碳化硅（sic） 文章 進(jìn)入碳化硅（sic）技術(shù)社區
清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品
- 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺，標志著(zhù)功率半導體技術(shù)在快充效率、高功率密度應用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領(lǐng)先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數據中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源
- 碳化硅 （SiC） 正在接管電動(dòng)汽車(chē)中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉換為用于控制電機的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開(kāi)關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機中的三相逆變器。其中包括數據中心的電子換向 （EC） 冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來(lái)運行 AI 訓練和推理，并在此過(guò)程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊 （IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來(lái)了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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碳化硅急需開(kāi)辟電動(dòng)汽車(chē)之外的第二條戰線(xiàn)
- 電能與智能是現代社會(huì )發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )，構建數字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開(kāi)關(guān)，功率半導體在構建現代社會(huì )能源體系中發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵性的樞紐作用，通過(guò)對電壓、電流和頻率的精準調控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經(jīng)過(guò)七十年的發(fā)展，功率半導體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效
- 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著(zhù)數據中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營(yíng)成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著(zhù)數據中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長(cháng)一方面是為了降低運營(yíng)成本
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是什么讓SiC開(kāi)始流行？
- 碳化硅是一種眾所周知的堅硬和復雜的材料。用于制造 SiC 功率半導體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規格和設備的密集工程來(lái)實(shí)現商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規則，使系統級效率超越硅器件的實(shí)際限制，并帶來(lái)額外的技術(shù)特定優(yōu)勢。在碳化硅 （SiC） 的情況下，導熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡(jiǎn)化了系統設計并確保了更高的可靠性。由于它們的簡(jiǎn)單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場(chǎng)?，F在，隨著(zhù)技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應用場(chǎng)景中展現出顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關(guān)鍵電參數、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導體開(kāi)發(fā)者提供從基礎理論到實(shí)踐應用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其
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碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比
- _____為了減緩氣候變化，人類(lèi)在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車(chē)（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車(chē)供電技術(shù)，其功率可超過(guò)500kW，電流高達1000A。市場(chǎng)需求下的挑戰一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務(wù)器農場(chǎng)就是一個(gè)能源需求更高的例子。為了有足夠的
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創(chuàng )新的表面貼裝?(SMD)?頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿(mǎn)足了眾多高功率（工業(yè)）應用領(lǐng)域對分立式SiC MOSFET不斷增長(cháng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現卓越的熱性
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第17講：SiC MOSFET的靜態(tài)特性
- 商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過(guò)900V，而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強，在結構上可以減少芯片的厚度，從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻，使其耐壓可以提高到幾千伏甚至更高。本文帶你了解其靜態(tài)特性。1. 正向特性圖1顯示了SiC MOSFET的正向通態(tài)特性。由于MOSFET是單極性器件，沒(méi)有內建電勢，所以在低電流區域，SiC MOSFET的通態(tài)壓降明顯低于Si IGBT的通態(tài)壓降；在接近額定電流時(shí)，SiC MOSFET的通態(tài)壓降幾乎與Si IGBT相同。對于經(jīng)常以低于額定電流工作的應用，使用SiC
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體
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為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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第16講：SiC SBD的特性
- SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優(yōu)點(diǎn)，可降低電力電子系統的損耗并顯著(zhù)提高效率。適合高頻電源、新能源發(fā)電及新能源汽車(chē)等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一般在200V以下，而耐壓在600V以上的SiC SBD產(chǎn)品已廣泛產(chǎn)品化。SiC SBD的某些產(chǎn)品具有3300V的耐壓。半導體器件的擊穿電壓與半導體漂移層的厚度成正比，因此為了提高耐壓，必須增加器件的厚度。而
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東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動(dòng)光電耦合器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動(dòng)碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動(dòng)光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開(kāi)始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會(huì )產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見(jiàn)的保護措施有，在柵極關(guān)閉時(shí)，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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速看！SiC JFET并聯(lián)設計白皮書(shū)完整版
- 隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來(lái)越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://dyxdggzs.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯(lián)的五大難題，破解方法終于來(lái)了！http://dyxdggzs.com/article/202503/467644.htm)中我們重點(diǎn)介紹了SiC JFET并聯(lián)設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
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碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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