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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生,哪里有數據,哪里就會(huì )需要存儲芯片。而且隨著(zhù)大數據、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠(chǎng)商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠(chǎng)商帶動(dòng)數據中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠(chǎng)商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數據顯示,2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準中高階手機市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷(xiāo)副總Gino Skulick在接受EE Times專(zhuān)訪(fǎng)表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機市場(chǎng),此區塊市場(chǎng)占全球智能型手機總數的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
機器學(xué)習或能為延長(cháng)NAND壽命提供解決方案
- NAND在今日儲存市場(chǎng)中占有一席之地,而為了延長(cháng)NAND的使用壽命,近來(lái)有研究提出,透過(guò)機器學(xué)習(Machine Learning)的應用,可讓NAND的儲存容量、耐久性以及資料保存達到最佳化。 InformationWeek網(wǎng)站報導,近期數位資料儲存顧問(wèn)機構Coughlin Associates于快閃存儲器高峰會(huì )(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出,NAND因重覆讀寫(xiě)而使儲存單元劣化、致使耐用度降低的情況,將可望因機器學(xué)習的應用而改善,使其生命周期延長(cháng)。 一般來(lái)說(shuō)
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
中國NAND閃存市場(chǎng)占全球1/3
- 相對于舊式 HDD 硬盤(pán)的式微,NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤(pán)的發(fā)展就成了儲存市場(chǎng)的潮流風(fēng)向。不論是在移動(dòng)設備、個(gè)人電腦、或是數據中心等市場(chǎng)上都在快速成長(cháng)。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場(chǎng),而 SSD 固態(tài)硬盤(pán)也是成長(cháng)最快的市場(chǎng)。因此,也吸引了各家中國本土廠(chǎng)商的競相投入。 在NAND 閃存的市場(chǎng)部分,根據 TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示,中國市場(chǎng)消耗的 NAND 閃存越來(lái)越多,2017 年將占到全球市占率的 30% ,而到了 202
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
儲存技術(shù)不斷演進(jìn) NAND Flash僅是開(kāi)端
- 在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里,NAND Flash的普及速度算是極快,幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡,最主要原因就是速度。據TechTarget報導,NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲存裝置,后來(lái)供應商發(fā)現只要加入相對小量的快閃存儲器,便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎的儲存裝置也開(kāi)始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開(kāi)發(fā)的3D XPoint技術(shù),以及IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開(kāi)發(fā)的新型態(tài)儲存裝置,在速度、耐用性和重
- 關(guān)鍵字: NAND SSD
Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
美光科技推出適用于下一代智能手機的移動(dòng) 3D NAND 解決方案
- 美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動(dòng)設備的 3D NAND 存儲技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場(chǎng),這一細分市場(chǎng)大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著(zhù)移動(dòng)設備替代個(gè)人電腦成為消費者的主要計算設備,用戶(hù)行為對設備的移動(dòng)內存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題,實(shí)現了無(wú)與倫比的用戶(hù)體驗,包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
- 關(guān)鍵字: 美光 NAND
面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據韓國經(jīng)濟報導,大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長(cháng)率(CARG)47%的速度成長(cháng);清華紫光以新成立的長(cháng)江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權收購,成立長(cháng)江存儲科技有限責任公司,未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì )上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數據)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn),不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道,三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
東芝超車(chē)失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數據)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn),不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道,三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND,三星表示,目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND,可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn),成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk),因此滲透率大增,各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體),大搶市占率,除了比市
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的理解,并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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