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碳化硅！
碳化硅！ 文章 進(jìn)入碳化硅！技術(shù)社區
意法半導體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠(chǎng)
- 12月1日消息，近日，據外媒報道，意法半導體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導體晶圓廠(chǎng)。該晶圓廠(chǎng)將專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動(dòng)車(chē)關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長(cháng)潛力。報道稱(chēng)，此舉是意法半導體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠(chǎng)計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預計2025年第四季度投產(chǎn)，預計到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元。
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英飛凌已開(kāi)始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動(dòng)力部門(mén)（GIP）總裁Peter Wawer在受訪(fǎng)時(shí)透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠(chǎng)生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠(chǎng)制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產(chǎn)應用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過(guò)大幅擴建其Kulim工廠(chǎng)（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱(chēng)，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠(chǎng)SiC（碳化硅）功率工廠(chǎng)。值得一提的是該計劃
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Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著(zhù)Omdia預測電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會(huì )產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(cháng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀，但它們的技術(shù)成熟度與可持續發(fā)展運動(dòng)相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著(zhù)顯著(zhù)的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
- 在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著(zhù)提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布與國際著(zhù)名的先進(jìn)電子器件供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設計的高頻電源應用，以滿(mǎn)足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長(cháng)期以來(lái)保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應用的關(guān)鍵需求是節省空間和減輕
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應能微電子（深圳）有限公司
- 應能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設計、制造和銷(xiāo)售的半導體技術(shù)公司。應能成立于2012年，其核心團隊來(lái)自美國硅谷，全產(chǎn)品線(xiàn)皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應能微的半導體芯片應用市場(chǎng)包括快速增長(cháng)的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車(chē)上均有廣泛的應用。應能微銷(xiāo)售總監曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標上表現出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線(xiàn)
- 11月2日消息，據“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導體二期產(chǎn)線(xiàn)順利下線(xiàn)，完成自主封裝、測試以及應用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車(chē)續航里程提升5%-8%。據悉，智新半導體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動(dòng)力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進(jìn)行前期先行開(kāi)發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
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滿(mǎn)足市場(chǎng)對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現的應用使地球的未來(lái)充滿(mǎn)了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時(shí)間和續航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅
通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統
- 電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
- 關(guān)鍵字： 202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
中芯集成正式設立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現身股東榜
- 10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱(chēng)，新設立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場(chǎng)監督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執照》。根據中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng )始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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安森美韓國碳化硅工廠(chǎng)擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片
- 安森美位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱(chēng)，其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠(chǎng)SiC半導體產(chǎn)量預計將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來(lái)三年內雇傭多達1000名當地員工來(lái)填補大部分高
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安森美韓國富川碳化硅工廠(chǎng)擴建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)及高科技公用設施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠(chǎng)的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產(chǎn)量大幅增長(cháng)。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè )觀(guān)預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著(zhù)各公司產(chǎn)能釋放，預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據行業(yè)消息和市調機構的統計，此前天岳先進(jìn)、天科合達合計占據全球
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瑞能半導體CEO:碳化硅驅動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”
- 日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會(huì )（ISES，原CISES）。作為半導體原廠(chǎng)和設備制造商云集的平臺，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創(chuàng )新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應鏈的創(chuàng )新、商業(yè)和投資機會(huì )，為半導體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì )以“寬禁帶功率半導體在汽車(chē)應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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碳化硅！介紹
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