汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開(kāi)關(guān)速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實(shí)現這一點(diǎn)。

但是，雖然基于溝槽的架構可以降低導通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來(lái)了更高的復雜性。對于 SiC 功率器件制造商來(lái)說(shuō)，準確測量外延層生長(cháng)和這些溝槽中注入層深度的能力是相當重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復雜性時(shí)。

今天我們分享一下來(lái)自Onto Innovation 應用開(kāi)發(fā)總監Nick Keller的文章，來(lái)重點(diǎn)介紹下SiC 功率器件中的溝槽結構測量：

光學(xué)臨界尺寸 (OCD) 計量系統
來(lái)測量溝槽深度以及底部和頂部臨界尺寸 (CD)

隱形挑戰

使用基于溝槽的架構測量 SiC 功率器件時(shí)的核心挑戰是：自上而下的測量方法無(wú)法看到凹入式結構和垂直凹入式結構。這適用于臨界尺寸掃描電子顯微鏡 (CD-SEM) 和基于圖像的顯微鏡等方法。因此，制造商已轉向 OCD 進(jìn)行尺寸計量。OCD 提供耗時(shí)不到一秒的無(wú)損測量，具有埃級重復性的高精度，并且是一種數據豐富的計量技術(shù)，能夠在復雜的 3D 結構中同時(shí)測量數十個(gè)參數。

對于專(zhuān)為功率器件市場(chǎng)設計的 OCD 系統，制造商經(jīng)常使用光譜橢偏儀 (SE)（薄膜測量的黃金標準）和偏振光譜反射儀 (SR)。SE 用于收集斜入射時(shí) 2D 和 3D 周期性結構的深紫外 (DUV) 到近紅外 (NIR) 范圍內的鏡面反射率，而對于 SR，除了法向入射外，其他情況相同。

這樣做有一個(gè)缺點(diǎn)：作為一種間接方法，OCD 需要一個(gè)模型來(lái)解釋復雜的光譜數據。因此，OCD 計量可能不準確，并且設置時(shí)間較長(cháng)。但是，好消息是：模型引導機器學(xué)習 (MGML) 算法可以提高準確性并縮短解決時(shí)間。

在我們的研究中，我們使用 SE 和 SR 測量 SiC 功率器件中的這些基于溝槽的結構，然后使用基于 RCWA 的 EM 求解器分析數據。然后，該信息用于運行高級過(guò)程控制。

雖然 OCD 可用于 SiC 溝槽 MOSFET 工藝流程中的多個(gè)工藝步驟，但溝槽蝕刻后的測量尤其令人感興趣。溝槽蝕刻是關(guān)鍵，因為底部寬度、底部圓角、側壁角度、深度和側壁粗糙度有助于關(guān)鍵性能屬性，包括擊穿電壓、導通電阻、溝道遷移率和時(shí)間相關(guān)的柵極氧化物擊穿。

SiC蝕刻具有挑戰性，因為它是一種極其堅硬的物質(zhì)，化學(xué)性質(zhì)穩定，并且對SiO 2硬掩模的選擇性較低。

圖 1：光譜橢偏儀和正入射反射儀 OCD 通道的光譜變化。

對于我們研究中的第一個(gè)應用，我們在四個(gè)晶圓上的溝槽蝕刻步驟中進(jìn)行了實(shí)驗設計 (DOE)。改變蝕刻時(shí)間以扭曲溝槽深度。

圖 1 顯示了 SE 和法向入射反射 OCD 通道的光譜變化，按晶圓分組，具有清晰的 DOE。圖2為四片晶圓上同一位點(diǎn)的物理模型和模型擬合實(shí)驗結構；它還顯示平均溝槽深度與基于 DOE 條件的預期深度，具有良好的相關(guān)性。

圖 2：物理模型和模型擬合四個(gè) DOE 晶圓上的實(shí)驗結構。

對于第二個(gè)應用，我們擴展了上一個(gè)示例中的溝槽結構。雖然之前的 DOE 重點(diǎn)關(guān)注溝槽深度，但需要考慮模型中的其他關(guān)鍵參數（包括溝槽底部寬度），因此需要進(jìn)行測量。

然后，我們比較了使用單獨的 OCD 通道、SE 和 SR 以及兩個(gè)通道一起進(jìn)行的模擬（圖 3）。通過(guò)結合兩個(gè)通道，我們能夠測量溝槽深度；SE 通道本身用于測量底部 CD 和頂部 CD。因此，我們確定可以使用 OCD 計量學(xué)在溝槽蝕刻步驟中測量影響器件良率和性能的所有關(guān)鍵參數，包括溝槽深度以及底部和頂部 CD。

