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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區
中國最大碳化硅工廠(chǎng)點(diǎn)火，可供應本地30%需求，Wolfspeed壓力很大
- 據當地媒體《一財全球》和IT之家報道，據報道，美國碳化硅 （SiC） 巨頭 Wolfspeed 在與快速崛起的中國競爭對手的激烈競爭中徘徊在破產(chǎn)邊緣，中國最大的碳化硅晶圓廠(chǎng)已在武漢正式投產(chǎn)，旨在供應該國國內產(chǎn)量的 30%。YiCai 報告稱(chēng)，一個(gè) SiC 晶圓模型的車(chē)載測試最快將于下個(gè)月開(kāi)始，而另外近 10 個(gè)模型已經(jīng)在驗證中。不久之后將進(jìn)行大規模生產(chǎn)和交付。IT Home 表示，該工廠(chǎng)的一期重點(diǎn)是功率器件，計劃年產(chǎn) 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圓。另一方面，益財國際補充說(shuō)，這足以支持超過(guò) 1
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利用 SMFA 系列非對稱(chēng) TVS 二極管實(shí)現高效 SiC MOSFET 柵極保護
- 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應用越來(lái)越廣泛。隨著(zhù)功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設計人員應更加關(guān)注MOSFET的柵極驅動(dòng)電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長(cháng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動(dòng)器設計措施關(guān)于SiC-MOSFET驅動(dòng)器電路的穩健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅動(dòng)器安全切換半導
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碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
- 全社會(huì )都在積極推動(dòng)低碳化轉型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在 新型電氣能源架構 中，相比于從前，一次能源到終端用戶(hù)的 能源轉換次數增多 。雖然可再生能源是免費的，但是這種多層級的能源轉換，每一步都會(huì )帶來(lái)一定的能耗損失，因此 追求更高效的能源轉化效率至關(guān)重要 。SiC正是功率半導體的 能效提升技術(shù) ，它的出現滿(mǎn)足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場(chǎng)需求：1能效創(chuàng )新： SiC技術(shù)在光伏、儲能、數據中心等大功率電源管理領(lǐng)域，能夠顯著(zhù)
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碳化硅急需開(kāi)辟電動(dòng)汽車(chē)之外的第二條戰線(xiàn)
- 電能與智能是現代社會(huì )發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統，提供物理世界運行的能量基礎，智能恰似數字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )，構建數字空間的決策中樞。作為電能轉換的智能開(kāi)關(guān)，功率半導體在構建現代社會(huì )能源體系中發(fā)揮著(zhù)關(guān)鍵性的樞紐作用，通過(guò)對電壓、電流和頻率的精準調控，功率半導體可以有效地提升電能轉換效率。經(jīng)過(guò)七十年的發(fā)展，功率半導體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結構詳解
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應用場(chǎng)景中展現出顯著(zhù)技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關(guān)鍵電參數、獨特性能優(yōu)勢及設計支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導體開(kāi)發(fā)者提供從基礎理論到實(shí)踐應用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結型場(chǎng)效應晶體管（SiC JFET）相比其
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碳化硅技術(shù)賦能EA10000系列電源的技術(shù)解析與優(yōu)勢對比
- _____為了減緩氣候變化，人類(lèi)在非化石燃料和可再生能源解決方案方面取得了顯著(zhù)進(jìn)展，交通領(lǐng)域的電氣化進(jìn)程也在加速推進(jìn)。這些新興技術(shù)大多對電源提出了更高的要求，尤其是對大功率的需求。例如，電動(dòng)汽車(chē)（EV）的電池包電壓已高達900 VDC以上，容量可達95kWh；快充和超充系統功率更是輕松突破240kW。氫燃料電池堆作為另一種汽車(chē)供電技術(shù)，其功率可超過(guò)500kW，電流高達1000A。市場(chǎng)需求下的挑戰一方面，我們需要擺脫化石燃料，另一方面，全球能耗又在不斷攀升。服務(wù)器農場(chǎng)就是一個(gè)能源需求更高的例子。為了有足夠的
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為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。圖 1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術(shù)？眾多終端產(chǎn)品制造商已選擇碳化硅技術(shù)替代傳統硅技術(shù)，基于雙極結型晶體
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Cascode
為什么碳化硅Cascode JFET可以輕松實(shí)現硅到碳化硅的過(guò)渡？
- 簡(jiǎn)介電力電子器件高度依賴(lài)于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來(lái)越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術(shù)優(yōu)勢（圖1），這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領(lǐng)域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術(shù)。特性Si4H-SiCGaN禁帶能量（eV）1.123.263.50電子遷移率(cm2/Vs)14009001250空穴遷移率(cm2/Vs)600100200
