯著(zhù)，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠(chǎng)商的營(yíng)收
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 英特爾
SSD價(jià)格2016年來(lái)首度大漲，明年第一季價(jià)格估將持續走升
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀(guān)察)最新調查顯示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固態(tài)硬盤(pán))合約均價(jià)近一年來(lái)首度大漲，在MLC-SSD部分，季漲幅達6～10%，TLC-SSD部分則上漲6～9%。展望2017年第一季，雖然終端產(chǎn)品實(shí)際銷(xiāo)售狀況仍保守，但由于非三星陣營(yíng)的原廠(chǎng)仍處于3D-NAND Flash轉換陣痛期，及龍頭廠(chǎng)商持續以提升獲利為主要策略下，預估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合約價(jià)仍將持
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
GNU ARM匯編--(十九)u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)程分析
- 在理解bootloader后,花些時(shí)間重新學(xué)習了開(kāi)源軟件的makefile和相關(guān)腳本之后,自己的u-boot移植工作也比較順利的完成了:移植
- 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
GNU ARM匯編--(十八)u-boot-采用nand_spl方式的啟動(dòng)方法
- 在《GNUARM匯編--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解讀》中分析完u-boot-201207的makefile以及mkconfig腳本后,發(fā)現一個(gè)現象:在
- 關(guān)鍵字： ARM匯編u-boot啟動(dòng)方
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)相關(guān)帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473