圖 3：使用光譜橢圓偏振 (SE)、正入射 (NI) 以及 SE 和 NI 組合進(jìn)行的模擬比較。

使用皮秒超聲波
來(lái)優(yōu)化具有溝槽架構的 SiC 功率器件的性能

使用皮秒超聲波

皮秒超聲波（脈沖技術(shù)）是一種泵浦探測技術(shù)，使用超快激光脈沖（大約 200fs）進(jìn)行金屬薄膜計量；包括基于溝槽的 SiC 功率器件的金屬膜計量。

通過(guò)使用這種無(wú)損技術(shù)，制造商可以同時(shí)測量多層金屬薄膜，同時(shí)還能夠區分重復金屬的各個(gè)層。對于 SiC 功率器件，皮秒超聲波為測量薄膜厚度和粗糙度提供了一種無(wú)損解決方案。

由于皮秒超聲波的優(yōu)點(diǎn)，它正在迅速取代更傳統的方法，例如四點(diǎn)探頭方法。其一，這些傳統的測量方法具有破壞性；皮秒超聲波則不然。第二，傳統方法不提供直接的厚度信息，并且無(wú)法檢測缺失的層或處理不當的晶圓。

對于具有溝槽結構的 SiC 功率 MOFET，皮秒超聲波可用于金屬化工藝控制；該應用包括監測接觸勢壘 (Ti/TiN)、溝槽金屬化（W 基接觸）以及正面和背面金屬化 (Ti/NiV/Ag) 堆棧。

在我們的研究中，我們測量了帶有溝槽的 SiC 功率器件中源極和漏極接觸的歐姆接觸和導電金屬層厚度。這些測量很重要，因為它們對接觸電阻有直接影響；接觸電阻差的功率器件將無(wú)法正常工作。金屬厚度均勻性也會(huì )對終端設備的可靠性產(chǎn)生影響。

圖 1：(a) Ti 1000 ?、(b) NiV 3000 ? 和 (c) Ag 1500 ? 的 49 個(gè)點(diǎn)圖。

使用皮秒超聲波技術(shù)，我們測量了多層金屬堆疊；在本例中，層為 Ti/NiV/Ag。由于光斑尺寸小 (8μm x10μm) 和快速測量時(shí)間（每個(gè)位置 <4 秒），我們能夠表征整個(gè)晶圓的均勻性。

此外，我們的研究中使用皮秒超聲波顯示出 3 sigma < 0.25% 標準差的出色精度。

如前所述，皮秒超聲波的主要優(yōu)點(diǎn)之一是能夠測量多層堆疊中的重復金屬。在本例中，我們測量了 Ti/Al/ox/Ti/Al 的堆棧，其中 Ti 重復。該技術(shù)生成的原始數據顯示出出色的信噪比，每一層的回波都清晰可見(jiàn)。

X 射線(xiàn)計量等競爭技術(shù)無(wú)法提供此類(lèi)堆疊中的各個(gè)層，并且對覆蓋膜的測量并不代表產(chǎn)品性能。此外，還可以設置配方來(lái)標記丟失的層或檢測錯誤處理。

圖 2：多層金屬化堆疊測量。

除了厚度之外，皮秒超聲波還可用于監測粗糙度，特別是厚金屬薄膜（數千埃到微米范圍）。粗糙度可作為監控完善流程的定性指標。

圖 3 顯示了用于驗證此功能的鋁膜的測量結果。該測量結果與透射電子顯微鏡 (TEM) 和原子力顯微鏡 (AFM) 參考的相關(guān)性非常好，R 2 ~f 0.99。

圖 3：PULSE 測量與透射電子顯微鏡 (TEM) 和原子力顯微鏡 (AFM) 的相關(guān)性。

碳化硅 (SiC) 功率器件注定將成為推動(dòng)混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)以及其他綠色創(chuàng )新發(fā)展的主要驅動(dòng)力之一。但部分由于這些 SiC 功率器件采用溝槽結構，制造商需要做好準備，以避免其過(guò)程中的許多工藝控制障礙。借助 FTIR、OCD 和皮秒超聲波計量，SiC 功率器件制造商有多種選擇能夠應對這些挑戰，并在此過(guò)程中為未來(lái)掃清道路。

來(lái)源： 碳化硅芯觀(guān)察