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聯(lián)電
聯(lián)電 文章 進(jìn)入聯(lián)電技術(shù)社區
聯(lián)電：暫不參與先進(jìn)制程競賽 專(zhuān)注提升28和14納米競爭力
- 晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競賽，專(zhuān)注提升28納米和14納米制程的競爭力。共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰指出，將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標，預估28納米對營(yíng)收貢獻可于三至四季內回到兩成水準。 聯(lián)電為晶圓雙雄之一，面臨國際半導體產(chǎn)業(yè)的激烈競爭和臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，仍積極布局短、中、長(cháng)期發(fā)展策略。簡(jiǎn)山杰指出，公司策略目標為創(chuàng )造獲利和擴大市占率，決定暫時(shí)不再追求先進(jìn)制程，避免折舊攤提持續處于高峰而影響獲利目標。 簡(jiǎn)山杰認為，無(wú)論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等，對于芯片需求仍相當巨大
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將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪
- 聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職，不只是員工個(gè)人被起訴，聯(lián)電也被臺中地檢署根據違反營(yíng)業(yè)秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營(yíng)業(yè)秘密”，因此視為共犯。 我們可以從三大層面來(lái)探討聯(lián)電和大陸合作開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一，臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個(gè)合作案當中，損失了什么?;第二，聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過(guò)程中，有無(wú)竊取美光技術(shù)?;第三，如果企業(yè)沒(méi)有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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聯(lián)電暫緩10、7納米制程 不追臺積電獲外資認同
- 晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰、王石掌舵近2個(gè)月，營(yíng)運轉為務(wù)實(shí)導向，不再追趕臺積電先進(jìn)制程，對外釋出10、7納米制程暫緩跟進(jìn)訊息，改走自己的路，預計靠現有制程提高投資獲利，贏(yíng)得外資法人認同。 隨著(zhù)蘋(píng)果的iPhone8將上市，由臺積電以10納米制程代工生產(chǎn)的A11處理器正大量出貨，加上非蘋(píng)陣營(yíng)也將紛紛推出新機種，臺積電預期第3季營(yíng)收將季增近16%，第4季可望強勁成長(cháng)。 明年整體營(yíng)運好轉 聯(lián)電在先進(jìn)制程已大為落后臺積電，新上任的共同總經(jīng)理檢視市場(chǎng)現實(shí)面，決定暫緩跟進(jìn)10、7納米制程，今
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臺媒:大陸DRAM突破技術(shù)障礙還得靠臺灣
- 據臺灣經(jīng)濟日報報道，大陸積極發(fā)展內存產(chǎn)業(yè)，但由于仍難突破三DRAM大廠(chǎng)的技術(shù)防線(xiàn)，在政策與時(shí)間壓力下，反而凸顯臺廠(chǎng)扮演關(guān)鍵少數的重要性，業(yè)界分析臺廠(chǎng)未來(lái)勢必成為大陸首要爭取合作的對象。 大陸的內存產(chǎn)業(yè)，目前形成紫光集團、合肥睿力及福建晉華等三大勢力，但在美光發(fā)動(dòng)司法調查，緊盯三大廠(chǎng)竊取專(zhuān)利和營(yíng)業(yè)秘密行為后，日前紫光已表態(tài)未來(lái)將朝自主研發(fā)前進(jìn)。 另合肥睿力由前華亞科副總劉大維主導的團隊，仍如火如荼進(jìn)行，并宣示明年要切入19nm生產(chǎn)DRAM;福建晉華則和聯(lián)電合作，委托聯(lián)電開(kāi)發(fā)DRAM相關(guān)制程技
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低中高端通吃！臺積電、聯(lián)電同步擴充28納米產(chǎn)能
- 臺積電和聯(lián)電同步擴充28納米產(chǎn)能。具體而言，臺積電增幅約二成，由于在此市場(chǎng)上擁有逾七成高市占及高制程成熟度，預料將是推升臺積電營(yíng)收和獲利的主力。 臺積電同時(shí)推出強效版的12納米ULP制程，協(xié)助主力客戶(hù)聯(lián)發(fā)科對戰高通的14納米，挽回市占率流失。 聯(lián)電配合南科廠(chǎng)28納米腳步擴充完成，并成功量產(chǎn)14納米產(chǎn)品后，本季也啟動(dòng)廈門(mén)子公司聯(lián)芯的28納米先進(jìn)制程量產(chǎn)計劃，目標則是大陸快速成長(cháng)的中低端手機芯片市場(chǎng)。 臺積電供應鏈表示，臺積電沖先進(jìn)制程幾乎是火力全開(kāi)，其中10納米已為蘋(píng)果A11處理器試產(chǎn)
