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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
新世代內存陸續小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉換，良率仍不穩定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。 三星在2
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
機構:DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì )開(kāi)始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì )在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著(zhù) NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠(chǎng)商大量投入生產(chǎn)的結果，在產(chǎn)能陸續開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢，開(kāi)始出現下跌的情況。 Gart
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
乘上存儲芯片漲價(jià)潮 美光Q2業(yè)績(jì)超預期
- 北京時(shí)間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價(jià)格上升，美光科技預計當前季度的營(yíng)收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價(jià)在周四盤(pán)后交易中大漲9.4%。 由于各大企業(yè)都在爭相開(kāi)發(fā)體積更小、效率更高的芯片，引發(fā)了供應瓶頸，但與此同時(shí)，智能手機、人工智能、無(wú)人駕駛汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)的數據存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經(jīng)歷分析師所謂的“超級周期”。 美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價(jià)21%，此前一個(gè)季度已
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
三星 3D NAND 快閃存儲器新廠(chǎng)上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠(chǎng)施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠(chǎng)于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠(chǎng)，為三星史上最大單一產(chǎn)線(xiàn)投資項目。據三星表示，新廠(chǎng)第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠(chǎng)主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統硬盤(pán)，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。 市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
長(cháng)江存儲3D閃存各項指標已達預期 2019年全速量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話(huà)語(yǔ)權，甚至連收購、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長(cháng)江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠(chǎng)的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會(huì )在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長(cháng)江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 NAND
手機廠(chǎng)家紛紛漲價(jià)全是因為它
- 3月1日，樂(lè )視宣布，對旗下樂(lè )Pro 3進(jìn)行價(jià)格調整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價(jià)措施……手機廠(chǎng)家紛紛執行漲價(jià)措施，往常都想用低價(jià)策略吸引用戶(hù)的廠(chǎng)家們這次都是因為什么呢? 有沒(méi)有朋友發(fā)現目前市場(chǎng)上的閃存類(lèi)產(chǎn)品價(jià)格在悄悄增長(cháng)，包括我們熟悉的U盤(pán)、內存、硬盤(pán)類(lèi)產(chǎn)品，這些產(chǎn)品和近期紛紛宣布漲價(jià)的手機是否有什么關(guān)系呢? 關(guān)鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說(shuō)的“閃存”，而這類(lèi)器件由于目前生產(chǎn)減少，出現了供不應求的狀況，導致其價(jià)格上漲，最終
- 關(guān)鍵字： Nand 內存
DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭都爭啥？
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器，最為常見(jiàn)的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時(shí)間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒(méi)有被刷新，存儲的信息就會(huì )丟失。 (關(guān)機就會(huì )丟失數據) 工作原理 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來(lái)組成的?！ ?nbsp;
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
打破市場(chǎng)壟斷 國產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話(huà)語(yǔ)權，甚至連收購、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國產(chǎn)公司自立。紫光公司主導的長(cháng)江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠(chǎng)的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預計2020年會(huì )在技術(shù)趕超國際領(lǐng)先的閃存公司。 長(cháng)江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
- 關(guān)鍵字： NAND 東芝
三星穩居全球NAND Flash龍頭地位 估供應吃緊整年
- 市調機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠(chǎng)商業(yè)績(jì)可望逐季攀高。 集邦科技調查，隨著(zhù)NAND Flash缺貨達到高峰，產(chǎn)品平均售價(jià)走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠(chǎng)獲利也攀上去年高峰。 集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠(chǎng);西部數據市占率17.7%，居第3大
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
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