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聯(lián)電
聯(lián)電 文章 進(jìn)入聯(lián)電技術(shù)社區
聯(lián)電Q3營(yíng)收季增4.7% 世界季增4.36% 皆?xún)?yōu)預期
- 聯(lián)電、世界9日公告9月業(yè)績(jì)數據，隨出貨減少、客戶(hù)庫存調整等，聯(lián)電單月?tīng)I收減1.34%、世界減5%，但二者單季營(yíng)收分別季增4.7%、4.36%皆?xún)?yōu)預期。 聯(lián)電公布內部自行結算9月合并營(yíng)收為新臺幣108.51億元，月減1.34%，但較去年同期仍增加14.68%。 世界先進(jìn)公布9月?tīng)I收17.84億元，受晶圓出貨量下滑，月減少5.32%，為近5個(gè)月以來(lái)低點(diǎn)，但年增21.74%。 另一方面，二者單季營(yíng)收表現優(yōu)于原先預期，累計聯(lián)電第3季合并營(yíng)收344.06億元，隨Wi-Fi與特殊制程應用需求支撐
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聯(lián)電：28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。聯(lián)電對此不評論，表示28奈米進(jìn)展如預期，今年底將貢獻1%至3%業(yè)績(jì)。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下，股價(jià)表現強勁，今天盤(pán)中一度達新臺幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達5.95%，并創(chuàng )1個(gè)多月來(lái)新高價(jià)。 聯(lián)電表示，不評論市場(chǎng)傳言，28nm制程進(jìn)展符合預期。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文于8月法人說(shuō)明會(huì )中即曾預期，今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績(jì);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準
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聯(lián)電：28nm年底占1%至3%
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電傳出28nm制程良率已突破7成，獲聯(lián)發(fā)科擴大下單。聯(lián)電對此不評論，表示28奈米進(jìn)展如預期，今年底將貢獻1%至3%業(yè)績(jì)。 聯(lián)電近日在28nm制程良率提升獲重大突破利多激勵下，股價(jià)表現強勁，今天盤(pán)中一度達新臺幣13.35元，上漲0.75元，漲幅達5.95%，并創(chuàng )1個(gè)多月來(lái)新高價(jià)。 聯(lián)電表示，不評論市場(chǎng)傳言，28nm制程進(jìn)展符合預期。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文于8月法人說(shuō)明會(huì )中即曾預期，今年底28奈米制程將貢獻1%至3%業(yè)績(jì);40奈米以下先進(jìn)制程比重第3季可望逼近2成水準。
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聯(lián)電重申28nm貢獻比 內外資高低目標價(jià)差達8元
- 聯(lián)電24日重申早先法說(shuō)會(huì )釋出的28奈米在今年底營(yíng)收貢獻目標為個(gè)位數百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價(jià)的報告，而內資法人出具的最新報告則從中立轉買(mǎi)進(jìn)、喊出調高目標價(jià)至18元，也是內資近1年半來(lái)的最高價(jià)，并使內外機構的高低價(jià)差達到了8元。 市場(chǎng)傳出，聯(lián)電因28nm制程良率顯著(zhù)提高至7成以上、再獲得聯(lián)發(fā)科訂單，聯(lián)電不評論單一客戶(hù)。聯(lián)電今天重申28nm部分按進(jìn)度，維持早先法說(shuō)會(huì )釋出，預估對今年底營(yíng)收貢獻低個(gè)位數百分比1-3%。 內資法人指出，據最新訪(fǎng)查基于3理由喊買(mǎi)聯(lián)電：(1)28nm制程良率顯著(zhù)
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聯(lián)電可獲優(yōu)惠通關(guān)待遇
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電23日宣布，日前已通過(guò)財政部關(guān)務(wù)署AEO(Authorized Economic Operator，優(yōu)質(zhì)企業(yè))中心審查，并正式取得AEO認證資格，成為國內第一家通過(guò)此認證的晶圓專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)。 聯(lián)電指出，除積極響應海關(guān)推動(dòng)的AEO政策，也致力于貨物整體物流供應鏈安全。將在取得AEO認證資格之后，可獲得海關(guān)提供之最優(yōu)惠通關(guān)待遇，加速貨物流通速度。 聯(lián)電副總廖木良表示，身為國際化的半導體晶圓廠(chǎng)，有監于對全球反恐趨勢及維護貨物安全等議題的重視，聯(lián)電致力于導入AEO制度，并建立供應鏈安全