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聯(lián)電、臺積電搶進(jìn)高端制程 中芯、華力微進(jìn)展落后
- 臺灣12吋廠(chǎng)火速卡位大陸先進(jìn)制程的空缺，近期傳出聯(lián)電廈門(mén)12吋晶圓廠(chǎng)(聯(lián)芯)一箭雙雕，先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單，且近期28納米移轉到廈門(mén)12吋廠(chǎng)后，此兩大IC設計大客戶(hù)也會(huì )陸續轉進(jìn)28納米生產(chǎn)，與臺積電聯(lián)手在大陸筑起先進(jìn)制程高墻，防堵中芯國際、華力微電子的28納米崛起! 大陸本土晶圓廠(chǎng)中芯國際、華力微電子等猛攻28納米先進(jìn)制程，但進(jìn)展卻持續落后，反而是臺積電、聯(lián)電近期聯(lián)手下了一盤(pán)好棋，前者用16納米FinFET卡位大陸最先進(jìn)的技術(shù)地盤(pán)，后者以28納米技術(shù)補上大陸最缺的制程世代，透過(guò)
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聯(lián)電與新思科技拓展合作 加速14納米制程定制化設計
- 日前，才宣布14納米制程進(jìn)入客戶(hù)芯片量產(chǎn)階段的晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電，14日再與新思科技(Synopsys)共同宣布，雙方將拓展合作關(guān)系，將Synopsys的Custom Compiler和Laker定制化設計工具，應用于聯(lián)電的14納米FinFET制程上，用以縮短定制化的設計工作。 聯(lián)電表示，雙方的此項合作，是為了建立和驗證，用于聯(lián)電14納米制程的業(yè)界標準iPDK，并全面支持Custom Compiler，以提供視覺(jué)輔助方案于布局流程。就由此突破性的功能，可縮短客戶(hù)于布局和連接FinFET元件所需的時(shí)程
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沖刺先進(jìn)制程 臺積電/聯(lián)電瘋狂招募新血
- 晶圓雙雄臺積電和聯(lián)電沖刺先進(jìn)制程，今年不約而同都同步將對外招募近2，000位新血，分別沖刺中科和南科廠(chǎng)產(chǎn)能，成為半導體大舉招才二大指標廠(chǎng)。臺積電并預告未來(lái)二年，因應5納米進(jìn)入技術(shù)發(fā)展，仍會(huì )持續擴大征才。 臺積電近幾年不論在研發(fā)和投資都居臺廠(chǎng)之冠。該公司去年增加近2，000位員工，是半導體廠(chǎng)中增加員工人數最多的公司。 臺積電表示，今年公司在臺招募人數仍會(huì )達1，500~2，000人，但主要會(huì )集中在中科，因應10納米放量生產(chǎn)以及7納米進(jìn)行試產(chǎn)。 臺積電今年相對南科對外招募人數相繼減少，
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沖刺先進(jìn)制程 臺積電/聯(lián)電瘋狂招募新血
- 晶圓雙雄臺積電和聯(lián)電沖刺先進(jìn)制程，今年不約而同都同步將對外招募近2，000位新血，分別沖刺中科和南科廠(chǎng)產(chǎn)能，成為半導體大舉招才二大指標廠(chǎng)。臺積電并預告未來(lái)二年，因應5納米進(jìn)入技術(shù)發(fā)展，仍會(huì )持續擴大征才。 臺積電近幾年不論在研發(fā)和投資都居臺廠(chǎng)之冠。該公司去年增加近2，000位員工，是半導體廠(chǎng)中增加員工人數最多的公司。 臺積電表示，今年公司在臺招募人數仍會(huì )達1，500~2，000人，但主要會(huì )集中在中科，因應10納米放量生產(chǎn)以及7納米進(jìn)行試產(chǎn)。 臺積電今年相對南科對外招募人數相繼減少，
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中芯國際逼近聯(lián)電 大陸半導體制造再上一步
- 據最新統計的數據顯示，中國在全球半導體制造市場(chǎng)的份額比例進(jìn)一步上升，其中作為中國大陸最大半導體制造代工廠(chǎng)的中芯國際在全球前四大半導體制造廠(chǎng)中增速最快，與中國臺灣的聯(lián)電進(jìn)一步縮短了差距。 目前全球前四大代工廠(chǎng)分別是臺積電、GF、聯(lián)電和中芯國際。臺積電憑借著(zhù)領(lǐng)先優(yōu)勢正在進(jìn)一步拉開(kāi)差距，2016年其在半導體代工市場(chǎng)的份額進(jìn)一步抬升到59%，老大地位無(wú)可動(dòng)搖。 GF在經(jīng)過(guò)幾年的停滯后，去年罕有的取得了10%的營(yíng)收增長(cháng)，因它從三星購買(mǎi)來(lái)14nm FinFET工藝，贏(yíng)回了部分AMD的訂單，市場(chǎng)份額
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聯(lián)電14納米拚量產(chǎn)首家客戶(hù)BitFury 為廈門(mén)廠(chǎng)28納米鋪路
- 臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)高階制程戰火趨烈，聯(lián)電亦傳出14納米FinFET制程力拚2017年第2季小量出貨，但搶下頭香的并非是移動(dòng)通訊客戶(hù)，而是比特幣礦機制造商BitFury，由于聯(lián)電亟需14納米量產(chǎn)記錄，以突破政府對于先進(jìn)制程N-1世代登陸的限制，內部目標是2017年中讓廈門(mén)12吋廠(chǎng)進(jìn)入28納米生產(chǎn)，BitFury訂單量雖不大，但對于聯(lián)電而言將是雪中送炭。 聯(lián)電規劃廈門(mén)12吋廠(chǎng)時(shí)，對外公布是從40/55納米制程切入，但當時(shí)設備商就傳出聯(lián)電采購
