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聯(lián)電
聯(lián)電 文章 進(jìn)入聯(lián)電技術(shù)社區
聯(lián)電赴美合并格羅方德？英特爾也許是更好的選擇
- 據日媒稍早報導，作為中國臺灣晶圓代工第二名的聯(lián)電，正與美國半導體巨頭、全球第5大晶圓代工廠(chǎng)格羅方德（GlobalFoundries），探索合并的可能性。 聯(lián)電雖予以否認，表示沒(méi)有合并案在進(jìn)行中，但業(yè)界認為，如果聯(lián)電能與英特爾合并，不但互補性較高，也較有市場(chǎng)競爭力。日經(jīng)亞洲報導指出，格羅方德疑似與聯(lián)電洽談合并可能性，一旦成功，產(chǎn)能將橫跨亞洲、美國與歐洲，有望成為全球第2大晶圓代工業(yè)者，僅次于臺積電。 消息人士甚至表示，格羅方德已與美國和中國臺灣政府官員接觸，2家芯片制造商于2年前曾討論過(guò)結盟方案，但并未達成
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聯(lián)電被逼赴美設廠(chǎng)？業(yè)界曝最慘結果：恐10年賠不完
- 繼臺積電赴美設廠(chǎng)后，聯(lián)電也傳出被要求前往美國投資，根據鏡周刊報導，美國代表拜訪(fǎng)聯(lián)電，且聯(lián)電沒(méi)拒絕的本錢(qián)，分析師直指聯(lián)電前景隱憂(yōu)。同業(yè)擔憂(yōu)若聯(lián)電沒(méi)有足夠訂單，就算赴美10年也賠不完。報導指出，聯(lián)電除了得面對中國大陸成熟制程的殺價(jià)壓力，還傳出美國代表拜訪(fǎng)聯(lián)電董座洪嘉聰，要求聯(lián)電赴美設廠(chǎng)，討論聯(lián)電未來(lái)的發(fā)展策略，證實(shí)了此項傳言；聯(lián)電則強調，「來(lái)訪(fǎng)是一般性產(chǎn)業(yè)拜訪(fǎng)及交流」。報導引述分析師說(shuō)法指出，聯(lián)電迄今并沒(méi)有在美國經(jīng)營(yíng)晶圓廠(chǎng)的經(jīng)驗，聯(lián)電在成熟制程芯片價(jià)格和毛利率，都比臺積電低，加上口袋不深，美國制造成本更是遠高
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DUV曝光機光阻劑力拼島內自給 核心材料明年供臺積電、聯(lián)電
- 中國臺灣自研重點(diǎn)放在半導體關(guān)鍵材料自主化，9家廠(chǎng)商年底將進(jìn)行終端產(chǎn)線(xiàn)驗證。 最快明年深紫外光（DUV）曝光機的光阻劑核心材料，可打入臺積電、聯(lián)電等代工大廠(chǎng)產(chǎn)線(xiàn)中。微影制程是在晶圓上制作電路圖案，隨著(zhù)精細度有DUV、EUV（極紫外光）差別。 光阻劑是一種光敏感材料，由樹(shù)脂、光敏感劑、溶劑和添加劑等組成，乃微影不可或缺重要材料。 至于曝光機的光罩部份，島內像是家登都有生產(chǎn)，比例已不低。但過(guò)去晶圓代工制程曾發(fā)生過(guò)光阻劑大缺貨，為了把關(guān)鍵材料掌握在自己手中，島內推動(dòng)兩期半導體先進(jìn)制程與封裝材料研發(fā)。 第一期202
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠(chǎng)首批設備到廠(chǎng)
- 據聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠(chǎng)的上機典禮，首批設備到廠(chǎng)，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠(chǎng)的重要里程碑。據悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導體晶圓代工廠(chǎng)之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠(chǎng)的擴建計劃。當時(shí)消息稱(chēng)，新廠(chǎng)第一期月產(chǎn)能規劃30,000片晶圓，2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，后又在2022年底稱(chēng)，在過(guò)程中因缺工缺料及
