有關(guān)三星 1.4 納米工藝，首批細節浮出水面
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三星是第一家在 2022 年中期推出依賴(lài)于環(huán)柵 (GAA) 納米片晶體管的工藝技術(shù)的公司，其 SF3E（也稱(chēng)為 3 納米級環(huán)柵耳，3GAE）。該公司使用該技術(shù)制造各種芯片，但據信該節點(diǎn)的使用僅限于微型芯片，例如用于加密貨幣挖掘的芯片。明年，三星 計劃 推出 SF3 技術(shù)，該技術(shù)有望被更廣泛的應用領(lǐng)域所采用。三星計劃在 2025 年推出其性能增強型 SF3P 技術(shù)，該技術(shù)專(zhuān)為數據中心 CPU 和 GPU 設計。
同樣在 2025 年，三星預計將推出 SF2（2nm 級）制造工藝，該工藝不僅依賴(lài) GAA 晶體管，還將采用背面功率傳輸，這在晶體管密度和功率傳輸方面帶來(lái)了巨大的好處， 也許在推出基于 GAA 的 SF3E 后三星生產(chǎn)節點(diǎn)的最大改革將發(fā)生在 2027 年，屆時(shí)三星的 SF1.4 技術(shù)將通過(guò)將納米片數量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)來(lái)獲得額外的納米片。
增加每個(gè)晶體管的納米片數量可以增強驅動(dòng)電流，從而提高性能。更多的納米片允許更多的電流流過(guò)晶體管，從而增強其開(kāi)關(guān)能力和運行速度。此外，更多的納米片可以更好地控制電流，這有助于減少漏電流，從而降低功耗。此外，改進(jìn)的電流控制還意味著(zhù)晶體管產(chǎn)生的熱量更少，從而提高了功率效率。
英特爾和臺積電都打算分別于 2024 年和 2025 年開(kāi)始使用 GAA 晶體管及其 20A 和 N2（2 納米級）工藝技術(shù)。當這些公司推出基于納米片的節點(diǎn)時(shí)，三星將在環(huán)柵晶體管方面擁有豐富的經(jīng)驗，這可能對代工廠(chǎng)有利。
來(lái)源：車(chē)匯
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