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三安與意法半導體重慶8英寸碳化硅晶圓合資廠(chǎng)正式通線(xiàn)
- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(chǎng)（即“安意法半導體有限公司”，以下簡(jiǎn)稱(chēng)安意法）現已正式通線(xiàn)。這一里程碑標志著(zhù)意法半導體和三安正朝著(zhù)于2025年年底前實(shí)現在中國本地生產(chǎn)8英寸碳化硅這一目標穩步邁進(jìn)，屆時(shí)將更好地滿(mǎn)足中國新能源汽車(chē)、工業(yè)電源及能源等市場(chǎng)對碳化硅日益增長(cháng)的需求。三安光電和意法
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碳化硅與硅：為什么 SiC 是電力電子的未來(lái)
- 在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車(chē)和可再生能源等行業(yè)的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著(zhù)差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來(lái)。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來(lái)電力電子技術(shù)在過(guò)去幾年中取得了前所未有的進(jìn)步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著(zhù)電力電子和可再生能源行業(yè)。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領(lǐng)域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無(wú)與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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800V與碳化硅成為新能源汽車(chē)電驅的新寵，器件性能與可靠性還有上升空間
- 1 我國能源汽車(chē)已突破1000萬(wàn)輛，今年將增長(cháng)24%據賽迪顧問(wèn) 2024 年 12 月發(fā)布的數據預測顯示，我國新能源汽車(chē)的新車(chē)全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車(chē)大國邁向汽車(chē)強國的步伐更加堅實(shí)。據中國汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì )的統計數據顯示，2024年我國汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)分別完成3128.2萬(wàn)輛和3143.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬(wàn)輛以上規模，產(chǎn)銷(xiāo)總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)首次突破1000萬(wàn)輛，分別達到1288.8萬(wàn)輛和1286.6萬(wàn)輛，同比分別增長(cháng)34.4％和35.5
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第 4 代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性
- 簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng )新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開(kāi)關(guān)應用的全面性能設定了基準。市場(chǎng)上的某些廠(chǎng)商只關(guān)注特定品質(zhì)因數?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品
- ●? ?英飛凌開(kāi)始向客戶(hù)提供首批采用先進(jìn)的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術(shù)的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領(lǐng)域提供一流的SiC功率技術(shù)●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
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深圳平湖實(shí)驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
- 據深圳平湖實(shí)驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗室新技術(shù)研究部開(kāi)發(fā)激光剝離工藝來(lái)替代傳統的多線(xiàn)切割工藝，其工藝過(guò)程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線(xiàn)切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著(zhù)效果，該工藝的推廣，對于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著(zhù)重要意義。不僅為SiC襯底產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了輕資產(chǎn)、高效益的新模式，也為其他硬質(zhì)
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第4代碳化硅技術(shù)：重新定義高功率應用的性能和耐久性
- 簡(jiǎn)介本白皮書(shū)重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專(zhuān)為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)?；谠谔蓟鑴?chuàng )新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新定義行業(yè)基準。在第 4 代發(fā)布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開(kāi)關(guān)應用的全面性能設定了基準。市場(chǎng)上的某些廠(chǎng)商只關(guān)注特定品質(zhì)因數 (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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碳化硅！介紹
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