國內8英寸SiC傳來(lái)新進(jìn)展

近年來(lái)，汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)充電應用及儲能系統等領(lǐng)域對碳化硅半導體產(chǎn)品需求不斷增長(cháng)，并推動(dòng)新興半導體材料的發(fā)展。

在碳化硅襯底上，國內廠(chǎng)商正加速研發(fā)步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現8英寸拋光片的開(kāi)發(fā)，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實(shí)現小批量生產(chǎn)；天科合達計劃在2023年實(shí)現8英寸襯底產(chǎn)品的小規模量產(chǎn)，同時(shí)該公司在5月與半導體大廠(chǎng)英飛凌簽訂碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議。近期，科友半導體傳來(lái)了新消息。

6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(cháng)速率、制備成本、及裝備穩定性等方面取得可喜成績(jì)。此前4月，科友半導體8英寸SiC中試線(xiàn)正式貫通并進(jìn)入中試線(xiàn)生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。

具體來(lái)看，在尺寸、厚度方面，科友半導體實(shí)現了高厚度、低應力6/8英寸碳化硅晶體穩定制備，在6英寸晶體厚度超過(guò)40mm的基礎上，8英寸晶體直徑超過(guò)210mm，厚度目前穩定在15mm以上。

缺陷密度方面，科友半導體6英寸晶體位錯缺陷密度＜3000個(gè)cm-2，8英寸晶體微管密度＜0.1個(gè)cm-2，位錯缺陷密度＜5000個(gè)cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平。

生長(cháng)速率方面，科友半導體基于高熱場(chǎng)穩定性、高工藝穩定性、和高裝備穩定性，突破了8英寸SiC晶體快速生長(cháng)工藝技術(shù)，長(cháng)晶速率已達到170μm/h以上，長(cháng)晶周期約為4-5天，單臺長(cháng)晶爐設備每月運轉約6-7爐次。

產(chǎn)品良率方面，科友半導體基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，開(kāi)發(fā)出適用于8英寸SiC穩定生長(cháng)的工藝技術(shù)，大幅提升了長(cháng)晶的穩定性、重現性。

資料顯示，科友半導體成立于2018年5月，是一家專(zhuān)注于第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制作、器件設計、科研成果轉化的國家級高新技術(shù)企業(yè)，研發(fā)覆蓋半導體裝備研制、長(cháng)晶工藝、襯底加工等多個(gè)領(lǐng)域，已形成自主知識產(chǎn)權，實(shí)現先進(jìn)技術(shù)自主可控。

科友半導體在哈爾濱新區打造產(chǎn)、學(xué)、研一體化的第三代半導體產(chǎn)學(xué)研聚集區，實(shí)現碳化硅材料端從原材料提純-裝備制造-晶體生長(cháng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，致力成為第三代半導體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應商。

目前，科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，8英寸SiC中試線(xiàn)平均長(cháng)晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上，有望粉碎國際封鎖，成為我國大尺寸低成本碳化硅規?；慨a(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者。