博世將獲美芯片補貼擴產(chǎn)SiC半導體

據媒體報道，美國商務(wù)部13日宣布，已與德國汽車(chē)零部件供應商博世達成初步協(xié)議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體。

據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠(chǎng)，以生產(chǎn)碳化硅功率半導體。此外，美國商務(wù)部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開(kāi)始生產(chǎn) SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營(yíng)，可能占美國SiC制造產(chǎn)能的40%以上。