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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車(chē)和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)系統（如電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽(yáng)能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術(shù)、分立式封裝和功率模塊的進(jìn)步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來(lái)說(shuō)是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽(yáng)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC
意法半導體為博格華納提供SiC，“上車(chē)”沃爾沃？
- 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來(lái)多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術(shù)團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開(kāi)關(guān)匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車(chē)輛性能
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國內8英寸碳化硅加速布局！
- 近期，三安半導體發(fā)布消息稱(chēng)，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會(huì )上有多家重要客戶(hù)在詳細詢(xún)問(wèn)三安半導體產(chǎn)品參數后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
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基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。電路設計包括前端無(wú)橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時(shí)，測量峰值效率為96.3%
- 關(guān)鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無(wú)橋PFC 全橋LLC 數字電源
意法半導體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設計
- ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現電動(dòng)化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設計電驅逆變器平臺服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)將與提供創(chuàng )新和可持續移動(dòng)解決方案的全球領(lǐng)導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼：BWA)合作，為博格華納專(zhuān)有的基于 Viper 功率模塊
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC 博格華納 功率模塊 沃爾沃 電動(dòng)汽車(chē)
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著(zhù)新能源汽車(chē)和電動(dòng)飛機概念的興起，在可預見(jiàn)的未來(lái)里，電能都將會(huì )是人類(lèi)社會(huì )發(fā)展的主要能源。然而，隨著(zhù)電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會(huì )對電能的消耗量都是一個(gè)天文數字。比如在中國，根據國家能源局發(fā)布的數據，2022年全社會(huì )用電量86,372億千瓦時(shí)，同比增長(cháng)3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車(chē)在整車(chē)制造方面，用電量大幅增長(cháng)71.1%。圖1：全社會(huì )用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業(yè)電氣化進(jìn)程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個(gè)嚴峻的問(wèn)題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會(huì )將高能效和低能
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100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設計了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅動(dòng)約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動(dòng)級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類(lèi)工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 MOSFET
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng )新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著(zhù)阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開(kāi)始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
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東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來(lái)幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關(guān)鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設計
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng )建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術(shù)（包括用于驅動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度的高性能隔離式柵極驅動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統效率。隔離式柵極驅動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
碳化硅下游市場(chǎng)需求旺盛 企業(yè)紛紛擴張產(chǎn)能加速出貨
- 隨著(zhù)碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車(chē)、新能源等領(lǐng)域的應用日益廣泛，市場(chǎng)需求不斷增長(cháng)。近期，一批碳化硅項目集中開(kāi)工，部分公司接到批量訂單，推動(dòng)了碳化硅加速量產(chǎn)。傳播星球App聯(lián)合創(chuàng )始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場(chǎng)景主要包括電動(dòng)汽車(chē)、光伏發(fā)電、充電樁、電力電子等領(lǐng)域。近年來(lái)，我國在碳化硅領(lǐng)域的研究和應用取得快速發(fā)展，一些項目已經(jīng)落地實(shí)施。例如，在新能源汽車(chē)的高壓充電技術(shù)方面，碳化硅作為其中的關(guān)鍵材料，其需求正日益增長(cháng)?！疤蓟枳鳛橐环N優(yōu)良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，是實(shí)現高壓快充技
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 新能源
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
- 關(guān)鍵字： SiC
碳化硅熱度，只增不減
- 在半導體行業(yè)的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個(gè)反例。隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)功率半導體價(jià)值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠(chǎng)商競相投資擴大產(chǎn)能，并且在未來(lái)的五年里，它的熱度只會(huì )增不會(huì )減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業(yè)的投資并購動(dòng)作中也可窺見(jiàn)一二。國內上半年融資創(chuàng )三年之最2021 年有多家碳化硅企業(yè)獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業(yè)內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
- 關(guān)鍵字： 碳化硅
高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設計理念
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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