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安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項，您知道嗎？
- 安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問(wèn)題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時(shí)具有最低值。即使數據表中的典型V
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP
3G系統中AGC的FPGA設計實(shí)現
- 1 引 言 大多數接收機必須處理動(dòng)態(tài)范圍很大的信號，這需要進(jìn)行增益調整，以防止過(guò)載或某級產(chǎn)生互調，調整解調器的工作以?xún)?yōu)化工作。在現代無(wú)線(xiàn)電接收裝置中?？勺冊鲆娣糯笃魇请娍氐?，并且當接收機中使用衰減器時(shí)，他們通常都是由可變電壓控制的連續衰減器?？刂茟撌瞧交牟⑶遗c輸入的信號能量通常成對數關(guān)系(線(xiàn)性分貝)。在大多數情況下，由于衰落，AGC通常用來(lái)測量輸入解調器的信號電平，并且通過(guò)反饋控制電路把信號電平控制在要求的范同內。 2 系統總體設計 在本設計中，前端TD_SCDM
- 關(guān)鍵字： TD_SCDMA AGC FPGA RSP IIR
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