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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區
詳談碳化硅蝕刻工藝——干法蝕刻
- 碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著(zhù)廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用，現分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優(yōu)化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線(xiàn)寬：當器件尺寸進(jìn)入亞微米級（<1μm）時(shí)，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線(xiàn)寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W(xué)穩定性挑戰：SiC的化學(xué)穩定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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碳化硅大風(fēng)，吹至半導體設備
- 2025年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)關(guān)鍵發(fā)展節點(diǎn)，正式步入8英寸產(chǎn)能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后，碳化硅設備領(lǐng)域又傳動(dòng)態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶(hù)重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備N(xiāo)anoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶(hù)的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過(guò)程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產(chǎn)品還成功贏(yíng)得了國內半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過(guò)高精度多
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英飛凌碳化硅：“碳” 尋綠色能源之路的創(chuàng )新引擎
- 英飛凌1992年開(kāi)始碳化硅技術(shù)研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個(gè)商用碳化硅二極管，此后生產(chǎn)線(xiàn)不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術(shù)，2024年推出了集成.XT技術(shù)的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng )新，持續引領(lǐng)碳化硅技術(shù)發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會(huì )，深入介紹了其在碳化硅功率器件產(chǎn)品及技術(shù)方面的進(jìn)展及其在工業(yè)與基礎設施領(lǐng)域的應用和
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30年持續領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng )新伙伴
- 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì )的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會(huì )踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰的矛盾，除了當下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì )上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務(wù)大中華區高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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英飛凌：30年持續領(lǐng)跑碳化硅技術(shù)，成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng )新伙伴
- 2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來(lái)最熱的一年，颶風(fēng)、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動(dòng)社會(huì )的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經(jīng)濟社會(huì )踏“綠”前行的過(guò)程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關(guān)鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場(chǎng)與價(jià)格戰的矛盾，除了當下熱門(mén)的新能源汽車(chē)應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場(chǎng)多點(diǎn)開(kāi)花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì )上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務(wù)大中華區高管團隊從業(yè)務(wù)策略、商業(yè)模式到產(chǎn)品優(yōu)勢等多個(gè)維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領(lǐng)域30年的深耕積累和
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格力碳化硅芯片工廠(chǎng)建成投產(chǎn)
- 12月18日消息，格力電器董事長(cháng)董明珠日前在《珍知酌見(jiàn)》欄目中表示，格力芯片成功了。據董明珠介紹，格力在芯片領(lǐng)域從自主研發(fā)、自主設計、自主制造到整個(gè)全產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)完成。據報道，格力芯片工廠(chǎng)是一座投資近百億元建設的碳化硅芯片工廠(chǎng)。該項目于2022年12月開(kāi)始打樁建設，2023年4月開(kāi)始鋼結構吊裝，當年10月設備移入，12個(gè)月實(shí)現通線(xiàn)。項目規劃占地面積600畝，包含芯片工廠(chǎng)、封測工廠(chǎng)以及配套的半導體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關(guān)鍵核心工藝國產(chǎn)化設備導入率超過(guò)70%，據稱(chēng)是全球第二組、亞洲第一座全自
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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē) 電源控制系統
- ●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長(cháng)期供貨協(xié)議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開(kāi)發(fā)逆變器電源控制系統和散熱系統，進(jìn)一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協(xié)議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動(dòng)汽車(chē)技術(shù)設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動(dòng)汽車(chē)制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布了下一步戰略合作行動(dòng)，雷諾集
