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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
電動(dòng)汽車(chē)東風(fēng)起，Wolfspeed、安森美等頭部大廠(chǎng)碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動(dòng)汽車(chē)的快速發(fā)展緊密相連，隨著(zhù)新能源汽車(chē)的加速滲透，以及自動(dòng)駕駛技術(shù)的升級演變，車(chē)用芯片需求不斷上升，第三代半導體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè)，其動(dòng)態(tài)是行業(yè)的重要風(fēng)向標，近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望，反映車(chē)規級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠(chǎng)近日，碳化硅廠(chǎng)商Wolfspeed公司表示，隨著(zhù)需求的激增，其將在北卡羅來(lái)納州查塔姆縣建造一座價(jià)值數十億美元的新工廠(chǎng)，以生產(chǎn)為電動(dòng)汽
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第三代半導體頭部企業(yè)基本半導體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
- 2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯(lián)合投資，現有股東屹唐長(cháng)厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。本輪融資將用于進(jìn)一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節的研發(fā)制造能力，提升產(chǎn)能規模，支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏儲能等市場(chǎng)的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業(yè)務(wù)加速拓
- 關(guān)鍵字： 基本半導體 代半導體 碳化硅
第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時(shí)代要結束了嗎
- 半導體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門(mén)負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷(xiāo)售大幅下滑態(tài)勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(cháng)率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預期上調為“同比增長(cháng)3倍”，而
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貿澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字： 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項：一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?如果將延長(cháng)電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進(jìn)行測量，在開(kāi)關(guān)速度較快時(shí)
- 關(guān)鍵字： 羅姆半導體，MOSFET
東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
- 關(guān)鍵字： 東芝 SiC MOSFET
安森美慶祝在新罕布什爾州擴張碳化硅工廠(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應保證，以滿(mǎn)足對基于SiC的方案迅速增長(cháng)的需求。SiC對于提高電
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅工廠(chǎng) SiC
UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動(dòng)應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長(cháng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應用實(shí)現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽(tīng)器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿(mǎn)足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級 MOSFET
單片驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統設計
- 本文介紹最新的驅動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進(jìn)而增強最終應用的整體性能。引言隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域，推動(dòng)穩壓器發(fā)展的主要有兩個(gè)參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿(mǎn)足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個(gè)參數是功率轉換效率
- 關(guān)鍵字： ADI MOSFET 電源系統設計
UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(cháng)的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實(shí)現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
功率半導體組件的主流爭霸戰
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來(lái)，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類(lèi)半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)林若蓁博士（現職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長(cháng)）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
- 關(guān)鍵字： 硅 碳化硅 氮化鎵 功率半導體
碳化硅助力電動(dòng)汽車(chē)的續航和成本全方位優(yōu)化
- 與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進(jìn)一步降低了設計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著(zhù)降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開(kāi)發(fā)領(lǐng)域處于先進(jìn)地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應用中都實(shí)現了更佳的節能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 202207 碳化硅 電動(dòng)汽車(chē) 羅姆
安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規模儲能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(cháng)遠的發(fā)展路向。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(cháng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國汽車(chē)OEM技術(shù)負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關(guān)鍵字： 202207 安森美 SiC
碳化硅助力電動(dòng)汽車(chē)續航和成本的全方位優(yōu)化
- 受訪(fǎng)人：水原德健 羅姆半導體（北京）有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？ 目前，市場(chǎng)上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場(chǎng)景。當低頻、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
- 關(guān)鍵字： 羅姆 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅
碳化硅(sic)mosfet介紹
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