臺積備戰3nm全靠極紫外光（EUV）微影設備

　　極紫外光(EUV)微影設備無(wú)疑是半導體制程推向3nm的重大利器。這項每臺要價(jià)高達逾近億美元的尖端設備，由荷商ASML獨家生產(chǎn)供應，目前主要買(mǎi)家全球僅臺積電、三星、英特爾及格羅方德等大廠(chǎng)為主。

　　EUV設備賣(mài)價(jià)極高，原因是開(kāi)發(fā)成本高，因此早期A(yíng)SML為了分攤開(kāi)發(fā)風(fēng)險，還特別邀請臺積電、三星和英特爾三大廠(chǎng)入股，但隨著(zhù)開(kāi)發(fā)完成，臺積電后來(lái)全數出脫艾司摩爾股票，也獲利豐碩。

　　有別于過(guò)去半導體采用浸潤式曝光機，是在光源與晶圓中間加入水的原理，使波長(cháng)縮短到193/132nm的微影技術(shù)，EUV微影設備是利用波長(cháng)極短的紫外線(xiàn)，在硅晶圓上刻出更微細的電路圖案。

　　ASML目前EUV年產(chǎn)能為12臺，預定明年擴增至24臺。該公司宣布2017年的訂單已全數到手，且連同先前一、二臺產(chǎn)品，已出貨超過(guò)20臺;2018年的訂單也陸續到手，推升ASML第2季營(yíng)收達到21億歐元單季新高，季增21%，每股純益1.08歐元，股價(jià)也寫(xiě)下歷史新高。

　　因設備昂貴，且多應用在7nm以下制程，因此目前有能力采購者，以三星、臺積電、英特爾和格羅方德為主要買(mǎi)家。三星目前也是最大買(mǎi)主，估計采購逾十臺，將裝設于南韓華城的18號生產(chǎn)線(xiàn)(Line18)全力搶占晶圓代工版圖。

　　由于極紫外光可大幅降低晶圓制造的光罩數，縮短芯片制程流程，是晶圓制造邁入更先進(jìn)的利器。

　　在三星決定7nm率先導入EUV后，讓EUV輸出率獲得快速提升，臺積電決定在7nm強化版提供客戶(hù)設計定案，5nm才決定全數導入。