存儲大廠(chǎng)展示300層NAND Flash，預計最快2024年問(wèn)世

近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì )議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠(chǎng)SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。

外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/s傳輸速率的第七代3D NAND Flash高18%。更快輸入和輸出速度，有助PCIe 5.0×4或更高介面利用率。

SK海力士研發(fā)團隊稱(chēng)，第八代3D NAND Flash采用5項新技術(shù)。

首先，三重驗證程式（TPGM）功能可縮小單元閾值電壓分布，并將tPROG（編程時(shí)間）減少10%，轉化成更高性能。

其次，采用Adaptive Unselected String Pre-Charge(AUSP)技術(shù)，再將tPROG降低約2%。

第三，APR方案可將讀取時(shí)間降低約2%，并縮短字線(xiàn)上升時(shí)間。

第四，編程虛擬串（PDS）技術(shù)可藉由降低通道電容負載縮短tPROG和tR的界線(xiàn)穩定時(shí)間。

最后，平面級讀取重試（PLRR）功能，允許不終止其他平面下，更改平面的讀取等級，立即發(fā)出后續讀取命令，提高服務(wù)質(zhì)量(QoS)，提高讀取性能。

由于新產(chǎn)品還在開(kāi)發(fā)，SK海力士尚未透露量產(chǎn)時(shí)間。盡管如此，有分析師仍預估最早2024年有變化，最遲2025年出現。