聯(lián)電：暫不參與先進(jìn)制程競賽 專(zhuān)注提升28和14納米競爭力

　　晶圓代工二哥聯(lián)電暫不參與先進(jìn)制程競賽，專(zhuān)注提升28納米和14納米制程的競爭力。共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰指出，將以追求特定領(lǐng)域的市占率進(jìn)入前兩名為目標，預估28納米對營(yíng)收貢獻可于三至四季內回到兩成水準。

　　聯(lián)電為晶圓雙雄之一，面臨國際半導體產(chǎn)業(yè)的激烈競爭和臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢，仍積極布局短、中、長(cháng)期發(fā)展策略。簡(jiǎn)山杰指出，公司策略目標為創(chuàng )造獲利和擴大市占率，決定暫時(shí)不再追求先進(jìn)制程，避免折舊攤提持續處于高峰而影響獲利目標。

　　簡(jiǎn)山杰認為，無(wú)論是5G或物聯(lián)網(wǎng)等，對于芯片需求仍相當巨大，會(huì )根據需求強化需要的技術(shù)。目前聯(lián)電仍是市場(chǎng)上少數可以提供28納米HKMG gate-last制程的晶圓代工廠(chǎng)之一，并擁有臺南及廈門(mén)兩個(gè)策略性的生產(chǎn)據點(diǎn)，可以服務(wù)全球客戶(hù)。

　　在短期發(fā)展策略上，簡(jiǎn)山杰表示，聯(lián)電將會(huì )專(zhuān)注強化晶圓專(zhuān)工的核心制造能力及提升營(yíng)運效率，擴展在8寸和12寸的制程趨勢，以加強在晶圓專(zhuān)業(yè)代工市場(chǎng)的競爭力，以因應市場(chǎng)趨勢并切入新的應用領(lǐng)域。

　　聯(lián)電因此鎖定特定領(lǐng)域為發(fā)展重點(diǎn)，包括智能手機的相關(guān)應用、應用處理器(AP)和基帶芯片(BB)、射頻收發(fā)器(RF Transceiver)、OLED面板驅動(dòng)芯片、觸控和驅動(dòng)整合芯片(IDC)、MEMS等。

　　簡(jiǎn)山杰指出，聯(lián)電中期策略將以擴大市占率為重點(diǎn)，去年廈門(mén)量產(chǎn)的12寸晶圓廠(chǎng)為第二個(gè)12納米基地，除了能服務(wù)中國客戶(hù)群，也能提供中國半導體市場(chǎng)全方位的技術(shù)資源與晶圓制造服務(wù)，并協(xié)助全球客戶(hù)分散地區性風(fēng)險，確保競爭優(yōu)勢。

　　長(cháng)期策略方面，聯(lián)電仍將持續致力于新技術(shù)的開(kāi)發(fā)及應用，以因應市場(chǎng)趨勢，并拓展現有產(chǎn)品以外的市占率，包含物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)應用、車(chē)用和家電等應用市場(chǎng)。

　　針對暫緩參與10納米以下先進(jìn)制程競賽，簡(jiǎn)山杰強調，現階段采取務(wù)實(shí)策略，雖會(huì )開(kāi)發(fā)新技術(shù)，但對新技術(shù)重新定義，不再是14納米、10納米、7納米一路追。

　　簡(jiǎn)山杰指出，聯(lián)電會(huì )選擇自己的戰場(chǎng)，要在特定技術(shù)做到最領(lǐng)先、最極致，做出競爭力，目標是是要在特定應用領(lǐng)域市占率拿到前兩名的位置。

　　聯(lián)電在大陸的布局甚早，一直是半導體領(lǐng)域的領(lǐng)先者，28納米和14納米均已量產(chǎn)出貨。簡(jiǎn)山杰認為，聯(lián)電的14 納米技術(shù)在電性速度與耗電量的表現都符合產(chǎn)業(yè)水準，良率已達到客戶(hù)要求，第2季起挹注營(yíng)收，達到新的里程碑。簡(jiǎn)山杰指出，下半年14納米將持續出貨，后續投資和業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)會(huì )以創(chuàng )造獲利為導向。

　　至于28納米方面，聯(lián)電自2014年上半年進(jìn)入量產(chǎn)后，至2016年下半年的營(yíng)收占比即達到20%，但今年第3季因客戶(hù)調整而下滑。簡(jiǎn)山杰表示，未來(lái)將配合市場(chǎng)趨勢及客戶(hù)需求，持續開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的制程技術(shù)，預計28納米對營(yíng)收的貢獻將于未來(lái)三至四季內會(huì )回到20%。另外，為了降低成本、提升毛利率表現，聯(lián)電也將努力提升工廠(chǎng)的營(yíng)運效率，透過(guò)導入工業(yè)4.0來(lái)提升產(chǎn)值、增加彈性，支援新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。