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專(zhuān)利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開(kāi)關(guān)和天線(xiàn)調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著(zhù)新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長(cháng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見(jiàn)的射頻干擾問(wèn)題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶(hù)采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電舉行法說(shuō)會(huì )，公布2024年第一季財報，合并營(yíng)收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長(cháng)0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(cháng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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劍指 12nm，英特爾與聯(lián)電結盟的五大利好
- 1 月 25 日，處理器大廠(chǎng)英特爾與晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)華電子公司聯(lián)合宣布，他們將合作開(kāi)發(fā) 12nm 半導體工藝平臺，以滿(mǎn)足移動(dòng)、通信基礎設施和網(wǎng)絡(luò )等高增長(cháng)市場(chǎng)的需求。據 TrendForce 集邦咨詢(xún)研究顯示，2023 年 Q3 全球晶圓代工前十排名再度刷新，英特爾躋身第九，聯(lián)電排名第四。在全球半導體市場(chǎng)不斷擴大和競爭日益激烈的背景下，英特爾和聯(lián)電的抱團不僅標志著(zhù)兩家想要在技術(shù)研發(fā)上取得突破，也預示了未來(lái)晶圓代工格局可能產(chǎn)生變化。此次英特爾和聯(lián)電的聯(lián)手，分別可以給雙方帶來(lái)哪些好處？在此之前，先了解一下本次合作
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聯(lián)電10月?tīng)I收 寫(xiě)九個(gè)月新高
- 公布10月合并營(yíng)收191.91億元，月微增0.7％，仍寫(xiě)九個(gè)月?tīng)I收新高，年減21.2％。市場(chǎng)法人認為，在該公司預估第四季出貨小減約5％、ASP（平均銷(xiāo)售單價(jià)）持平上季的狀況下，第四季營(yíng)收將可望持平或小幅低于上季表現。聯(lián)電公布10月自結合并營(yíng)收191.91億元，月增0.73％，為今年與同期次高，但年減21.17％，累計前十月?tīng)I收1,867.66億元，為同期次高，年減20.6％。聯(lián)電先前法說(shuō)會(huì )釋出第四季展望，認為計算機和通訊領(lǐng)域的短期需求逐漸回溫，但車(chē)用市場(chǎng)狀況仍具挑戰性，客戶(hù)仍采謹慎保守方式管理庫存，因此，
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晶圓代工大廠(chǎng)公布最新?tīng)I收，全年資本支出不變
- 晶圓代工大廠(chǎng)聯(lián)電公布2023年5月自結合并營(yíng)收，金額來(lái)到新臺幣187.78億元，較4月增加1.72%，較2022年同期減少達23.14%，為2023年次高成績(jì)。累計，2023年前5個(gè)月?tīng)I收為914.49億元，較2022年同期減少17.35%，也為同期次高成績(jì)。先前聯(lián)電法說(shuō)時(shí)曾表示，由于市場(chǎng)需求仍低迷、客戶(hù)持續庫存調整，未見(jiàn)明確復蘇跡象。因此，預期2023年第二季晶圓出貨量及美元平均售價(jià)將較首季持穩，毛利率預計維持34%~36%、產(chǎn)能利用率為71%~73%，全年資本支出維持30億美元不變。另外，在先前股東會(huì )
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南科突發(fā)壓降事件！聯(lián)電：部分晶圓報廢；臺積電：不影響運營(yíng)
- 6月1日下午，中國臺灣地區南部科學(xué)園區發(fā)生壓降情況。對于壓降事件的發(fā)生，南科管理局指出，臺電豐華D/S變電所下午2時(shí)59分因161kV GIS隔離開(kāi)關(guān)故障，發(fā)生電力壓降，造成臺南園區及高雄園區部分廠(chǎng)商電壓驟降。資料顯示，臺積電和聯(lián)電分別為全球排名第一和第三的晶圓代工廠(chǎng)商，均在臺南擁有多座晶圓廠(chǎng)。而此次事件也引發(fā)了業(yè)界對企業(yè)運營(yíng)狀況及全球半導體產(chǎn)能的高度關(guān)注。對此，臺積電和聯(lián)電均在當天作出了回應。臺積電不對營(yíng)運造成影響臺積電表示，受影響的廠(chǎng)區電力供應均迅速恢復正常，不預期對營(yíng)運造成影響，詳細壓降原因依臺電公
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傳赴日設新晶圓廠(chǎng)？聯(lián)電否認