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德意志估聯(lián)電8月起營(yíng)收走滑 Q3約僅季增3%
- 在臺積電(2330)7月?tīng)I收下滑之下，聯(lián)電(2303)7月?tīng)I收則繳出月增7.4%、來(lái)到115.58億元，年增11.59%，登上今年以來(lái)單月新高的亮麗成績(jì)單。而公司也于法說(shuō)會(huì )上預估，Q3營(yíng)收將能溫和成長(cháng)，可望季增約3~4%。不過(guò)，外資德意志則是出具最新報告指出，聯(lián)電7月?tīng)I收雖受益于面板驅動(dòng)IC需求而強勁走高，不過(guò)8月即會(huì )遭遇無(wú)線(xiàn)通訊客戶(hù)(wireless)的庫存調整，營(yíng)收估將月減4~6%。 也因此，即使7月?tīng)I收優(yōu)于預期，德意志認為，隨著(zhù)8~9月?tīng)I收下滑，聯(lián)電Q3營(yíng)收約僅會(huì )季增3%左右。而聯(lián)電今年下
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導權
- 聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過(guò)，聯(lián)電也不忘記取當初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺積電大幅超前進(jìn)度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎技術(shù)平臺與材料科技，并將主導大部分制程研發(fā)，以結合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。 聯(lián)電執行長(cháng)顏博文表示，隨著(zhù)IC設計業(yè)者對于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補式金屬氧化物半導體(CMOS)
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聯(lián)電Q2 EPS 0.15元 40nm以下?tīng)I收占比2成
- 聯(lián)電舉辦線(xiàn)上法說(shuō)并公布第2季財務(wù)報告，第2季歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元，每股普通股獲利為新臺幣0.15元;當中40奈米及以下制程的營(yíng)收比重從第1季的18%提升到2成。 聯(lián)電第2季營(yíng)業(yè)收入為新臺幣319.1億元，與上季的新臺幣277.8億元相比增加14.8%，較去年同期的新臺幣303.8億元成長(cháng)5%。本季毛利率為19.4%，營(yíng)業(yè)凈利率為3.6%，歸屬母公司凈利為新臺幣18.1億元，每股普通股獲利為新臺幣0.15元。 聯(lián)華電子執行長(cháng)顏博文表示，2013年第2季整體營(yíng)運表現優(yōu)于預期，其中
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聯(lián)電將跳過(guò)20nm 專(zhuān)攻FinFET
- 聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián) 電已計劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤表示，20納米制程帶來(lái)的效益將不 如從40納米演進(jìn)至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀(guān)花費
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聯(lián)電12寸URAM獲陸商高拓訊達訂單
- 聯(lián)電29日宣布，12寸URAM嵌入式存儲器技術(shù)獲得中國大陸數碼電視解調器芯片設計公司高拓訊達(AltoBeam)的訂單，未來(lái)將運用在高拓訊達推出的DVB-T2/T/C/S2/S解調器ATBM7812，以因應未來(lái)數碼電視市場(chǎng)需求。 聯(lián)電亞洲銷(xiāo)售副總經(jīng)理王國雍表示，高拓訊達在大陸市場(chǎng)具領(lǐng)導地位，聯(lián)電在先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢上與大陸芯片設計公司進(jìn)一步合作，將提供全方位的技術(shù)解決方案，包含已驗證量產(chǎn)的12寸URAM制程，藉此提高高拓訊達的市場(chǎng)競爭力。 聯(lián)電表示，URAM制程是一項獲得專(zhuān)利的嵌入式DRAM技術(shù)
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集中火力攻FinFET 聯(lián)電確定不玩20納米
- 聯(lián)電將跳過(guò)20納米(nm)制程節點(diǎn)，全力卡位14納米鰭式電晶體(FinFET)市場(chǎng)。由于20納米研發(fā)所費不貲，加上市場(chǎng)需求仍不明朗，因此聯(lián)電已計劃在量產(chǎn)28納米后，直接跨過(guò)20納米節點(diǎn)，加速挺進(jìn)更具投資效益的14納米FinFET世代，以與臺積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。 聯(lián)電市場(chǎng)行銷(xiāo)處處長(cháng)黃克勤表示，20納米制程帶來(lái)的效益將不如從40納米演進(jìn)至28納米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀(guān)花費，已使
