<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 聯(lián)電

聯(lián)電使用Edwards環(huán)保型干式真空泵獲新加坡國家環(huán)境局基金

  • 全球領(lǐng)先的高精真空產(chǎn)品及尾氣處理系統制造商及相應增值服務(wù)領(lǐng)先供應商Edwards集團公司(納斯達克代碼:EVAC)日前宣布,聯(lián)電公司(UMC)(紐約證券交易所代碼:UMC/臺灣證券交易所代碼:2303)已經(jīng)收到一份來(lái)自新加坡國家環(huán)境局的基金。發(fā)放能效技術(shù)基金項目(GREET)激勵基金是因為聯(lián)電使用Edwards的環(huán)保型iXL120干式真空泵。
  • 關(guān)鍵字: Edwards  聯(lián)電  真空泵  

卡位14/16nm市場(chǎng) 晶圓廠(chǎng)加碼FinFET研發(fā)

  •   全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后,臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續公布FinFET制程發(fā)展藍圖與量產(chǎn)時(shí)程表,希冀藉此一新技術(shù),提供IC設計業(yè)者效能更佳的制造方案,搶占通訊與消費性電子IC制造商機。   鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來(lái)行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸,各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構,預計明后年即可開(kāi)花結果,并開(kāi)始挹注營(yíng)收貢獻。   在眾家晶圓廠(chǎng)中,
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  28納米  

導入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相

  •   聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù),預計效能可較現今28nm制程提升35~40%,可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢,擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。   聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示,14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì )是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運算市場(chǎng)的最佳利器。   聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉表示,由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中,勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現,而此
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  處理器  14nm  FinFET  

臺晶圓雙雄Q4營(yíng)收恐衰5~10%

  •    瑞信證券出具最新半導體報告指出,晶圓代工廠(chǎng)8月?tīng)I收表現亮眼,特別是臺積(2330)8月?tīng)I收大幅優(yōu)于預期,而聯(lián)電(2303)則在低價(jià)智慧型手機拉貨帶動(dòng)下,營(yíng)收走高,世界先進(jìn)(5347)也在驅動(dòng)IC出貨拉升下,繳出亮眼成績(jì)單,不過(guò),瑞信證券認為,晶圓代工廠(chǎng)營(yíng)收第三季表現搶眼,第四季后仍將面臨兩個(gè)季度的庫存修正狀況,預估晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能利用率落底時(shí)間將落在明年農歷年。   瑞信證券表示,晶圓代工廠(chǎng)第三季的強勁營(yíng)收成長(cháng)并不代表第四季將沒(méi)有庫存修正,瑞信證券指出,在半導體庫存水位升高影響下,加上PC
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  

趕搭3D IC熱潮聯(lián)電TSV制程明年量產(chǎn)

  • 聯(lián)電矽穿孔(TSV)制程將于2013年出爐。為爭食2.5D/三維晶片(3D IC)商機大餅,聯(lián)電加緊研發(fā)邏輯與記憶體晶片立體堆疊技術(shù),將采Via-Middle方式,在晶圓完成后旋即穿孔,再交由封測廠(chǎng)依Wide I/O、混合記憶體立方體(HMC)等標準組裝晶片。目前規畫(huà)于今年第四季邁入產(chǎn)品實(shí)測階段,并于2013年展開(kāi)商用量產(chǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  

半導體代工 幾家歡喜幾家愁

  • 的變化,上有半導體代工工廠(chǎng)的境況也可謂是喜憂(yōu)參半。作為一個(gè)國家科技實(shí)力的象征,很多半導體企業(yè)可以獲得來(lái)自政府的直接或間接投資,但如果一個(gè)國家有多家半導體代工企業(yè),那么相對弱勢的企業(yè)則很難得到來(lái)自政府的鼎力支持。另一方面,半導體代工行業(yè)是一項前期投資非常巨大且投資回報周期相對較長(cháng)的行業(yè),資金鏈是否健康直接關(guān)系到企業(yè)能否繼續生存下去
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  半導體  