- 聯(lián)電近年來(lái)積極布局車(chē)用芯片市場(chǎng)，2022年整體營(yíng)收占比已達9％，而據日媒報導指出，聯(lián)電因為看好車(chē)用芯片需求穩健，考慮投資5,000億日圓在日本三重縣桑名市的現有晶圓廠(chǎng)區內再興建一座新晶圓廠(chǎng)。不過(guò)，聯(lián)電對此表示并無(wú)此事。聯(lián)電過(guò)去在日本擁有一座8吋晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)日半導體（UMC Japan），但已于2012年宣布清算并結束營(yíng)運。不過(guò)，日本IDM廠(chǎng)過(guò)去十年內的積極整并，聯(lián)電2019年完全收購富士通半導體旗下位于日本三重縣桑名市的12吋晶圓廠(chǎng)并成立USJC子公司，成功卡位日本晶圓代工市場(chǎng)。聯(lián)電日本12吋廠(chǎng)第一季平均
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晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電公布最新財報 產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫存調整期
- 近期，半導體晶圓代工廠(chǎng)聯(lián)電公布最新財報，公司11月?tīng)I收225.45億元新臺幣，相較去年同期的196.61億元新臺幣增加14.67%，環(huán)比減少7.39%，連續三個(gè)月出現衰退；累計2022年前11月合并營(yíng)收2577.59億元新臺幣，相較去年同期的1927.31億元新臺幣增加了33.74%。據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，聯(lián)電總經(jīng)理王石此前在法說(shuō)會(huì )上預估，第四季度晶圓出貨量將減少約10%，產(chǎn)品平均售價(jià)持平，毛利率將約41%至43%，產(chǎn)能利用率恐將降至90%，11月?tīng)I收呈現月減，符合法說(shuō)會(huì )提出產(chǎn)業(yè)進(jìn)入庫存調整的預期。
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聯(lián)電與Cadence共同開(kāi)發(fā)認證的毫米波參考流程達成一次完成硅晶設計
- 聯(lián)華電子與全球電子設計創(chuàng )新領(lǐng)導廠(chǎng)商益華計算機(Cadence Design Systems, Inc.)于今(30)日宣布雙方合作經(jīng)認證的毫米波參考流程，成功協(xié)助亞洲射頻IP設計的領(lǐng)導廠(chǎng)商聚睿電子(Gear Radio Electronics)，在聯(lián)電28HPC+ 制程技術(shù)以及Cadence? 射頻(RF)解決方案的架構下，達成低噪音放大器 (LNA) IC一次完成硅晶設計(first-pass silicon success) 的非凡成果。 經(jīng)驗證的聯(lián)電28HPC+解決方案非常適合生產(chǎn)應用于高
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聯(lián)電 啟動(dòng)供應鏈碳盤(pán)查計劃
- 聯(lián)電9日舉行年度供貨商大會(huì )，宣布正式啟動(dòng)「供應鏈碳盤(pán)查輔導計劃」，提供顧問(wèn)資源平臺與工具，攜手供貨商進(jìn)行溫室氣體盤(pán)查及管理，預計至2030年完成500家供貨商碳盤(pán)查輔導作業(yè)。聯(lián)電供貨商大會(huì )總計有超過(guò)200家供貨商熱情響應及參與?，F場(chǎng)的低碳供應鏈宣誓儀式，除聯(lián)電總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰、副總廖木良及資材處協(xié)理謝集國代表外，也邀請環(huán)球晶、美日先進(jìn)光罩（PDMC）、默克、應用材料、科磊（KLA）等廠(chǎng)商一同宣誓，希望結合供貨商伙伴的力量，邁向整體供應鏈2030年達到減碳20％目標。聯(lián)電為協(xié)助供貨商建立碳盤(pán)查能力，預計將投入新
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聯(lián)電介紹
臺灣聯(lián)電集團總部設在臺灣,集團旗下有5家晶圓代工廠(chǎng),包括聯(lián)電、聯(lián)誠、聯(lián)瑞、聯(lián)嘉以及最新投資的合泰半導體,是全球半導體投資第四大,僅次于英代爾、摩托羅拉及西門(mén)子. 根據"經(jīng)濟部中央標準局"公布的近5年島內百大"專(zhuān)利大戶(hù)"名單,以申請件數排名, 聯(lián)電第一、工研院第二、臺積電第三;就取得美國專(zhuān)利件數而言,1993年至1997年所累積的件數,聯(lián)電是臺積電的兩倍、工研院的3倍. [ 查看詳細 ]
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