ARM攜手臺積電打造多核10納米FinFET測試芯片 推動(dòng)前沿移動(dòng)計算未來(lái)

　　ARM今日發(fā)布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術(shù)的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。

　　此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶(hù)采用臺積電最先進(jìn)的FinFET 工藝完成設計定案。此外，SoC 設計人員還能利用基礎 IP模塊 (包括標準組件庫、嵌入式內存及標準 I/O) 開(kāi)發(fā)最具競技爭力的 SoC，以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

　　ARM執行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)部總裁Pete Hutton表示：“高級移動(dòng)應用 SoC 設計的首項指導原則就是能效，因為現今市場(chǎng)對設備性能的要求越來(lái)越高。臺積電的 16納米FFLL+ 工藝與 ARM Cortex? 處理器奠定了能效的新標準。我們與臺積電在10納米FinFET工藝技術(shù)上的合作，可確保在SoC層面上的效率，使我們的芯片合作伙伴在維持嚴苛的功耗標準的同時(shí)能夠有更大空間實(shí)現創(chuàng )新?！?/p>

　　臺積電研發(fā)副總裁侯永清表示：“通過(guò)與ARM 合作，使我們在工藝和IP 的生態(tài)系統上能快速進(jìn)展，并加速客戶(hù)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期。通力協(xié)作，我們正在定義能夠持續促進(jìn)移動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展的處理器技術(shù)。最新的成果就是結合 ARM 處理器與臺積電10納米FinFET 技術(shù)，為各種尖端移動(dòng)和消費電子產(chǎn)品的終端用戶(hù)帶來(lái)嶄新體驗?！?/p>

　　此款最新的測試芯片是 ARM 與臺積電長(cháng)期致力于先進(jìn)工藝技術(shù)的成果，基于 2014 年 10 月宣布的首次 10納米FinFET 技術(shù)合作。ARM與臺積電共同的IC設計客戶(hù)也獲益于早期獲得 ARM Artisan? 物理 IP 與ARM Cortex-A72 處理器的 16納米 FinFET+ 設計定案，此款高效能處理器已被當今多款市場(chǎng)主要和暢銷(xiāo)計算設備采用。