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聯(lián)電 擬赴廈門(mén)蓋8寸廠(chǎng)
- 晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電為搶食中國半導體產(chǎn)業(yè)快速成長(cháng)商機，計劃與廈門(mén)和當地政府合資興建8寸晶圓廠(chǎng)，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。 聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會(huì )通過(guò)在3億美元(約新臺幣90億元)內擬投資、參股或購買(mǎi)亞洲8寸或12寸晶圓廠(chǎng)后，公司經(jīng)營(yíng)團隊積極評估參股或設廠(chǎng)，大陸的確有很多高科技園區積極向聯(lián)電招攬投資，但聯(lián)電的一切程序，均會(huì )遵循政府法令進(jìn)行，目前沒(méi)有定案。 這將是聯(lián)電繼先前協(xié)助和艦到大陸設廠(chǎng)，2009年宣布100%合并和艦后，另一項赴大陸設立晶圓廠(chǎng)行動(dòng)，也是2005年政府核準
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聯(lián)電Q2營(yíng)收季增14.85% 世界增11.9%
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)(5347-TW)今(10)日同步公告6月?tīng)I收數據，二者累計第2季營(yíng)收分別增14.85%、11.9%。 聯(lián)電今天公告6月?tīng)I收為107.61億元，較5月略減0.94%，年增11.15%，累計第2季營(yíng)收319.048億元，較首季277.8億元季增14.85%，略?xún)?yōu)于原預期的季增12%至14%。 聯(lián)電表示，市場(chǎng)整體需求熱絡(luò )，營(yíng)收成長(cháng)仍在預期范圍內，蘇州和艦產(chǎn)能近滿(mǎn)載高于總體平均;另在3億美元(約新臺幣90.01億元)額度內評估在亞洲地區投資晶圓廠(chǎng)擴
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聯(lián)電Q2營(yíng)收季增14.85% 世界增11.9%
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)、世界先進(jìn)10日同步公告6月?tīng)I收數據，二者累計第2季營(yíng)收分別增14.85%、11.9%。 聯(lián)電今天公告6月?tīng)I收為107.61億元，較5月略減0.94%，年增11.15%，累計第2季營(yíng)收319.048億元，較首季277.8億元季增14.85%，略?xún)?yōu)于原預期的季增12%至14%。 聯(lián)電表示，市場(chǎng)整體需求熱絡(luò )，營(yíng)收成長(cháng)仍在預期范圍內，蘇州和艦產(chǎn)能近滿(mǎn)載高于總體平均;另在3億美元(約新臺幣90.01億元)額度內評估在亞洲地區投資晶圓廠(chǎng)擴大營(yíng)運規模方面，仍在找尋
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IC需求緊俏 聯(lián)電8寸晶圓廠(chǎng)受惠
- 產(chǎn)能吃緊，聯(lián)電(2303)股價(jià)持續走強。根據國際半導體材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新公布資料，5月北美半導體設備制造商訂單出貨比(B/B值)1.08，是連續五個(gè)月站在多空分界的1之上，分析師指出，這表示半導體產(chǎn)業(yè)景氣持續處于復蘇軌道，對聯(lián)電當然有正面影響;另一方面，觀(guān)察同領(lǐng)域的臺積電股價(jià)維持高檔震蕩，也可看出正向產(chǎn)業(yè)趨勢。 就公司發(fā)展而言，聯(lián)電近期除了搶進(jìn)高階制程、與力旺結盟切入矽智財(IP)市場(chǎng)，更緊捉產(chǎn)能吃緊的8寸晶圓商機。 瑞銀臺灣證券半導體首席分析師程正樺指出，今年在各種智慧型手持裝
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聯(lián)電介紹
臺灣聯(lián)電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠(chǎng),包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據"經(jīng)濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專(zhuān)利大戶(hù)"名單,以申請件數排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專(zhuān)利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細 ]
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