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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應用場(chǎng)景中展現出顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關(guān)鍵電參數、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導體開(kāi)發(fā)者提供從基礎理論到實(shí)踐應用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 共源共柵 cascode
SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應用中有諸多優(yōu)勢，SiC JFET cascode應用指南講解了共源共柵（cascode）結構、關(guān)鍵參數、獨特功能和設計支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結構。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著(zhù)的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現最低的RDS.A，需要權衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著(zhù)如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵
- 關(guān)鍵字： cascode FET SiC
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Cascode
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
SiC JFET并聯(lián)難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！
- 隨著(zhù)Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC?JFET將越來(lái)越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關(guān)鍵參數和并聯(lián)振蕩的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產(chǎn)品介紹、Cascode背景知識和并聯(lián)設計。簡(jiǎn)介大電流操作通常需要直接并聯(lián)功率半導體器件。出于成本或布局的考慮，并聯(lián)分立器件通常是優(yōu)選方案。另一種替代方案是使用功率模塊，但這些模塊實(shí)際上也是通過(guò)并聯(lián)芯片實(shí)現的。本文總結了適用于所
- 關(guān)鍵字： JFET Cascode 功率半導體
從硅到碳化硅過(guò)渡，碳化硅Cascode JFET 為何能成為破局者？
- 電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體管（B
- 關(guān)鍵字： SiC Cascode JFET AC-DC
導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應管
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