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應用材料公司推出全新Ioniq? PVD系統助力解決二維微縮下布線(xiàn)電阻難題

應用材料公司宣布推出一種全新系統，可改進(jìn)晶體管布線(xiàn)沉積工藝，從而大幅降低電阻，突破了芯片在性能提升和功率降低兩方面所面臨的重大瓶頸。芯片制造商正在利用光刻領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)將芯片制程縮小至3納米及以下節點(diǎn)。但隨著(zhù)互連線(xiàn)變細，電阻呈現指數級上升，這不僅降低了芯片性能，還增大了功耗。如果該問(wèn)題無(wú)法得到解決，更為先進(jìn)的晶體管帶來(lái)的益處將被指數級上升的布線(xiàn)電阻完全抵消。芯片布線(xiàn)一般指沉積金屬在介電材料上被刻蝕出的溝槽和通孔內的過(guò)程。在傳統工藝中，布線(xiàn)沉積使用的金屬疊層通常由以下幾部分構成：阻擋層用于防止金屬與介電材料
關(guān)鍵字： PVD 布線(xiàn)

由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點(diǎn)，ALD（原子層淀積）技術(shù)早從21世紀初即開(kāi)始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術(shù)，但近來(lái)ALD在其它半導體工藝領(lǐng)域也已發(fā)展出愈來(lái)愈廣泛的應用。
關(guān)鍵字： ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD

　　應用材料公司日前宣布，推出新的物理氣相沉積(PVD)和電漿強化化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)，促使超高畫(huà)質(zhì)(UHD)電視及高畫(huà)素密度屏幕的行動(dòng)裝置邁向新紀元。　　這項重大轉型技術(shù)的關(guān)鍵是新的金屬氧化物與低溫多晶硅(LTPS)材料，可用來(lái)制造更快速、更小巧的薄膜晶體管(TFT)，適用于液晶顯示器(LCD)和有機發(fā)光二極管(OLED)技術(shù)。Applied AKT-PiVot物理氣相沉積和Applied AKT-PX電漿強化化學(xué)氣相沉積薄膜沉積系統為面板業(yè)者提供高效能、符合成本效益的途徑，帶動(dòng)先進(jìn)材料的
關(guān)鍵字：應用材料電視 PVD

　　02專(zhuān)項的實(shí)施，對國內半導體材料企業(yè)尤其是設備企業(yè)來(lái)說(shuō)，具有歷史性的意義，因為半導體設備的研發(fā)所需資金數額巨大，若完全由國內企業(yè)自己承擔，恐怕難以承受其重。02重大專(zhuān)項的實(shí)施，不僅表明國家支持半導體支撐業(yè)的決心，而且在資金上更是給了國內企業(yè)“真金白銀”的支持。　
關(guān)鍵字： IC PVD

　　道康寧公司今天宣布擴展其道康寧® 品牌的表面耐污涂料產(chǎn)品系列。新系列包含道康寧® 2634P產(chǎn)品，呈無(wú)溶劑球狀，其可通過(guò)物理氣相沉積 (PVD) 的方式來(lái)使用。　　經(jīng)常受到觸摸的表面很容易受到污染，包括難以清除的指印、皮膚油脂、汗液、污垢和化妝品等。道康寧® 品牌的表面耐污涂料可運用于許多底材，包括玻璃、塑料、金屬和膜類(lèi)，其設計目的是減少指印及其他污垢的附著(zhù)，同時(shí)為要求嚴苛的高頻度接觸面的電子產(chǎn)品，例如便攜式電子設備和便攜式電腦顯示屏等，提供長(cháng)期的、易于清潔的性能和極佳的耐
關(guān)鍵字：道康寧 PVD 涂料

　　半導體產(chǎn)業(yè)的低谷擋不住技術(shù)前進(jìn)的腳步。近期兩大設備廠(chǎng)商Applied Materials和Novellus相繼推出了新型PVD機臺，目標均鎖定為32nm及更小的技術(shù)節點(diǎn)。　　5月28日，設備巨頭Novellus宣布開(kāi)發(fā)出HCM(中空陰極磁電管)PVD技術(shù)，稱(chēng)為IONX XL。該機臺可滿(mǎn)足3Xnm技術(shù)節點(diǎn)的薄阻擋層淀積，主要的服務(wù)對象為存儲器制造廠(chǎng)商。由于在3Xnm節點(diǎn)，存儲器的CD相比邏輯器件要小30%，存儲器的銅互連中將更多的采用高深寬比的結構，這為阻擋層和晶籽層的臺階覆蓋性帶來(lái)了挑戰。　　
關(guān)鍵字： Novellus 半導體 PVD 32nm

　　近日，應用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理氣相沉積）系統，這是業(yè)界唯一在亞55納米存儲芯片銅互聯(lián)的關(guān)鍵阻擋層薄膜沉積工藝中具有量產(chǎn)價(jià)值的系統。Extensa系統獨特的Ti/TiN工藝技術(shù)使擴散阻擋薄膜具有高水準的階梯覆蓋率，整塊硅片上薄膜厚度的不均勻性<3%。同其他同級別競爭對手的系統相比，它具有最少的缺陷和更低的耗材成本。　　應用材料公司副總裁兼金屬沉積產(chǎn)品部總經(jīng)理Prabu Raja表示：“由于存儲單元的高電壓和高
關(guān)鍵字：應用材料 PVD 存儲芯片 Extensa

　　英特爾曾試圖向自動(dòng)測試設備(ATE)領(lǐng)域引入“標準平臺”或架構?，F在，該公司暗中希望把類(lèi)似的有爭議概念用于CVD、蝕刻、PVD和其它前端芯片廠(chǎng)設備。這個(gè)概念可能會(huì )引起關(guān)注，并可能改變芯片廠(chǎng)設備產(chǎn)業(yè)的趨勢。如果廣為流行，它也可能困擾各種芯片廠(chǎng)設備供應商。　　目前，半導體制造設備生產(chǎn)商開(kāi)發(fā)設備，其中包括平臺、工藝模塊和配套軟件。英特爾希望在其各個(gè)工廠(chǎng)中擁有一種通用和標準的“真空處理平臺”，這可能在業(yè)內引起震動(dòng)。按英特爾的設想，芯片制造設備供應商只需為這個(gè)通用平臺設計和提供各種即插即用的處理模塊。　
關(guān)鍵字：嵌入式系統單片機英特爾芯片 PVD 消費電子

　　據SEMI統計，2006年全球半導體產(chǎn)業(yè)、半導體設備業(yè)和半導體材料業(yè)的市場(chǎng)總額分別為2490億美元、410億美元和360億美元。2007年，全球半導體總產(chǎn)能將比2006年增加17%。從2000年到2007年，中國半導體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)總值增加了859%，增長(cháng)速度居全球首位，消費類(lèi)電子產(chǎn)品成為半導體市場(chǎng)主要的推動(dòng)力量。市場(chǎng)需求為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了歷史性的產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇與空間。但是，我們也應該看到，我國整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng )新能力、可持續發(fā)展能力和市場(chǎng)核心競爭力都亟待提高。從設計到制造到設備材料，特別是設備
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 半導體 IC PVD 模擬IC 電源

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