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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區
Power Integrations升級你的電池管理系統
- 電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車(chē)心臟般的存在，它不僅是車(chē)輛動(dòng)力之源，更是決定車(chē)輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車(chē)中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車(chē)輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監測和控制，以維持其長(cháng)久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
- 關(guān)鍵字： BMS 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 Power Integrations
全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng )始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚杰科技等本土供應鏈廠(chǎng)商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會(huì )
- 華泰證券發(fā)布研報稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會(huì ))上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠(chǎng)商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長(cháng)?！ ∪A泰證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：
- 關(guān)鍵字： 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進(jìn)封裝
意法半導體碳化硅數位電源解決方案被肯微科技采用用于高效率可靠的服務(wù)器電源供應器設計及應用
- 服務(wù)橫跨多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商意法半導體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）近日宣布與高效能電源供應領(lǐng)導廠(chǎng)商肯微科技合作，設計及研發(fā)使用ST被業(yè)界認可的碳化硅（SiC）、電氣隔離和微控制器的服務(wù)器電源參考設計技術(shù)。該參考方案是電源設計數位電源轉換器應用的理想選擇，尤其在服務(wù)器、數據中心和通信電源的領(lǐng)域。隨著(zhù)人工智能（AI）、5G和物聯(lián)網(wǎng)（IoT）的推波助瀾下，對數位服務(wù)的需求持續成長(cháng)，能源及用電控制是數據中心永續發(fā)展需面對的重要課題。STDES-3KWTLCP參考設計適用于3k
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廠(chǎng)商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠(chǎng)已開(kāi)始安裝長(cháng)晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠(chǎng)將會(huì )有產(chǎn)出。該工廠(chǎng)將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 碳化硅
總投資50億美元，Wolfspeed全球最大碳化硅工廠(chǎng)封頂
- 據Wolfspeed官微消息，全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者Wolfspeed在位于美國北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour 碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據悉，John Palmour 碳化硅制造中心總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。該制造中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著(zhù)擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求。產(chǎn)能的爬坡將為近期簽訂的客戶(hù)協(xié)議（瑞薩、英飛凌、以及其他企業(yè)等）提供支持，推動(dòng)具有重要
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 碳化硅
Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉型，提升對于能源轉型至關(guān)重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著(zhù)擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程封頂
- 3月28日消息，當地時(shí)間3月26日，Wolfspeed宣布第三座工廠(chǎng)——8英寸SiC襯底產(chǎn)線(xiàn)一期工程舉行了封頂儀式。據了解，該工廠(chǎng)位于貝卡萊納州查塔姆縣，總投資50億美元（約合人民幣356億元），占地面積445英畝，主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前，該工廠(chǎng)已有一些長(cháng)晶爐設備進(jìn)場(chǎng)，預計2024年底將完成一期工程建設，2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn)，預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期，Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶(hù)協(xié)議，查塔姆工廠(chǎng)的投建將為這些協(xié)議提供支持，同
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 Wolfspeed SiC 瑞薩 英飛凌
近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增
- 隨著(zhù)近年來(lái)對碳化硅（SiC）襯底需求的持續激增，市場(chǎng)研究公司TrendForce表示，對于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高，因為最終產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結構的比例最高，約占50%。因此，襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢，大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用，市場(chǎng)對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算，從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%，從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí)，8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片，從而減少邊緣浪
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SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時(shí)期，萬(wàn)物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開(kāi)了序幕?，F場(chǎng)一片繁忙熱鬧，據悉本次展會(huì )面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個(gè)展位和20多場(chǎng)會(huì )議及活動(dòng)涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進(jìn)材料、芯車(chē)會(huì )等多個(gè)專(zhuān)區。本次展會(huì )中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據全球半導體觀(guān)察不完全統計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來(lái)了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進(jìn)、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充
- 受惠于下游應用市場(chǎng)的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長(cháng)期。據TrendForce集邦咨詢(xún)預期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。近期，備受關(guān)注的碳化硅市場(chǎng)又有了新動(dòng)態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠(chǎng)預計4月開(kāi)建據日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開(kāi)工建設新的8英寸SiC工廠(chǎng)，并計劃于2026年4月投入運營(yíng)。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個(gè)
- 關(guān)鍵字： 新能源汽車(chē) 碳化硅 第三代半導體
芯動(dòng)半導體與與意法半導體達成SiC合作
- 3月13日消息，日前，芯動(dòng)半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動(dòng)長(cháng)城汽車(chē)垂直整合，穩定供應鏈發(fā)展。公開(kāi)資料顯示，芯動(dòng)半導體于2022年11月成立于江蘇無(wú)錫，由長(cháng)城汽車(chē)與穩晟科技合資成立，以開(kāi)發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動(dòng)半導體位于無(wú)錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規劃車(chē)規級模組年產(chǎn)能為120萬(wàn)套，預計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動(dòng)
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
晶盛機電披露碳化硅進(jìn)展
- 近日，晶盛機電在接受機構調研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷(xiāo)售，6英寸碳化硅外延設備實(shí)現批量銷(xiāo)售且訂單量快速增長(cháng)，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(cháng)設備，實(shí)現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到
- 關(guān)鍵字： 半導體設備 晶盛機電 碳化硅
碳化硅！介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅！!
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