意法半導體、三安光電將成立碳化硅合資制造廠(chǎng)

·   意法半導體和三安光電將成立一家合資制造廠(chǎng)，進(jìn)行8英寸碳化硅 (SiC)器件大規模量產(chǎn)

·   該合資廠(chǎng)將有助于滿(mǎn)足中國汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應用對意法半導體 SiC器件日益增長(cháng)的需求

·   三安光電還將單獨建造一個(gè)8英寸 SiC襯底制造廠(chǎng)，以滿(mǎn)足該合資廠(chǎng)的襯底需求 

2023年6月7日，中國 -- 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼：STM)，和中國化合物半導體龍頭企業(yè)（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產(chǎn)品）三安光電（上海證券交易所代碼：600703）今日宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在中國重慶建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件合資制造廠(chǎng)。新的SiC制造廠(chǎng)計劃于2025年第四季度開(kāi)始生產(chǎn)，預計將于2028年全面落成，屆時(shí)將更好地支持中國的汽車(chē)電氣化、工業(yè)電力和能源等應用日益增長(cháng)的需求。同時(shí)，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營(yíng)一個(gè)新的8英寸 SiC襯底制造廠(chǎng)，以滿(mǎn)足該合資廠(chǎng)的襯底需求。 

該合資廠(chǎng)將采用ST的SiC專(zhuān)利制造工藝技術(shù)，專(zhuān)注于為ST生產(chǎn)SiC器件，作為ST的專(zhuān)用晶圓代工廠(chǎng)以滿(mǎn)足其中國客戶(hù)的需求。 

該合資廠(chǎng)全部建設總額預計約達32億美元，其中未來(lái)5年的資本支出約為24億美元，資金來(lái)源包括來(lái)自意法半導體和三安光電的資金投入、來(lái)自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)向外貸款。

三安光電首席執行官林科闖表示：“該合資廠(chǎng)的成立將有力推動(dòng)SiC器件在中國市場(chǎng)的廣泛采用。作為一家國際知名的高品質(zhì)SiC晶圓代工服務(wù)公司，三安還將新建一個(gè)SiC襯底工廠(chǎng)，專(zhuān)門(mén)為新成立的合資廠(chǎng)提供SiC襯底。這是三安光電朝著(zhù)成為SiC專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)這一目標邁出的重要一步。隨著(zhù)新合資廠(chǎng)的成立和新SiC襯底工廠(chǎng)的產(chǎn)能擴張，我們有信心三安將繼續在SiC專(zhuān)業(yè)晶圓代工市場(chǎng)占據優(yōu)勢地位”。

意法半導體總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery表示：“中國的汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域正在朝著(zhù)電氣化全速前進(jìn)，在這個(gè)市場(chǎng)上，ST已經(jīng)成功拿下了許多客戶(hù)項目。對ST來(lái)說(shuō)，與中國本地的重要合作伙伴一起成立一個(gè)專(zhuān)門(mén)的晶圓廠(chǎng)，這將幫助我們以最高效的方式滿(mǎn)足中國客戶(hù)不斷增長(cháng)的需求。將三安光電未來(lái)的8英寸襯底制造廠(chǎng)、雙方新成立的前端合資制造廠(chǎng)、以及ST在中國深圳現有的后端制造廠(chǎng)相結合，ST將有能力為我們的中國客戶(hù)提供一個(gè)完全垂直整合的SiC價(jià)值鏈。此舉將成為繼ST在意大利和新加坡的持續重大投資外，進(jìn)一步擴大其全球SiC制造業(yè)務(wù)的重要一步。新合資廠(chǎng)將助力ST實(shí)現到2030年取得50億美元以上SiC營(yíng)收這一目標。這一舉措也與ST在2025-2027年實(shí)現200億美元以上的營(yíng)收目標以及我們之前向資本市場(chǎng)傳達的相關(guān)財務(wù)模式相契合?！?nbsp;

該項目的完成仍需監管部門(mén)批準。