針對高性能計算7納米 FinFET工藝，ARM與臺積電簽訂長(cháng)期戰略合作協(xié)議

       ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術(shù)的長(cháng)期戰略合作協(xié)議，涵蓋了未來(lái)低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協(xié)議進(jìn)一步擴展了雙方的長(cháng)期合作關(guān)系，并將領(lǐng)先的工藝技術(shù)從移動(dòng)手機延伸至下一代網(wǎng)絡(luò )和數據中心。此外，該協(xié)議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術(shù)合作。

　　ARM全球執行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)群總裁 Pete Hutton表示：“現有基于A(yíng)RM的平臺已展現提升高達10倍運算密度的能力，用以支持特定數據中心的工作負載。未來(lái)的ARM技術(shù)將適用于數據中心和網(wǎng)絡(luò )基礎設施，并針對臺積電7納米 FinFET進(jìn)行優(yōu)化，從而幫助我們共同的客戶(hù)將行業(yè)最低功耗的架構應用于不同性能要求的領(lǐng)域?！?/p>

　　臺積電研究發(fā)展副總經(jīng)理侯永清表示：“臺積電不斷投資先進(jìn)的工藝技術(shù)，致力于幫助我們的客戶(hù)取得成功。憑借7納米 FinFET，我們的工藝和生態(tài)系統解決方案已從移動(dòng)手機拓展至高性能計算。得益于臺積電行業(yè)領(lǐng)先的7納米 FinFET工藝，客戶(hù)在設計下一代高性能計算芯片時(shí)，相比10納米 FinFET工藝節點(diǎn)，能在相同功耗獲得更好性能表現，或者在相同性能表現的情況下，實(shí)現更低功耗。聯(lián)合優(yōu)化的ARM和臺積電的解決方案有助于我們客戶(hù)推出顛覆性產(chǎn)品，并率先面向市場(chǎng)?！?/p>

　　最新的合作協(xié)議基于A(yíng)RM和臺積電此前在16納米 FinFET和10納米 FinFET工藝上取得的成功。臺積電和ARM此前合作所取得的聯(lián)合創(chuàng )新，使客戶(hù)得以從最前沿的工藝技術(shù)和IP中獲益，以加快產(chǎn)品研發(fā)周期。例如，盡早獲取Artisan物理IP、以及試產(chǎn)16納米 FinFET 和 10納米 FinFET的ARM Cortex?-A72處理器。