Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200V SiC MOSFET

Nexperia正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩定性方面表現出色，采用創(chuàng )新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節的便捷優(yōu)勢以及通孔技術(shù)的高效散熱能力，確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準滿(mǎn)足了眾多高功率（工業(yè)）應用領(lǐng)域對分立式SiC MOSFET不斷增長(cháng)的需求，該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢，得以實(shí)現卓越的熱性能表現。這些器件在電池儲能系統(BESS)、光伏逆變器、電機驅動(dòng)器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應用場(chǎng)景中表現卓越。此外，在包括充電樁在內的電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線(xiàn)框架，進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能，實(shí)現從外殼頂部高效散熱。這一設計有效降低了通過(guò)PCB散熱所帶來(lái)的負面影響。同時(shí)，Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性，并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。

新款X.PAK封裝器件具備N(xiāo)experia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(FoM)。其中，RDS(on)作為關(guān)鍵參數，對導通損耗影響顯著(zhù)。然而，許多制造商往往僅關(guān)注該參數（常溫）的標稱(chēng)值，卻忽略了一個(gè)事實(shí)，即隨著(zhù)器件工作溫度的升高，標稱(chēng)值可能會(huì )增加100%以上，從而造成相當大的導通損耗。與之不同，Nexperia SiC MOSFET展現出出色的溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度區間內，RDS(on)的標稱(chēng)值僅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監兼負責人Katrin Feurle表示：“我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET，標志著(zhù)在高功率應用散熱管理與功率密度方面取得重要突破?；诖饲俺晒ν瞥龅腡O-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件，我們研發(fā)了這款新型頂部散熱的產(chǎn)品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶(hù)提供先進(jìn)、靈活的產(chǎn)品組合，以滿(mǎn)足其不斷進(jìn)化的設計需求的堅定承諾?！?/p>

首批產(chǎn)品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號（NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0），并計劃于2025年4月推出一款17mΩ產(chǎn)品。2025年后續還將推出符合汽車(chē)標準的X.PAK封裝SiC MOSFET產(chǎn)品系列，以及80 mΩ等更多RDson等級的產(chǎn)品。