聯(lián)電、臺積電搶進(jìn)高端制程 中芯、華力微進(jìn)展落后

　　臺灣12吋廠(chǎng)火速卡位大陸先進(jìn)制程的空缺，近期傳出聯(lián)電廈門(mén)12吋晶圓廠(chǎng)(聯(lián)芯)一箭雙雕，先后拿下展訊、聯(lián)發(fā)科40納米制程大訂單，且近期28納米移轉到廈門(mén)12吋廠(chǎng)后，此兩大IC設計大客戶(hù)也會(huì )陸續轉進(jìn)28納米生產(chǎn)，與臺積電聯(lián)手在大陸筑起先進(jìn)制程高墻，防堵中芯國際、華力微電子的28納米崛起!

　　大陸本土晶圓廠(chǎng)中芯國際、華力微電子等猛攻28納米先進(jìn)制程，但進(jìn)展卻持續落后，反而是臺積電、聯(lián)電近期聯(lián)手下了一盤(pán)好棋，前者用16納米FinFET卡位大陸最先進(jìn)的技術(shù)地盤(pán)，后者以28納米技術(shù)補上大陸最缺的制程世代，透過(guò)雙方前后夾擊，守住大陸半導體市場(chǎng)的高端制程江山。

　　業(yè)界透露，大陸IC設計大廠(chǎng)海思在官方政策規劃下，被要求指標性的向中芯國際投片生產(chǎn)28納米制程，但中芯的高端28納米HKMG制程的良率一直不順，雙方變得進(jìn)退維谷，也反應大陸當地28納米制程缺乏的窘境。而此時(shí)聯(lián)電的28納米轉移到廈門(mén)12吋廠(chǎng)生產(chǎn)，正好補上此需求的空缺。

　　同時(shí)，近期也傳出聯(lián)電廈門(mén)12吋廠(chǎng)成功一箭雙鵰，先后拿下展訊和聯(lián)發(fā)科的40納米制程大訂單，預計這兩家IC設計大客戶(hù)也陸續會(huì )轉進(jìn)28納米制程。

　　聯(lián)電廈門(mén)12吋廠(chǎng)自2015年3月正式動(dòng)土以來(lái)，創(chuàng )下僅20個(gè)月就開(kāi)始量產(chǎn)的迅速紀錄，2016年11月宣布完工開(kāi)幕，該廠(chǎng)是大陸華南首座12吋廠(chǎng)，總產(chǎn)能為單月5萬(wàn)片，估計2017年底前，先投產(chǎn)約1.1萬(wàn)片產(chǎn)能，以40納米制程為主。

　　聯(lián)電申請多時(shí)的28納米制程也成功獲得投審會(huì )核準，近期開(kāi)始生產(chǎn)28納米的芯片;再者，臺積電南京12吋廠(chǎng)也快速動(dòng)起來(lái)，預計2018年以16納米FinFET制程加入生產(chǎn)，同時(shí)也成立設計服務(wù)中心，該座12吋廠(chǎng)規劃的月產(chǎn)能是2萬(wàn)片，近期已經(jīng)與眾多供應商接洽，希望能一同到南京設廠(chǎng)支持。

　　同時(shí)，臺積電在28納米、16納米、10納米和7納米制程之外，更規劃22納米和12納米等多個(gè)技術(shù)制程世代，以緊密的技術(shù)布局來(lái)鞏固已成功建立的先進(jìn)制程技術(shù)地盤(pán)。

　　對照臺系半導體廠(chǎng)攻勢猛烈，大陸半導體目前最大的瓶頸在于兩個(gè)要素，核心技術(shù)和人才。雖然已經(jīng)頻頻找切入點(diǎn)突破，但預計在3~5年內，臺灣半導體廠(chǎng)仍是具有絕大優(yōu)勢。

　　綜觀(guān)大陸半導體28納米發(fā)展，中芯研發(fā)28納米技術(shù)多年，雖然打入高通(Qualcomm)供應鏈，但尚未真正具有指標性的規模出貨量，加上高端技術(shù)無(wú)法突破，導致整個(gè)先進(jìn)制程的進(jìn)展十分緩慢，中芯2016年第4季的28納米營(yíng)收比重僅3.5%，預計2017年底往比重10%的目標邁進(jìn)。

　　再者，大陸另一家半導體廠(chǎng)華力微電子雖然與聯(lián)發(fā)科合作28納米的技術(shù)開(kāi)發(fā)，但直至現在也一直未量產(chǎn)，華力微的第二座12吋晶圓廠(chǎng)預計全面朝28納米布局，目前各界持續密切觀(guān)察中。