碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
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意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長(cháng)聯(lián)合，布局多重應用，投資未來(lái)

歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據市場(chǎng)研究機構Garnter數據，ST 2022年營(yíng)收158.4億美元，年增長(cháng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
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英飛凌高壓超結MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車(chē)規級器件

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現緊湊輕便的系統設計，同時(shí)以低成本實(shí)現高質(zhì)量。為滿(mǎn)足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng )新可持續的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(cháng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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汽車(chē)芯片，有兩大好賽道

汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
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英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議

英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
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羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能

全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨霸，根據統計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營(yíng)收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內，預計在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324

前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì )從AQG324這個(gè)測試標準的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現這個(gè)用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統的效率

全球范圍內正在經(jīng)歷一場(chǎng)能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長(cháng)量的大約 95%。太陽(yáng)能將占到這 95% 中的一半以上。如今，在遠大的清潔能源目標和政府政策的驅動(dòng)下，太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 基礎設施和儲能領(lǐng)域不斷加快采用可再生能源?？稍偕茉吹闹饾u普及也為在工業(yè)、商業(yè)和住宅應用中部署功率轉換系統提供了更多機會(huì )。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件，可幫助設計人員平衡四大性能指標：效率、密度、成本和可靠性。SiC 相比傳統基于 IGBT 的電源應用在可再生能源系統中的優(yōu)
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_(kāi)”開(kāi)關(guān)運行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開(kāi) "開(kāi)關(guān)的功率MOSFET，稱(chēng)為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開(kāi)關(guān)型應用中，發(fā)揮著(zhù)開(kāi)關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護、防反接保護或固態(tài)繼電器等應用中，當柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級到 800V 電池架構

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 車(chē)載充電器

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車(chē)載充電器升級到800V電池架構

自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
關(guān)鍵字：安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動(dòng)器