臺積供應吃緊 聯(lián)電產(chǎn)能滿(mǎn)載

  •   IC設計界傳出,臺積電的先進(jìn)制程產(chǎn)品訂單出貨比(B/B)值上月已升破1,聯(lián)電產(chǎn)能趨于滿(mǎn)載,臺積電甚至在本季起針對特定制程啟動(dòng)「產(chǎn)能配給」供應,對客戶(hù)的交貨期也從正常的四至六周拉長(cháng)到十周以上,宣告半導體業(yè)旺季提前到來(lái)。   臺積電、聯(lián)電將分別在26、25日舉行法說(shuō)會(huì ),屆時(shí)將發(fā)布第一季財報及第二季展望,但因目前處于財報緘默期,晶圓雙雄均表示目前無(wú)法評論接單狀況。   部分IC設計公司由于客戶(hù)端需求好轉,拉貨力道加速,轉而向晶圓代工廠(chǎng)加碼下單。據了解,先進(jìn)制程28奈米至成熟制程65奈米等均傳出供應吃緊,
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  IC設計  

30年來(lái)頭一遭聯(lián)電痛失晶圓二哥寶座

  •   外電報導,格羅方德(Globalfoundries)行銷(xiāo)副總諾恩(MicahelNoonen)發(fā)出豪語(yǔ),公司去年第四季營(yíng)收首度超越聯(lián)電,成為全球第二大晶圓代工廠(chǎng)。這是聯(lián)電近30多年來(lái),首度失去晶圓代工二哥寶座,臺灣獨霸全球晶圓代工領(lǐng)域的地位面臨挑戰。   聯(lián)電16日不愿對競爭對手狀況置評。業(yè)界認為,臺積電、聯(lián)電聯(lián)手稱(chēng)霸全球晶圓代工業(yè)多年,近年三星、格羅方德崛起,臺灣晶圓雙雄腹背受敵,格羅方德規模超越聯(lián)電,讓晶圓代工業(yè)版圖大洗牌,臺灣應更審慎因應「美韓夾擊」帶來(lái)的沖擊。   格羅方德是超微2009年
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  

聯(lián)電2月?tīng)I收75.23億元月減6.55%

  •   聯(lián)電8日公布內部自行結算2月?tīng)I收為新臺幣75.23億元,月減6.55%,并為近33個(gè)月來(lái)單月?tīng)I收新低。聯(lián)電說(shuō)明,2月受工作天數減少影響,應為第1季營(yíng)運谷底,3月隨著(zhù)工作天數增加,業(yè)績(jì)應可順利回升。   聯(lián)電表示,自結2月業(yè)績(jì)較上月80.51億元減少6.55%,主要是元月有客戶(hù)急單挹注,而2月受工作天數減少影響。而隨市場(chǎng)需求符合預期,2月應為第1季營(yíng)運谷底,3月隨著(zhù)工作天數增加,業(yè)績(jì)應可順利回升。據聯(lián)電法說(shuō)資料預估,今年第一季營(yíng)收將較去年第4季244.3億元小幅下滑5%以?xún)?,隨1-2月?tīng)I收累計約155
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  

聯(lián)電與世界先進(jìn)公布去年第四季度營(yíng)收

  •   晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電本月9日公布去年12月?tīng)I收達81.05億元,第4季營(yíng)收244.25億元,季減3%;世界先進(jìn)12月?tīng)I收達10.52億元,第4季營(yíng)收為33.08億元,季減14.6%。兩家晶圓代工廠(chǎng)第4季營(yíng)收均優(yōu)于市場(chǎng)預期,主要是受惠于急單涌入及新臺幣貶值。臺積電于10日公布12月?tīng)I收,市場(chǎng)初估與11月的358.59億元相當。   聯(lián)電12月?tīng)I收達81.04億元,較11月微增0.5%,第4季營(yíng)收達244.25億元,僅較第3季的251.86億元減少3%,優(yōu)于市場(chǎng)普遍預估的季減5%。聯(lián)電第4季接單平穩,11月及
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  

