存儲器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場(chǎng)以“匠心獨運，卓越創(chuàng )芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì )上，長(cháng)江存儲CEO楊士寧先生參會(huì )并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的戰略思考》的演講。在演講中，他對為什么選擇發(fā)展存儲、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰等問(wèn)題，作了深刻的分析。

　　為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)

　　在詳細介紹為什么中國要發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對存儲產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據他的說(shuō)法，在全球的半導體存儲產(chǎn)品中，NAND 和 DRAM的產(chǎn)值占全球存儲總額的95%。

　　而隨著(zhù)云計算、大數據、物聯(lián)網(wǎng)等應用的發(fā)展，未來(lái)NAND的需求會(huì )持續增加，這就意味在可見(jiàn)的未來(lái)里，存儲產(chǎn)品的需求量的大增，會(huì )帶來(lái)龐大的市場(chǎng)價(jià)值。

　　中國作為全球的制造基地，在存儲方面的消耗量是驚人的。根據數據統計，中國存儲器的消耗量占全球總消耗量的50%以上，但是當中能由國產(chǎn)廠(chǎng)商供應的存儲產(chǎn)品則是屈指可數。楊士寧表示，目前全球的存儲產(chǎn)品(包括DRAM和Flash)都是由幾家廠(chǎng)商承包，這個(gè)對于發(fā)展自主可控的中國信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)很大的挑戰。因此發(fā)展國產(chǎn)的存儲產(chǎn)業(yè)就被提上給了日程。

　　從另一方面看，存儲產(chǎn)業(yè)供應的高度集中，缺少強力的競爭對手，尤其是三星電子在DRAM和NAND上面的全球壟斷，讓很多終端廠(chǎng)商有了顧慮，不少的同行競爭者也是有了其他想法，這就促使具有龐大存儲消耗量的中國去發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)。

　　再加上國家推行集成電路發(fā)展綱領(lǐng)，成立國家大基金支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。于是存儲就成為了發(fā)展的重點(diǎn)。

　　就這樣，以發(fā)展國產(chǎn)存儲為目的的長(cháng)江存儲順勢成立。

　　為什么以3D NAND作為突破口

　　在選定而來(lái)聚焦存儲方向以后，接下來(lái)就要選擇合適的產(chǎn)品方向，尋求更好的突破。

　　楊士寧指出，選擇3D NAND作為突破口，是企業(yè)需求、外部機遇和市場(chǎng)動(dòng)力的吻合。這是個(gè)技術(shù)的問(wèn)題，更是個(gè)經(jīng)濟的問(wèn)題。

　　他在演講中表示，NAND和DRAM都是需要的存儲產(chǎn)品，但是考慮到DRAM有兩個(gè)增加難度：1.競爭對手有大量折舊完的產(chǎn)能，這樣的問(wèn)題也發(fā)展在2D NAND上;需求增長(cháng)相對緩慢，因此長(cháng)江存儲就選擇了增量巨大，且全球的廠(chǎng)商正在追逐的3D NAND產(chǎn)品作為突破口。

　　再加上看一下全球競爭對手的布局，與2D NAND和DRAM不一樣，前者是一個(gè)高度成熟的市場(chǎng)，且在那個(gè)維度沒(méi)有什么突破，競爭對手的深厚布局，讓長(cháng)江存儲沒(méi)有更多的機會(huì )。而3D NAND 相對來(lái)說(shuō)，則是一個(gè)很好的機遇。

　　會(huì )面臨什么樣的挑戰?

　　楊士寧指出，我們要明確一點(diǎn)，由于對高學(xué)歷人才和高端設備的需求，IC制造是一個(gè)耗資巨大的產(chǎn)業(yè)，這是需要面臨的第一個(gè)挑戰。

　　其次，從存儲產(chǎn)品的的發(fā)展來(lái)看，在未來(lái)的發(fā)展也要面臨多方面的挑戰。

　　其中包括了制程，cell架構，集成度、可靠性、陣列架構和芯片設計等多方面的挑戰，尤其是對于基礎懦弱的中國來(lái)說(shuō)，挑戰更是巨大。

　　怎樣才能成功

　　在找準了方向，認識到了和國外競爭對手的差距，知道了技術(shù)的挑戰所在之后，長(cháng)江存儲的下一步就是如何發(fā)揮自己的優(yōu)勢，取長(cháng)補短，收獲成功了。

　　楊士寧指出，要成功必須要做到這三點(diǎn)，那就是找對人，砸對錢(qián)，做對事，這是長(cháng)江存儲堅持的做事準則。

　　從現狀看來(lái)，長(cháng)江存儲已經(jīng)取得了不錯的成果。

　　“長(cháng)江存儲的32層 3D NAND產(chǎn)品目前進(jìn)展順利，生產(chǎn)的產(chǎn)品指標都非常良好，并將會(huì )在2019年實(shí)現滿(mǎn)載產(chǎn)能，這對于長(cháng)江存儲是一個(gè)巨大的挑戰。”楊士寧說(shuō)。

　　對于未來(lái)的發(fā)展方向，楊士寧指出，未來(lái)3D NAND帶來(lái)的挑戰還是巨大的，但是長(cháng)江存儲不會(huì )簡(jiǎn)單跟隨業(yè)界的步伐發(fā)展，而是選擇通過(guò)跳躍式的發(fā)展，展望到2019年實(shí)現與世界前沿的半代技術(shù)差距，2020追上世界領(lǐng)先技術(shù)。