貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能。

可再生能源和大功率工業(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1 EliteSiC MOSFET就可以提供這樣的特性。NTH4L028N170M1的最大柵極至源極電壓 (V_GS) 范圍為-15V至+25V，適用于柵極電壓達到-10V的快速開(kāi)關(guān)應用，從而提高系統可靠性。1700V EliteSiC MOSFET在1200V、40A測試條件下的柵極電荷 (Q_g) 僅為200nC，在快速開(kāi)關(guān)、大功率可再生能源應用中具有很高的效率。

NDSH25170A和NDSH10170A EliteSiC肖特基二極管的額定BV為1700V，在最大反向電壓 (V_RRM) 和重復峰值反向電壓之間具有更大的容限。這些器件還使設計人員能夠在高溫下實(shí)現穩定的高壓操作，并且不會(huì )影響SiC的高效率。

無(wú)論是電動(dòng)汽車(chē)充電站、利用可再生能源的電網(wǎng)，還是高壓/大電流的工業(yè)驅動(dòng)應用，安森美EliteSiC都能實(shí)現出色的效率，并降低功率損耗。

貿澤在過(guò)去兩年中提供了超122,000個(gè)新物料編號。