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碳化硅 mosfet
碳化硅 mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區
安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
如何增強系統魯棒性？這三樣法寶請您收下！
- 本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō)，壓降不是問(wèn)題，但在高電流應用中，各個(gè)壓降會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)的功率損耗。理想二極管是此類(lèi)應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優(yōu)勢。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導通電阻功率開(kāi)關(guān)（通常為MOSFET）來(lái)模擬二極管的單向
- 關(guān)鍵字： MOSFET 二極管 功率開(kāi)關(guān)
工業(yè)電源模塊對功率器件的要求
- 工業(yè)電源的作用是將交流電轉換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域為設備提供穩定的電力供應，在工業(yè)自動(dòng)化、通訊、醫療、數據中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應用環(huán)境苛刻復雜，對電源的穩定性要求更高，需滿(mǎn)足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時(shí)，它對EMI和穩定性的要求也比其它應用更為嚴格。按在電能轉換過(guò)程中的位置做分類(lèi)，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結構設計，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個(gè)結構緊湊、體積小、高可靠的電子穩壓電源
- 關(guān)鍵字： 工業(yè)電源 功率器件 碳化硅
電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)催生碳化硅新前景
- 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車(chē)電子領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 新能源汽車(chē) 汽車(chē)電子
小米汽車(chē)發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，爭做冬季續航之王
- 12月29日消息，昨日，在小米汽車(chē)技術(shù)發(fā)布會(huì )上，小米集團董事長(cháng)雷軍宣布，發(fā)布CTB一體化電池技術(shù)，全球最高體積效率達77.8%，采用小米800V碳化硅高壓平臺，最高電壓達871V，與寧德時(shí)代歷時(shí)兩年共同研發(fā)。據雷軍介紹，小米電池通過(guò)全球最嚴苛的熱失效安全標準，采用17層高壓絕緣防護，7.8m2同級最大冷卻面積，并使用165片氣凝膠隔熱。同時(shí)，采用行業(yè)首創(chuàng )電芯倒置技術(shù)，最大程度保證乘員艙安全。同時(shí)，該項技術(shù)可以達到低溫環(huán)境下“續航保持率同級更高、空調升溫速度同級更快、充電速度同級更快”，雷軍表示，小米汽車(chē)立
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全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長(cháng)率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(cháng)到2028年的$84.3B，復合年增長(cháng)率高達11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導體器件價(jià)值約為540美元，在A(yíng)DAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長(cháng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅
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SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢
- 低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
意法半導體碳化硅助力理想汽車(chē)加速進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)
- 2023年12月22日，中國北京-服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設計、研發(fā)、制造和銷(xiāo)售豪華智能電動(dòng)車(chē)的中國新能源汽車(chē)龍頭廠(chǎng)商理想汽車(chē)（紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅（SiC）長(cháng)期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰略部署。隨著(zhù)汽車(chē)行業(yè)電動(dòng)化和綠色低碳轉型的持續深入，高壓純電動(dòng)車(chē)因其能效更高、續航里程更遠，已成為汽車(chē)制
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NMOS和PMOS詳解
- 一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目順利通過(guò)中期驗收
- 據科友半導體官微消息，12月10日，“8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項目階段驗收評審會(huì )召開(kāi)。會(huì )上，以黑龍江省科學(xué)院原院長(cháng)郭春景研究員為組長(cháng)的評審專(zhuān)家組認為，科友半導體圓滿(mǎn)完成了計劃任務(wù)書(shū)2023年度階段任務(wù)，成功獲得了8英寸碳化硅單晶生長(cháng)的新技術(shù)和新工藝，建立了碳化硅襯底生產(chǎn)的工藝流程，制定了相關(guān)工藝流程的作業(yè)指導書(shū)，一致同意項目通過(guò)階段驗收評審。據了解，8英寸碳化硅襯底材料裝備開(kāi)發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究項目是2021年哈爾濱市科技專(zhuān)項計劃項目，由哈爾濱科友半導體承擔，旨在推動(dòng)8英寸碳化硅裝備國
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調制，就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
- 關(guān)鍵字： RS瑞森半導體 碳化硅 MOS管
ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET
- ～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來(lái)，隨著(zhù)照明用的小型電源
- 關(guān)鍵字： ROHM Super Junction MOSFET
英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET
- 數據中心和計算應用對電源的需求日益增長(cháng)，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門(mén)級和門(mén)級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 溝槽功率 MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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