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碳化硅!
碳化硅! 文章 進(jìn)入碳化硅!技術(shù)社區
開(kāi)關(guān)電源轉換器高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件
- 進(jìn)入21世紀,開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì )有更大的發(fā)展,這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源 轉換器 碳化硅(SiC)
具有快速開(kāi)關(guān)和低VCESAT的1200V碳化硅雙極性晶體管
- 由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖,電力電子設備的能源效率已經(jīng)變得越來(lái)越重要。為了提升電力電子設備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導體器件技術(shù)是關(guān)鍵所在。在半導體器件中,功率損耗的降低可以改善
- 關(guān)鍵字: VCESAT 1200V 開(kāi)關(guān) 碳化硅
瑞薩開(kāi)發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件

- 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩”)宣布開(kāi)發(fā)出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統。該器件還采用了日立株式會(huì )社與瑞薩聯(lián)合開(kāi)發(fā)的技術(shù),有助于實(shí)現低功耗。與瑞薩采用傳統硅(Si)的現有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 半導體 碳化硅
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起,節能降耗已成潮流。在現代化生活中,人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題,電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成,提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計,60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的,而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件,也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下,性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字: 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
開(kāi)關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)
- 上世紀60年代,開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)世,使其逐步取代了線(xiàn)性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來(lái),開(kāi)關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導體器件、高頻化和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)、開(kāi)關(guān)電源系統的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
- 關(guān)鍵字: 開(kāi)關(guān)電源,IGBT 碳化硅 AC/DC
碳化硅!介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅!!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對碳化硅!的理解,并與今后在此搜索碳化硅!的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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