Nexperia擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
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奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應用。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202306/447879.htm 
長(cháng)期以來(lái)，品質(zhì)因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數導致產(chǎn)生了意外后果，在打開(kāi)或關(guān)閉MOSFET時(shí)尖峰耐壓升高，從而使得產(chǎn)生的電磁干擾(EMI)增加。確認這一新問(wèn)題后，Nexperia立即開(kāi)始研究如何改善其他工藝技術(shù)參數，以幫助解決此問(wèn)題。Nexperia的不懈努力最終促成了NextPower 80/100 V MOSFET的發(fā)布。該器件的Qrr（反向恢復電荷）較低，因此可顯著(zhù)降低開(kāi)關(guān)轉換期間的尖峰值，同時(shí)表現出與競品MOSFET相同的高效性能，且具有更低的EMI。
通過(guò)為高效率、低尖峰的NextPower 80/100 V MOSFET新增LFPAK56和LFPAK88封裝系列，Nexperia不僅可以幫助設計人員縮小應用尺寸并體驗到銅夾片封裝的超強可靠性，而且還為設計工程師和客戶(hù)提供了新的選擇，希望為現有設計提供額外的資源。
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