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碳化硅大風(fēng),吹至半導體設備

作者: 時(shí)間:2025-02-13 來(lái)源:集邦化合物半導體 收藏

2025年以來(lái),產(chǎn)業(yè)迎來(lái)關(guān)鍵發(fā)展節點(diǎn),正式步入8英寸產(chǎn)能轉換的重要階段。在這一背景下,繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后,設備領(lǐng)域又傳動(dòng)態(tài):中導光電拿下SiC頭部客戶(hù)重復訂單。 

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202502/466891.htm

近日,中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備N(xiāo)anoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶(hù)的重復訂單,該設備用于SiC前道工藝過(guò)程缺陷檢測。此外,1月初,該設備產(chǎn)品還成功贏(yíng)得了國內半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。 

中導光電表示,公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源,通過(guò)高精度多模式缺陷檢測技術(shù)的升級、人工智能AI缺陷識別算法的系統優(yōu)化、設備整體性能提升等多方面的努力,使SiC晶圓制造的質(zhì)量和效率得到顯著(zhù)提升。


 source:“中導光電”官微

洞察SiC晶圓制造檢測難點(diǎn)

(SiC)作為第三代半導體材料的代表,近年來(lái)在半導體領(lǐng)域中備受矚目。與傳統的硅基半導體材料相比,碳化硅具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)、高電子飽和漂移速度、高熱導率等優(yōu)異特性。這些特性使得碳化硅在高溫、高頻、高功率的應用場(chǎng)景中展現出明顯優(yōu)勢,廣泛應用于新能源、5G通信、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。 

在新能源汽車(chē)中,碳化硅功率器件能夠有效降低能量損耗,提升續航里程;在5G通信基站里,它能滿(mǎn)足高頻信號處理的需求,實(shí)現更高效的數據傳輸。

然而,要充分發(fā)揮碳化硅的這些優(yōu)勢,高質(zhì)量的SiC晶圓制造至關(guān)重要,其中碳化硅設備扮演著(zhù)不可或缺的角色。 SiC晶圓制造過(guò)程對缺陷檢測的要求極高,因為任何微小缺陷都可能影響最終產(chǎn)品的性能。

SiC晶圓缺陷檢測的難點(diǎn)眾多,比如材料特性復雜,其晶體結構和物理性質(zhì)與傳統硅材料有很大差異,增加了檢測難度;納米級缺陷檢測需要極高的精度,而高靈敏度要求使得檢測過(guò)程中區分真實(shí)缺陷和噪聲信號成為挑戰;此外,SiC晶圓的多層結構也給檢測帶來(lái)困難。 

同時(shí),SiC缺陷類(lèi)型多樣,在檢測過(guò)程中需要精準區分真實(shí)缺陷和噪聲信號,這對算法和設備的穩定性提出了更高要求。再加上SiC晶圓的高成本,要求檢測設備在保證高精度的同時(shí),還要具備較高的檢測效率,以降低整體生產(chǎn)成本。

碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭白熱化

目前,碳化硅產(chǎn)業(yè)競爭較為激烈。除了中導光電在缺陷檢測設備方面取得進(jìn)展外,還有眾多企業(yè)也在積極從產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節進(jìn)行布局。


source:拍信網(wǎng) 

近期有消息傳出,德國汽車(chē)零部件供應商博世已與美國商務(wù)部達成初步協(xié)議,計劃投資19億美元把加州的羅斯維爾制造設施工廠(chǎng)改造為生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片的半導體工廠(chǎng)。 

而重慶8英寸碳化硅項目預計2025年2月底通線(xiàn),該項目由三安光電和意法半導體合資建廠(chǎng),全面整合8英寸車(chē)規級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造。 

英飛凌馬來(lái)西亞居林高科技園區第三廠(chǎng)區已經(jīng)正式落成并開(kāi)始運作,以碳化硅為主力,預計2025年開(kāi)始量產(chǎn),目前初期碳化硅生產(chǎn)仍以成熟的6寸晶圓為主,2027全面轉向8寸晶圓。 

據此前市場(chǎng)透露,2025年,芯聯(lián)集成計劃進(jìn)入規模量產(chǎn),其在2024年4月率先開(kāi)啟8英寸碳化硅生產(chǎn);南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項目計劃2025年實(shí)現滿(mǎn)產(chǎn)達產(chǎn),規劃打造全國最大的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地。

結語(yǔ)

據TrendForce集邦咨詢(xún)研究數據指出,SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場(chǎng)中仍然呈現加速滲透之勢,未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(cháng)態(tài)勢,預估2028年全球SiCPowerDevice市場(chǎng)規模有望達到91.7億美金。 總體而言,隨著(zhù)全球對碳化硅需求的持續攀升,未來(lái)碳化硅產(chǎn)業(yè)將呈現技術(shù)與市場(chǎng)雙輪驅動(dòng)的發(fā)展態(tài)勢。

碳化硅在新能源汽車(chē)、5G通信、航空航天、智能電網(wǎng)等更多領(lǐng)域持續拓展應用,也將進(jìn)一步刺激市場(chǎng)對碳化硅設備的需求,推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展壯大。 業(yè)界稱(chēng),未來(lái)行業(yè)研發(fā)重點(diǎn)將集中于提升設備精度、效率以及降低成本。在晶體生長(cháng)設備方面,如何生長(cháng)出更大尺寸、更高質(zhì)量的碳化硅晶體,減少晶體缺陷,將成為技術(shù)突破的關(guān)鍵方向。




關(guān)鍵詞: 碳化硅 半導體設備

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