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arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)
arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò) 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動(dòng)過(guò)技術(shù)社區
三星否認擴產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%
- 據韓國時(shí)報報導，三星電子于15日宣稱(chēng)“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會(huì )在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠(chǎng)12萬(wàn)片、Line 16廠(chǎng)接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠(chǎng)目前已接近產(chǎn)能全開(kāi)，且該公司還計劃把Line 16廠(chǎng)的部分2D NAND產(chǎn)能轉換為3D。 另外，三星也將善用Line
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
中國半導體成效驚人 包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能
- 中國砸銀彈扶植半導體進(jìn)度、成效驚人，國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能，預估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國。 據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠(chǎng)，當中有10座設在中國，其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產(chǎn)類(lèi)比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
NAND需求好轉 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷(xiāo)售也看好，業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠(chǎng)的產(chǎn)能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預估下半年營(yíng)運會(huì )比上半年好。 創(chuàng )見(jiàn)預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠(chǎng)資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(cháng)陳立白日
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來(lái)?…，等等，問(wèn)了那么多為什么，那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉 在 NAND 閃存是通過(guò)對存儲單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著(zhù)數據值。當讀取的時(shí)候，通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對比來(lái)獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Nand 燒錄
2016年第一季NAND品牌營(yíng)收排行榜
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷(xiāo)售單價(jià)下滑幅度明顯高于位元出貨量成長(cháng)的情況下，第一季NAND Flash品牌商營(yíng)收較去年第四季下滑2.9%，已連續兩個(gè)季衰退。 2016年第一季全球NAND Flash市況持續受供過(guò)于求影響，通路顆粒合約價(jià)下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶(hù)級固態(tài)硬碟(SSD)跌價(jià)幅度擴大至13~18%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾
下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì )非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng )歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后，針對今年NAND Fl
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應鏈來(lái)勢洶洶，外界原本認為，陸廠(chǎng)要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過(guò)有分析師預測，陸廠(chǎng)研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱(chēng)，中國透過(guò)Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
- 關(guān)鍵字： 新芯 NAND
DRAM和NAND技術(shù)助三星占據市場(chǎng)主導地位
- 全球大部分半導體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場(chǎng)份額，甚至可能提高營(yíng)收。這將使三星在逆境中表現優(yōu)于多數同業(yè)。 全球個(gè)人電腦(PC)銷(xiāo)量下降，以及智能手機增長(cháng)放緩，讓半導體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬(wàn)。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營(yíng)業(yè)利潤下降65%，這是其三年來(lái)的最差業(yè)績(jì)。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場(chǎng)廣泛預計三星芯片獲利將會(huì )下降，一些分析師預測1-
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
TrendForce：2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展，成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng)，及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片，相較于2015年增長(cháng)近7倍。 TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%，其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
- 關(guān)鍵字： Flash NAND
蘋(píng)果采用三星NAND閃存顆粒+AMOLED屏幕
- 蘋(píng)果已經(jīng)秘密與三星談下合作，在iPhone上采用三星的NAND閃存芯片。時(shí)隔5年，蘋(píng)果再一次采用了三星的NAND flash。先前也有消息指出iPhone將會(huì )采用AMOLED屏幕。 先前蘋(píng)果不用三星閃存，是因為三星希望在閃存顆粒封裝上采用特殊圖層的方式來(lái)做電池干擾屏蔽，但是三星并不愿意做。如今臺灣供應商發(fā)出了噴涂圖層工藝，三星有望使用這個(gè)技術(shù)，來(lái)讓閃存顆粒滿(mǎn)足蘋(píng)果的EMI屏蔽標準。又因為這一工藝較為廉價(jià)，所以三星比較重視。 使用三星NAND閃存顆粒+AMOLED
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 NAND
傳三星邀協(xié)力廠(chǎng)研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準蘋(píng)果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋(píng)果(Apple)供應NAND Flash存儲器，過(guò)去4年來(lái)三星電子與蘋(píng)果的NAND Flash交易中斷。 據韓媒ET News報導，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點(diǎn)膠機(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠(chǎng)積極打進(jìn)蘋(píng)果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫(huà)提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導，蘋(píng)果從2012年iPhone 5推出開(kāi)始，就沒(méi)有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋(píng)果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著(zhù)手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對手。 據韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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