聯(lián)電8月?tīng)I收82.01億元 月減6.91% 創(chuàng )2年來(lái)新低

  •   聯(lián)電近日公布自結8月?tīng)I收,為新臺幣82.01億元,月減6.91%,并為2年多來(lái)的單月?tīng)I收新低。聯(lián)電表示,全球經(jīng)濟的不確定性升高,影響顧客對公司的投片量,但營(yíng)收衰退幅度仍在早先預期范圍內。   聯(lián)電表示,內部自行結算8月?tīng)I收為新臺幣82.01億元,較去年同期減少24.67%,較上個(gè)月減少6.9%。營(yíng)收衰退幅度仍在早先預期范圍內。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  半導體  

聯(lián)電第二季營(yíng)收增長(cháng)乏力 預計第三季度下滑11~13%

  •   晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電日前舉行財報會(huì ),第2季每股獲利0.26元,針對第3季財測數字,聯(lián)電預估營(yíng)收減少11~13%、營(yíng)業(yè)利益率至1~3%、產(chǎn)能利用率下滑至71~73%,低于市場(chǎng)預期;執行長(cháng)孫世偉表示,2011年是晶圓代工產(chǎn)業(yè)近10年來(lái)首度在第3季出現負成長(cháng)現象,若只是庫存消化,或許1季時(shí)間可以解決,但關(guān)鍵問(wèn)題出在終端需求和全球經(jīng)濟動(dòng)蕩,因此針對第4季景氣,還需要再觀(guān)察一段時(shí)間。
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓代工  

聯(lián)電與Cypress攜手打造65納米SONOS閃存技術(shù)

  •   聯(lián)電與Cypress 27日宣布采用新的65納米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon;硅-氧-氮化硅-氧-硅)閃存技術(shù),已成功產(chǎn)出有效硅芯片(working silicon),預計將于第3季正式問(wèn)世;聯(lián)電不但會(huì )采用此新制程為Cypress生產(chǎn)次世代PSoC可編程系統單芯片、nvSRAM和其他產(chǎn)品,也可在Cypress授權協(xié)議下,將此技術(shù)提供其他公司使用。  
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  SONOS閃存  

智能手機需求不佳為上游廠(chǎng)商敲警鐘

  •   花旗環(huán)球證券分析師GlenYeung指出,智慧型手機業(yè)者對半導體廠(chǎng)第三季的投片量不佳,將使半導體大廠(chǎng)第三季營(yíng)收陷入嚴重困境(Inbig trouble)。   花旗環(huán)球追蹤供應鏈發(fā)現,即使智慧型手機大廠(chǎng)蘋(píng)果與宏達電,也缺乏強力拉貨力道,因此供應鏈廠(chǎng)商如聯(lián)電第三季的營(yíng)收表現也被大幅下修,季增率原本預期為20%,現在降為3%?!?/li>
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  智能手機  

聯(lián)電擬先拿下大陸和艦30%股權日后再全數購回

  •   聯(lián)電本周三將舉行股東會(huì ),由于聯(lián)電先前合并和艦條件,因大股東意見(jiàn)不同及未符合主管機關(guān)規定下破局,聯(lián)電這次重新修訂預計先取得和艦3成股權,日后再全數購回,議案將在股東會(huì )討論,預料將成為今年股東會(huì )焦點(diǎn)。   
  • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  晶圓  
共202條 8/14 |‹ « 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 »

聯(lián)電介紹

臺灣聯(lián)電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠(chǎng),包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據"經(jīng)濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專(zhuān)利大戶(hù)"名單,以申請件數排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專(zhuān)利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細 ]

相關(guān)主題

熱門(mén)主題

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>