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聯(lián)電宣布與APM合作 進(jìn)軍MEMS市場(chǎng)
- 聯(lián)電(2303)今與專(zhuān)業(yè)MEMS晶圓代工廠(chǎng)亞太優(yōu)勢微系統(APM)共同宣布建立合作關(guān)系，為雙方客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的MEMS生產(chǎn)服務(wù)。聯(lián)電將運用本身8寸和12寸晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)能力，結合APM的6寸晶圓廠(chǎng)及其豐富的MEMS專(zhuān)業(yè)知識和原型開(kāi)發(fā)經(jīng)驗，為晶片設計人員提供高靈活度、高擴充性的端對端MEMS生產(chǎn)解決方案。 聯(lián)電企業(yè)行銷(xiāo)處資深副總簡(jiǎn)山杰表示，聯(lián)電在生產(chǎn)MEMS產(chǎn)品方面頗具成就，產(chǎn)品廣泛運用于麥克風(fēng)、加速度計和環(huán)境感測器。與APM建立合作關(guān)系后，即能擴大服務(wù)MEMS的潛在市場(chǎng)，以滿(mǎn)足蓬勃發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域為
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臺積電聯(lián)電半導體展同場(chǎng)談未來(lái)策略
- 國際半導體展即將于9月7日登場(chǎng)，兩大晶圓代工廠(chǎng)臺積電與聯(lián)電執行長(cháng)劉德音及顏博文將共同出席CEO高峰論壇，探討未來(lái)的策略。 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)主辦的半導體產(chǎn)業(yè)年度盛事國際半導體展，將于9月7日至9日在中國臺北南港展覽館舉行。 SEMI指出，將有700家廠(chǎng)商參展，展出攤位超過(guò)1600個(gè)，預計將吸引超過(guò)4.3萬(wàn)人次參觀(guān)。 國際半導體展今年共規劃16大專(zhuān)門(mén)展區，其中，包括8大熱門(mén)主題展區，分別為自動(dòng)光學(xué)檢測、化學(xué)機械研磨、高科技廠(chǎng)房設施、材料、精密機械、二手設備、智能制造、以及工
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聯(lián)電0.18微米新制程方案通過(guò)認證 加速進(jìn)入汽車(chē)電子市場(chǎng)
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電1日宣布，其0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術(shù)平臺，已通過(guò)業(yè)界最嚴格的AEC-Q100Grade-0車(chē)用電子矽芯片驗證。未來(lái)，對于聯(lián)電加緊腳步介入汽車(chē)電自市場(chǎng)領(lǐng)域，將有重大的影響。 根據聯(lián)電發(fā)出的新聞稿指出，0.18微米雙極-互補-擴散金氧半導體BipolarCMOSDMOS(BCD)制程技術(shù)平臺，包含符合車(chē)用標準的FDK及矽智財解決方案，可用于車(chē)用電子之應用芯片如電源管理芯片進(jìn)行量產(chǎn)。成功通過(guò)車(chē)規驗證之制程方案后，聯(lián)華電子所制造
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繼臺積電后，聯(lián)電技術(shù)支持福建晉華12吋廠(chǎng)7月16日動(dòng)土
- 國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇暨福建省晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)項目開(kāi)工儀式即將于7月16日正式舉行。這是繼臺積電南京廠(chǎng)奠基后，又一座結合臺灣半導體制造能力與大陸市場(chǎng)和資金的 12 吋晶圓代工廠(chǎng)動(dòng)土。 5月13日，聯(lián)電宣布與中國福建省政府投資的晉華集成簽訂技術(shù)合作協(xié)定，聯(lián)電接受晉華委托開(kāi)發(fā) DRAM 相關(guān)制程技術(shù)，技術(shù)主要應用在利基型 DRAM 的生產(chǎn)，由晉華提供設備與資金，并支付聯(lián)電技術(shù)報酬金做為開(kāi)發(fā)費用，而最終開(kāi)發(fā)成果由雙方共同擁有。 聯(lián)電已經(jīng)在南科廠(chǎng)組建超過(guò)100人的團隊，投入 DRAM
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聯(lián)電介紹
臺灣聯(lián)電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠(chǎng),包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據"經(jīng)濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專(zhuān)利大戶(hù)"名單,以申請件數排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專(zhuān)利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細 ]
聯(lián)電專(zhuān)欄文章
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