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引入碳化硅技術(shù)，采埃孚在華第3家電驅動(dòng)工廠(chǎng)開(kāi)業(yè)
- 據采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅動(dòng)工廠(chǎng)—采埃孚電驅動(dòng)系統（沈陽(yáng)）有限公司近日開(kāi)業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅動(dòng)工廠(chǎng)，沈陽(yáng)工廠(chǎng)將生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源汽車(chē)電驅動(dòng)橋三合一總成等產(chǎn)品。據介紹，沈陽(yáng)電驅動(dòng)工廠(chǎng)的主打產(chǎn)品為新能源汽車(chē)的電驅動(dòng)系統，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術(shù)，圍繞800伏平臺持續升級，既可以提升安全等級又可以?xún)?yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅動(dòng)工廠(chǎng)。2022年9月，采埃孚電驅動(dòng)技術(shù)（杭州）有限公司二期項目投產(chǎn)，主要生產(chǎn)800伏
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手搓了一個(gè)3kW碳化硅電源！實(shí)測一下！
- 做了一個(gè)3KW碳化硅電源！(全稱(chēng)：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數是（第1章）？怎么設計出來(lái)的（第2章）？實(shí)測情況（第3章）？原理是（第4章）？開(kāi)源網(wǎng)址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎參數雙主控設計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調電源的前級PFC環(huán)節；②
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基本半導體完成股份改制，正式更名
- 為適應公司戰略發(fā)展需要，經(jīng)深圳市市場(chǎng)監督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續，公司名稱(chēng)正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發(fā)展的重要里程碑，標志著(zhù)公司治理結構、經(jīng)營(yíng)機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發(fā)展階段。從即日起，公司所有業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)活動(dòng)將統一采用新名稱(chēng)“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區龍田街道老坑社區光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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碳化硅6吋基板供過(guò)于求 價(jià)格崩盤(pán)
- 碳化硅（SiC）6吋基板新產(chǎn)能大量開(kāi)出，嚴重供過(guò)于求，報價(jià)幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價(jià)），第四季價(jià)格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產(chǎn)業(yè)人士指出，價(jià)格崩盤(pán)已讓絕大多數業(yè)者陷入賠錢(qián)銷(xiāo)售，而買(mǎi)家不敢輕易出手撿便宜，因為買(mǎi)方預期SiC價(jià)格還會(huì )再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產(chǎn)，但2024年報價(jià)已快速下滑，尤其是中國大陸價(jià)格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業(yè)者分析，8吋SiC基板并沒(méi)有標準價(jià)格，供應鏈端仍屬于試產(chǎn)階段，供給
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聚焦碳化硅項目，鉅芯半導體等三方達成合作
- 據“融中心”消息，大連市中韓經(jīng)濟文化交流協(xié)會(huì )、韓中文化協(xié)會(huì )及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場(chǎng)簽約儀式。此次簽約標志著(zhù)三方在碳化硅領(lǐng)域的合作正式開(kāi)始。據悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車(chē)空調關(guān)鍵零部件的生產(chǎn)展開(kāi)，將共同打造高質(zhì)量的碳化硅產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。據了解，今年以來(lái)，部分韓國半導體廠(chǎng)商正在持續發(fā)力碳化硅產(chǎn)業(yè)，并不斷取得新進(jìn)展。據韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開(kāi)發(fā)出2
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高功率SiC模塊助力實(shí)現可持續軌道交通
- 國際能源署（IEA）今年發(fā)布的報告稱(chēng)，2023年全球與能源相關(guān)的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創(chuàng )新的記錄。其中，交通運輸排放增長(cháng)最為顯著(zhù)，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發(fā)電驅動(dòng)的電氣化列車(chē)，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實(shí)現氣候目標的關(guān)鍵。與電動(dòng)汽車(chē)不同的是，電力機車(chē)已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區的軌道交通電氣化率存在
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劍指8英寸碳化硅！兩大廠(chǎng)官宣合作
- 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網(wǎng)宣布，其與Soitec簽署了一項合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)發(fā)用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開(kāi)發(fā)中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術(shù)加速碳化硅8英寸轉型據悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)處理高質(zhì)量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個(gè)碳化硅單晶襯底生產(chǎn)出多個(gè)高質(zhì)量的碳化硅晶圓，由此顯著(zhù)提
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碳化硅！介紹
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